磁记录介质及磁存储装置制造方法

磁记录介质及磁存储装置制造方法
【专利摘要】一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
【专利说明】磁记录介质及磁存储装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种磁记录介质及磁存储装置。

【背景技术】
[0002] 近些年，对于硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益增强。作为满足该需要的手 段，提出了一种热辅助记录方式，其利用搭载有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并 进行记录。在热辅助记录方式中，由于可通过对磁记录介质进行加热而大幅降低矫顽力，因 此对于记录介质的磁性层可以使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此，能够仍维持热 稳定性的同时使磁性粒径的细小化成为可能，并实现lTbit/inch 2级的面密度。
[0003] 另外，作为下一代记录方式而被关注的其他的技术，还有一种微波辅助磁记录方 式。微波辅助磁记录方式是对磁记录介质的磁性层照射微波而使磁化方向从易磁化轴倾 斜，使磁性层的磁化局部地反转来记录磁信息的方式。
[0004] 与热辅助磁记录方式相同，在微波辅助磁记录方式中，作为磁性层的材料，可以使 用由具有LL型结晶结构的合金所构成的高Ku磁性材料。
[0005] 作为高Ku磁性材料，提出了 L1。型FePt合金、L1。型CoPt合金、仏型CoPt合金 等规则合金等。另外，在磁性层中，为了将由上述规则合金构成的结晶粒隔断，作为晶界相 材料添加有Si02、Ti02等氧化物、或C、BN等。通过使其成为利用晶界相来分离磁性磁晶粒 的粒状结构，从而能够降低磁粒子间的交换耦合，并能够实现高介质SN比。
[0006] 近些年，有需求进一步的高记录密度化，为了提高记录密度，关于最佳的衬底层 (基底层）的结构进行了研究。
[0007] 作为进一步提高记录密度的方法，例如可举出设成垂直磁各向异性高的磁记录介 质的方法。并且，作为设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法，可举出使磁性层中的 匕^型规则合金取得良好的（001)取向的方法。对于磁性层的取向，由于可以通过衬底层来 控制，因此通过使用适当的衬底层，能够使以^型规则合金取得良好的（001)取向。
[0008] 在专利文献1中记载了通过在以（100)的结晶面平行于基板的方式而被控制的衬 底层上形成L10型FePt合金而使该FePt合金取得（001)取向，其中该衬底层以MgO等为 主成分。
[0009] 另外，作为进一步提高记录密度的其他的方法，可举出缩小磁性层的粒径的方法， 此时，需要一种具有即便使磁性层的磁性粒子的粒径微小化也可维持热稳定性的型晶 体结构的合金。
[0010] 例如，在专利文献2中记载了通过在由以Cr为主成分且含有Ti等的BCC结构的 合金所构成的衬底层中添加B、Si、C，从而能够降低磁性层的磁耦合，并减小簇尺寸。
[0011] 〈现有技术文献〉
[0012] 〈专利文献〉
[0013] 专利文献1 :(日本）特开平11-353648号公报
[0014] 专利文献2 :国际公布第2011/021652号


【发明内容】

[0015] 〈本发明所要解决的技术问题〉
[0016] 然而，当使用上述专利文献1、2所公开的衬底层时，有时会在衬底层之间、衬底层 与磁性层之间发生应力剥离，因此存在耐腐蚀性不足、可靠性低的问题。
[0017] 鉴于上述现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种耐腐蚀性高的磁记 录介质。
[0018] 〈用于解决技术问题的方案〉
[0019] 本发明提供一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所 述基板上；以及磁性层，其以具有LL结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一 衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元 素，以及第二衬底层，其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
[0020] 〈发明的效果〉
[0021] 根据本发明，能够提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。

【专利附图】

【附图说明】
[0022] 图1是本发明的第2实施方式的磁存储装置的结构图。
[0023] 图2是本发明的第2实施方式的磁头的结构图。
[0024] 图3是实施例1中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。
[0025] 图4是实施例2中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。
[0026] 符号说明
[0027] 101、212磁记录介质
[0028] 100磁存储装置
[0029] 301、401 基板
[0030] 304、404第三衬底层
[0031] 305、405 第一衬底层
[0032] 3〇6、406 第二衬底层
[0033] 307、407 磁性层

【具体实施方式】
[0034] 以下，对本发明的实施方式进行说明，本发明并不限定于以下实施方式，在不脱离 本发明的范围的情况下，可对以下实施方式施加各种变形及置换。
[0035] 〈第1实施方式〉
[0036] 对本实施方式的磁记录介质的结构例子进行说明。
[0037] 本实施方式的磁记录介质具有基板、形成在基板上的多个衬底层、以及以具有LL 结构的合金为主成分的磁性层。
[0038] 并且，多个衬底层至少包括第一衬底层、以及第二衬底层。
[0039] 在此，第一衬底层可含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo 的一种以上的元素。
[0040] 第二衬底层可由含有MgO的层构成。
[0041] 第一衬底层和第二衬底层连续积层。换言之，第一衬底层和第二衬底层可以接触 地设置。
[0042] 以下，对本实施方式的磁记录介质中所包括的各部件进行说明。
[0043] 首先，作为基板并无特别的限定，例如优选使用具有非晶质、或微晶体结构的耐热 玻璃基板。对于本实施方式的磁记录介质，由于有时会在磁性层形成时进行400°C以上的 基板加热，因此作为基板当使用耐热玻璃基板时，优选使用玻璃转变温度为400°C以上的材 质。
[0044] 接着，对多个衬底层进行说明。
[0045] 多个衬底层中至少包括第一衬底层和第二衬底层，第一衬底层和第二衬底层优选 连续积层的多层结构。
[0046] 对第一衬底层进行说明。
[0047] 第一衬底层含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种 以上的元素。
[0048] 此时，第一衬底层例如可由含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选 自W、Mo的一种以上的元素的合金构成。具体来说，第一衬底层例如可由W-Ta-Ti、W-Ta-V、 W-Nb-Ti、W-Nb-V、W-Ti-V、Mo-Ta-Ti、Mo-Ta-V、Mo-Nb-Ti、Mo-Nb-V、Mo-Ti-V 等合金构成。 另外，优选含有20原子％以上80原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，更优 选含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。此时，第一 衬底层的晶格常数例如可以设为从〇? 304nm(M〇-70原子％ V时）到0? 329nm(W-70原子％ Ta时）的范围。
[0049] 另外，优选第一衬底层还含有选自 B、Si、C、B203、Si02、Cr20 3、A1203、Ta205、Nb 205、 Zr02、Y203、Ce0 2、MnO、Ti02、TiO、ZnO、La203、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。通过含有上 述物质，能够改善第一衬底层的晶体粒子尺寸和分散度。因此，能够提高磁性层的例子分散 度，与未添加该物质的情况相比，能够提高磁记录介质的矫顽力，并能够进一步提高介质SN 比。
[0050] 对第二衬底层进行说明。第二衬底层可由含有MgO的层构成，特别优选由MgO构 成。第二衬底层优选在（100)取向的第一衬底层上外延生长。此时，第一衬底层的（100) 面的〈11〇>方向与MgO的（100)面的〈100>方向平行。因此，如果设第一衬底层的晶格常 数为ai、第二衬底层的晶格常数为a2，则第一衬底层与第二衬底层的晶格错配度被定义为 (a2-V2aJ/ (a2)。
[0051] 作为第二衬底层，例如当在第一衬底层上外延生长MgO层时，优选在MgO的膜面内 导入拉伸应力。由此，能够在用于磁性层的具有LL型结构的合金中导入拉伸应力并促进 规则化。
[0052] 如上所述作为第二衬底层当在上述第一衬底层之上外延生长MgO层时，由于晶格 错配，优选MgO层包括2?10%的拉伸应力。此时，第二衬底层容易引起应力剥离，但由于 在第一衬底层中添加了 Ta、Nb、Ti、V等易氧化的元素，因此能够提高构成第二衬底层的MgO 层与第一衬底层之间的界面的粘接强度。因此，由于能够抑制应力剥离的发生，因此能够提 高磁记录介质的耐腐蚀性，并能够提高可靠性。
[0053] 并且，如上所述，优选第一衬底层含有20原子％以上（大于等于20原子％ ) 80原 子％以下（小于等于80原子％ )的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上（大于等于两种）的元 素。但是，通过使选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的含有量为30原子％以上，能够特 别地提高构成第二衬底层的MgO层与第一衬底层的界面粘接强度。换言之，能够特别地提 高耐腐蚀性。另外，如果选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的含有量超过70原子％，则 有时磁记录介质的矫顽力会降低。因此，优选第一衬底层含有30原子％以上70原子％以 下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上（大于等于两种）的元素。
[0054] 对于第二衬底层的膜厚并无特别限定，优选为0? 5nm以上5nm以下。当第二衬底 层的膜厚小于〇. 5nm时，由于有时MgO无法得到良好的NaCl型结构因此并不优选。另外， 如果膜厚超过5nm，则Mg的膜面内的拉伸应力缓和，变得难以在磁性层中的具有LL结构的 合金中导入足够的拉伸应力，因此并不优选。
[0055] 另外，优选该多个衬底层还包括第三衬底层，该第三衬底层含有具有BCC结构的 金属。并且，优选第一衬底层形成在第三衬底层上，更优选第三衬底层与第一衬底层连续地 积层。
[0056] 对第三衬底层进行说明。
[0057] 优选第三衬底层含有具有BCC结构的金属。优选第三衬底层含有具有BCC结构的 选自W(金属钨）、Mo (金属钥）的金属、或者具有BCC结构的选自以W为主成分的合金及以 Mo为主成分的合金的合金。当使用以W为主成分的具有BCC结构的合金时，可用Mo来置换 W的一部分。另外，当使用以Mo为主成分的具有BCC结构的合金时，可用W来置换Mo的一 部分。
[0058] 在此，作为以W为主成分的具有BCC结构的合金，例如可优选使用添加了 Ta、Nb、 Ta、V、Cr等元素的以W为主成分的合金。另外，作为以Mo为主成分的具有BCC结构的合金， 例如可优选使用添加了 Ta、Nb、Ta、V、Cr等元素的以Mo为主成分的合金。此时，对元素添 加量并无特别限定，优选在不使BCC结构劣化的范围内进行添加。
[0059] 需要说明的是，第三衬底层可以由多个层来构成。例如可以利用由W构成的层、和 由以W为主成分的具有BCC结构的合金构成的层这两层来构成。另外，可以是由其他材料 构成的层的组合，还可以由三层以上来构成。
[0060] 对构成第三衬底层的材料的晶格常数并无特别限定，例如当设置取向控制衬底层 时，优选以取向控制层与第三衬底层的晶格常数错配度为10%以下的方式来构成。特别更 优选以取向控制层与第三衬底层的晶格常数错配度为6%以下的方式来构成。
[0061] 还可以在第三衬底层中进一步添加选自B、Si、C、B203、Si0 2、Cr203、A1203、Ta 205、 Nb205、Zr02、Y 203、Ce02、MnO、Ti02、TiO、ZnO、La 203、NiO、FeO、CoO 的一种以上的物质。如果添 加上述元素或氧化物，则能够减小第三衬底层的晶体粒子尺寸，能够进一步改善分散度。当 在第三衬底层中添加上述元素或氧化物时，对添加量并无特别限定，优选在不使第三衬底 层本身的（100)取向性劣化的范围内进行添加。
[0062] 再有，由于优选第一衬底层、第二衬底层具有（100)取向，因此对于第三衬底层也 优选为（100)取向。并且，为了使第三衬底层为（100)取向，优选在第三衬底层之下形成取 向控制衬底层。
[0063] 作为取向控制衬底层并无特别限定，例如可由具有B2结构的NiAl、RuAl构成。另 夕卜，作为取向控制衬底层，也可以由Cr或以Cr为主成分的BCC结构的合金构成。
[0064] 作为以Cr为主成分的BCC结构的合金，例如可举出CrMn、CrMo、CrW、CrV、CrTi、 CrRu 等。
[0065] 取向控制衬底层优选形成在非晶质晶种层上。非晶质晶种层优选例如由非晶质的 材料构成，更优选例如由Cr-50原子％ Ti、Ni-40原子％ Ta、Ti-50原子％ A1合金等构成。 [0066] 通过在非晶质晶种层上以例如150?200°C以上的高温来形成取向控制衬底层， 从而能够使该取向控制衬底层为良好的（100)取向。
[0067] 综上所述，能够在多个衬底层上形成以具有LL结构的合金为主成分的磁性层。 由此，能够使磁性层中所包含的具有[^结构的合金取得良好的（001)取向。并且同时，能 够利用来自作为第二衬底层的含有MgO的层的拉伸应力来提高具有LL结构的合金的规则 度。
[0068] 在此，所谓的作为主成分来含有，例如意味着在磁性层中所包含的成分之中，所包 含的具有LL结构的合金的含有量的物质量比最多。
[0069] 对磁性层中作为主成分所含有的具有LL结构的合金并无特别限定，可优选使用 具有LL结构的FePt合金或具有LL结构的CoPt合金。
[0070] 此外，优选磁性层中的具有LL结构的合金的晶体粒磁性隔离（孤立）。因此，作 为磁性层的晶界相，优选含有选自 Si02、Ti02、Cr203、A120 3、Ta205、Zr02、Y20 3、Ce02、MnO、TiO、 Zn0、C、B、B203、BN的至少一种物质。由此，具有LL结构的合金的晶体粒间的交换耦合被隔 断，能够进一步降低介质噪声。
[0071] 并且，为了促进磁性层中的具有LL结构的合金的规则化，优选磁性层形成时的基 板温度为600°C以上。另外，为了减低规则化温度，可以在具有LL结构的合金中添加Ag、 Au、Cu、Ni等。此时，能够将磁性层形成时的基板温度降低至400?500°C左右。
[0072] 另外，可以在本实施方式的磁记录介质中形成任意的层。
[0073] 例如，优选在磁性层上形成DLC保护膜。对DLC保护膜的形成方法并无特别限定， 例如可通过用高频等离子将由烃构成的原料气体分解而形成膜的RF-CVD法、用从灯丝发 射的电子将原料气体离子化而形成膜的IBD法、不使用原料气体而使用固体C靶来形成膜 的FCVA法等来形成。DLC膜厚优选lnm以上6nm以下。当膜厚小于lnm时，由于磁头的浮 动特性恶化因此不优选。另外，如果膜厚超过6nm则有时磁间隔变大、介质SN比恶化，不优 选。
[0074] 也可以在DLC保护膜上进一步涂布由全氟聚醚类的氟树脂构成的润滑剂。
[0075] 对于热辅助记录方式用的磁记录介质，优选对磁性层进行激光加热、快速冷却，抑 制加热点的扩大。通过这样来构成，由于能够降低磁性过渡区域的宽度、并降低介质噪音， 因此优选。为了进行磁性层的快速冷却，优选在磁记录介质中形成散热层。对于散热层，可 使用Ag、Cu、Al、Au等热传导率高的金属、或以其为主成分的合金。
[0076] 另外，为了改善写入特性，还可以形成软磁性衬底层。对于软磁性衬底层，可使用 CoTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeTaZr 等非晶质合金、FeTaC、FeTaN 等微晶体合金、NiFe 等 多晶体合金。软磁性衬底层可以是由上述合金构成的单层膜，也可以是夹持适当膜厚的Ru 层的反强磁性耦合的积层膜。
[0077] 以上对本实施方式的磁记录介质进行了说明，在本实施方式的磁记录介质中，由 于使用了预定的衬底层，因此能够成为耐腐蚀性优异的磁记录介质。另外，能够成为同时在 矫顽力和介质SN比上也具有优异特性的磁记录介质。
[0078]〈第2实施方式〉
[0079] 在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例子进行说明。需要说明的是，在 本实施方式中，对于根据热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例子进行说明，但并不限 定于该实施方式，在第1实施方式中所说明的磁记录介质也可以为根据微波辅助磁记录方 式的磁存储装置。
[0080] 本实施方式的磁存储装置可以为具有在第1实施方式中所说明的磁记录介质的 磁存储装置。
[0081] 在磁存储装置中，例如还可以具有用于使磁记录介质转动的磁记录介质驱动部、 以及在顶端部具有近场光产生元件的磁头。另外，可以具有用于加热磁记录介质的激光产 生部、将从激光产生部所发射的激光引导至近场光产生元件的导波路、用于移动磁头的磁 头驱动部、以及记录再生信号处理系统。
[0082] 磁存储装置的具体结构例子如图1所示。
[0083] 例如本实施方式的磁存储装置100可以为如图1所示的结构。具体来说，可以由 磁记录介质101、用于使磁记录介质101转动的磁记录介质驱动部102、磁头103、用于使磁 头103移动的磁头驱动部104、记录再生信号处理系统105等构成。
[0084] 并且，作为磁头103,例如可使用图2所示的磁头。该磁头具有记录头208、再生头 211。记录头208具有主磁极201、辅助磁极202、用于产生磁场的线圈203、作为激光产生部 的激光二极管（LD) 204、用于将从LD所产生的激光205传导至近场光产生元件206的导波 路207。再生头211具有由护罩209所夹持的再生元件210。
[0085] 并且，作为磁记录介质101，如上所述由于使用了在第1实施方式中所说明的磁记 录介质，因此能够成为耐蚀性优异、可靠性高的磁存储装置。
[0086] 〈实施例〉
[0087] 以下，举出具体的实施例来进行说明，本发明并不限定于该实施例。
[0088] (实施例1)
[0089] 图3表示出在本实施例中制作的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子。
[0090] 在2. 5英寸的玻璃基板301上，形成30nm的Ni-40原子％Ta晶种层302,在300°C 下对基板进行加热后，作为取向控制层303,形成10nm的Ru-50原子％ A1。
[0091] 接着，形成膜厚为10nm的由W-10原子％ Cr构成的第三衬底层304。接着，形成膜 厚为15nm的由表1所示的各个材料所构成的第一衬底层305、和膜厚为2nm的由MgO构成 的第二衬底层306。
[0092] 之后，在600°C下进行基板加热，形成膜厚为8nm的由（Fe-46原子％ Pt)_15摩 尔％ Si02构成的磁性层307、膜厚为3nm的DLC保护膜308,涂布全氟聚醚类的润滑剂。
[0093] 对于本实施例中所制作的磁记录介质，第一衬底层如上所述由表1所示的各种材 料构成，在实施例1-1?实施例1-18中，选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的材料的总含有量为 50原子％。另外，在实施例1-13?实施例1-19中，在第一衬底层的材料中，还含有选自B、 Si、C、B 203、Si02、Cr203、A1 203、Ta205、Nb20 5、Zr02、Y203、Ce02、MnO、Ti0 2、TiO、ZnO、La203、NiO、 Fe0、C〇0的一种以上的物质。另外，作为比较例1-1，制作了未形成第一衬底层、在第三衬底 层之上直接形成第二衬底层306的磁记录介质。
[0094] 关于所制作的磁记录介质，进行了矫顽力He、规格化矫顽力分散AHc/Hc、以及耐 腐蚀性（A-〇SA counter)的评价。
[0095] 矫顽力He是利用SUQID(超导量子干扰元件），根据施加7T的磁场在室温 下进行测定的磁化曲线来求出。另外，规格化矫顽力A Hc/Hc利用" IEEE Trans. Magn.，vol. 27, pp4975-4977, 1991"中记载的方法来测定。具体而言，在施加7T的最大磁场 并在室温下测定的大磁滞回线（major loop)及小磁滞回线（minor loop)中，对磁化的值 为饱和值的50%时的磁场进行测定，根据两者之差，假定He分布为高斯分布来计算出规格 化矫顽力△ Hc/Hc。规格化矫顽力△ Hc/Hc为相当于反转磁场分散的参数，该值越低则表示 得到越高的介质SN比，越优选。
[0096] 对耐蚀性的评价方法进行说明。首先，使用Candela公司制造的0SA-6300,对所制 造的磁记录介质表面全体的颗粒数进行测量。接着，将磁记录介质在稳定为温度90°C、湿度 90%的高温炉中放置48小时。之后，将磁记录介质从高温炉中取出，再次用上述Candela 公司制造的0SA-6300来测量颗粒数。接着，设高温炉处理后的磁记录介质表面的颗粒数的 增加数为"A-0SA counter"，该值越低则磁记录介质具有越高的耐腐蚀性。为了使其为具 有可靠性高的磁记录介质，" A-0SA counter"为100以下即可，优选为15以下，更优选为 10以下。
[0097] 表1表示出对于实施例1-1?实施例1-19、比较例1-1的磁记录介质进行矫顽力 He、规格化矫顽力分散A Hc/Hc、以及耐腐蚀性（A-〇SA counter)进行评价的结果。
[0098] [表 1]

【权利要求】
1. 一种磁记录介质，其特征在于，具有： 基板； 多个衬底层，其形成在所述基板上；W及 磁性层，其W具有L1。结构的合金为主成分， 所述多个衬底层至少包括 第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的元素，并且含有选自W、Mo的一种 W上的元素，W及 第二衬底层，其含有MgO， 所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
2. 根据权利要求1所述的磁记录介质，其中， 所述多个衬底层还包括第H衬底层，所述第H衬底层含有具有BCC结构的金属， 所述第一衬底层形成在所述第H衬底层上。
3. 根据权利要求2所述的磁记录介质，其中，所述第H衬底层含有具有BCC结构的选 自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的选自W W为主成分的合金及W Mo为主成分的合金的 A今 口亟〇
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其中，所述第一衬底层含有30原 子％^上70原子％^下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的元素。
5. 根据权利要求1至4中任一项所述的磁记录介质，其中，所述第一衬底层还含有选 自 B、Si、C、B2O3、Si〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、佩2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、Ti〇2、TiO、化0、La2〇3、 NiO、化0、C〇0的一种W上的物质。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的磁记录介质，其中， 所述磁性层W具有L1。结构的化Pt合金或具有11。结构的CoPt合金为主成分，并且含 有选自 Si〇2、Ti〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、TiO、化0、C、B、B2O3、BN 的至少 一种物质。
7. -种磁存储装置，其特征在于，包括： 磁记录介质；W及 磁头，其将信息写入所述磁记录介质、并从所述磁记录介质读取信息， 所述磁记录介质具有 基板， 多个衬底层，其形成在所述基板上，W及 磁性层，其W具有L1。结构的合金为主成分， 所述多个衬底层至少包括 第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的元素，并且含有选自W、Mo的一种 W上的元素，W及 第二衬底层，其含有MgO， 所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
8. 根据权利要求7所述的磁存储装置，其中， 所述多个衬底层还包括第H衬底层，所述第H衬底层含有具有BCC结构的金属， 所述第一衬底层形成在所述第H衬底层上。
9. 根据权利要求8所述的磁存储装置，其中，所述第H衬底层含有具有BCC结构的选 自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的选自W W为主成分的合金及W Mo为主成分的合金的 A全 口 W. 〇
10. 根据权利要求7至9中任一项所述的磁存储装置，其中，所述第一衬底层含有30原 子％ ^上70原子％ ^下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种W上的兀素。
11. 根据权利要求7至10中任一项所述的磁存储装置，其中，所述第一衬底层还含有选 自 B、Si、C、B2O3、Si〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、佩2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、Ti〇2、TiO、化0、La2〇3、 NiO、化0、C〇0的一种W上的物质。
12. 根据权利要求7至11中任一项所述的磁存储装置，其中， 所述磁性层W具有L1。结构的化Pt合金或具有11。结构的CoPt合金为主成分，并且含 有选自 Si〇2、Ti〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、TiO、化0、C、B、B2O3、BN 的至少 一种物质。
【文档编号】G11B5/73GK104347087SQ201410363017
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】张磊, 神边哲也, 村上雄二, 丹羽和也 申请人:昭和电工株式会社