1.一种内部电源电压产生电路，包括：差分放大器，将供给至负载电路的内部电源电压与规定的第1基准电压进行比较，并自输出端子输出表示比较结果的控制电压；以及驱动晶体管，根据所述控制电压来驱动外部电源电压而输出内部电源电压，且所述内部电源电压产生电路以所述内部电源电压成为所述第1基准电压的方式进行调整，所述内部电源电压产生电路的特征在于包括：
电荷共享电路，包含充电电容器、初始电压调整电路及电荷重置电路，所述充电电容器经由开关电路而连接于所述差分放大器的输出端子，且以所述控制电压的电荷进行充电，所述初始电压调整电路对所述充电电容器调整并施加规定的初始电压，所述电荷重置电路对所述充电电容器进行放电；以及
控制部件，当所述内部电源电压低于规定的第2基准电压时，藉由使所述开关电路导通，将具有所述初始电压的充电电容器连接于所述差分放大器的输出端子，在规定的传输期间内将所述控制电压的电荷传输至所述充电电容器之后，将所述开关电路断开，并在规定的重置期间内藉由所述电荷重置电路来传输所述充电电容器的电荷。
2.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述初始电压调整电路生成规定的微小电流，并使与所述微小电流对应的电流流至一电路而生成所述初始电压，所述电路生成自所述外部电源电压下降的规定的初始电压。
3.如权利要求2所述的内部电源电压产生电路，其中
所述初始电压调整电路包含规定级数的第1晶体管，所述规定级数的第1晶体管连接于外部电源电压且彼此串联连接，且所述初始电压调整电路产生一电压来作为所述初始电压，所述电压是自所述外部电源电压减去将所述第1晶体管的阈值电压乘以所述规定级数所得的值而得。
4.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述初始电压调整电路包含将规定级数的第2晶体管、多个分压电阻及基准电流源串联连接而成的电路，所述规定级数的第2晶体管连接于外部电源电压且彼此串联连接，且所述初始电压调整电路是一充电电路，所述充电 电路选择性地产生来自所述多个分压电阻中任一个分压电阻的一端的电压来作为所述初始电压。
5.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述电荷重置电路包含第3晶体管，所述第3晶体管连接于所述充电电容器与接地之间，在所述重置期间内，藉由将所述第3晶体管导通，对所述充电电容器的电荷进行放电。
6.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述电荷重置电路是一下拉电路，所述下拉电路在所述重置期间内，使规定的放电用小电流流动，使与所述放电用小电流对应的电流自所述充电电容器流动，对所述充电电容器的电荷进行放电，藉此下拉所述充电电容器的电压。
7.如权利要求4所述的内部电源电压产生电路，其中
所述电荷重置电路在所述重置期间内，以将所述控制电压的电位设定为规定的充电基准电压而藉此降低所述电位的方式，来传输所述充电电容器的电荷。
8.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述第2基准电压等于所述第1基准电压。
9.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，还包括：
过冲防止电路，当所述内部电源电压较规定的第3基准电压而增大时，将所述控制电压上拉至规定的电压，藉此来防止所述内部电源电压的过冲。
10.如权利要求9所述的内部电源电压产生电路，其中
所述过冲防止电路在所述内部电源电压较规定的第3基准电压而增大时，将所述控制电压上拉至自外部电源电压经由晶体管电路而下降规定电压后的电压，藉此来防止所述内部电源电压的过冲。
11.如权利要求9所述的内部电源电压产生电路，其中
所述过冲防止电路在所述内部电源电压较规定的第3基准电压而增大时，在规定的期间内，将所述控制电压连接至将外部电源电压充电至另一充电电容器而得的充电电压，进行电荷共享，从而上拉所述控制电压，藉此来防止所述内部电源电压的过冲。
12.如权利要求1所述的内部电源电压产生电路，其中
所述控制部件包括：
比较器，将所述内部电源电压与所述第2基准电压进行比较，并输出比较结果信号；以及
时序信号产生电路，基于来自所述比较器的所述比较结果信号，产生控制所述开关电路的导通或断开的控制信号。
13.如权利要求8所述的内部电源电压产生电路，其中
所述第2基准电压为所述第1基准电压以下，所述第3基准电压为所述第2基准电压以上。
14.如权利要求13所述的内部电源电压产生电路，其中
所述第1基准电压、第2基准电压与第3基准电压是彼此相等的电压。
15.一种半导体存储装置，其特征在于包括如权利要求1所述的内部电源电压产生电路。
16.如权利要求15所述的半导体存储装置，其中
所述半导体存储装置基于数据的写入信号或数据的读出信号，以比时钟的周期速度快的速度来分别进行数据写入或数据读出，
所述控制部件使所述电荷共享电路与所述数据的写入信号及所述数据的读出信号同步地工作。
17.如权利要求16所述的半导体存储装置，其中
比所述时钟的周期速度快的速度是时钟周期的倍速即双倍数据速率。
18.一种半导体装置，其特征在于包括如权利要求1所述的内部电源电压产生电路。