1.一种提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在所述闪存存储器进入待机模式后，采用正常读取电压读取所述闪存存储器中的数据；
判断所述闪存存储器中是否存在0单元，若否，则随后退出；
采用预设电压读取所述闪存存储器中的数据，其中，所述预设电压大于所述正常读取电压；
判断所述闪存存储器中是否存在阈值电压小于所述预设电压的0单元，若否，则随后退出；
对所述阈值电压小于所述预设电压的0单元进行编程，以使所述0单元的阈值电压大于所述预设电压。
2.如权利要求1所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述0单元为所述闪存存储器中阈值电压大于所述正常读取电压的存储单元。
3.如权利要求1所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述预设电压小于编程验证电压。
4.如权利要求3所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述编程验证电压的取值范围为7～9v。
5.如权利要求1所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述正常读取电压的取值范围为5～6v。
6.如权利要求1所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述预设电压的取值范围为6～7v。
7.如权利要求1所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述闪存存储器为NOR型闪存存储器。
8.如权利要求7所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述NOR型闪存存储器包括：
衬底；
隧穿氧化层，设置于所述衬底之上；
浮栅，设置于所述隧穿氧化层之上；
阻挡层，设置于所述浮栅之上。
9.如权利要求8所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述阻挡层为ONO阻挡层。
10.如权利要求8所述的提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，所述NOR型闪存存储器还包括设置于所述浮栅侧壁的侧墙。