技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升闪存存储器数据保持力的方法，通过在闪存存储器进入待机状态后增加一次提高电压的读操作及相应的编程操作，使阈值电压偏低的0单元的阈值电压保持在预设电压之上，以保证阈值电压偏低的0单元的阈值电压及时得到提升，有效防止0单元由于电荷丢失而导致的反转，从而有效提升了闪存存储器的数据保持能力，延长产品的使用寿命；并且这个增加的读操作及相应编程操作是在芯片进入待机模式后自动完成，不会影响用户使用时间。
技术研发人员：张宇飞;罗旭;李康
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611111224
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2017.05.31