1.一种非易失性存储结构，其特征在于，包括第一控制场效应管、第二控制场效应管、第一隧穿场效应管、第二隧穿场效应管、第一浮栅场效应管和第二浮栅场效应管；所述第一控制场效应管、第一隧穿场效应管和第一浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅；所述第二控制场效应管、第二隧穿场效应管和第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第二浮栅；所述第一控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二控制场效应管的源极、漏极和衬底并接在数据输入端；所述第一隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二隧穿场效应管的源极、漏极和衬底并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极分别连接在读使能信号输入端，所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的漏极并接在一起后连接在数据输出端，所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的衬底分别连接在所述读使能信号输入端。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储结构，其特征在于，所述第一控制场效应管、第二控制场效应管、第一隧穿场效应管、第二隧穿场效应管、第一浮栅场效应管和第二浮栅场效应管均为p型沟道场效应管，其衬底包括n阱。
3.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括第一数据存储单元、第二数据存储单元、数据锁存单元、第一传输场效应管和第二传输场效应管；所述数据锁存单元将其连接的数据存储单元的数据输出端上的不同的数据值锁存在该数据输出端上；所述第一传输场效应管和第二传输场效应管分别在地址选择信号的作用下导通使得其连接的数据存储单元的数据输出端上数据输出；其中，所述第一数据存储单元和第二数据存储单元是如权利要求1或2所述的非易失性存储结构。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一传输场效应管的栅极连接在地址选择信号输入端，其漏极连接在第一数据存储单元的数据输出端，其源极输出所述第一数据存储单元的数据；所述第二传输场效应管的栅极连接在所述地址选择信号输入端，其漏极连接在第二数据存储单元的数据输出端，其源极输出所述第二数据存储单元的数据。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一传输场效应管和所述第二传输场效应管的衬底分别连接在所述读使能信号输入端。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一传输场效应管和所述第二传输场效应管均为p型沟道场效应管，其衬底包括n阱。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述数据锁存单元包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管和第二场效应管均为n沟道场效应管；所述第一场效应管的漏极、所述第二场效应管的栅极和所述第一数据存储单元的数据输出端连接在一起；所述第二场效应管的漏极、所述第一场效应管的栅极和所述第二数据存储单元的数据输出端连接在一起；所述第一场效应管和第二场效应管的源极连接在一起并接地。
8.一种非易失性存储器，其特征在于，包括多个非易失性存储单元，所述非易失性存储单元是如权利要求7所述的非易失性存储单元；所述多个非易失性存储单元对齐排列，使得一个非易失性存储单元中的两个存储单元在同一行而形成存储单元阵列；所述存储单元阵列中每一行的读使能信号输入端连接在一起，每一行的隧穿电压输入端连接在一起，每一行的地址选择信号输入端连接在一起。
9.每一列存储单元的数据输入信号连接在一起，每一列存储单元的数据输出信号连接在一起。
10.一种电子标签，包括用于存放该电子标签的数据的存储器，其特征在于， 所述存储器是如权利要求8所述的存储器。