技术总结
本实用新型涉及一种非易失性存储结构，包括两个控制场效应管、两个隧穿场效应管和两个浮栅场效应管；第一或第二控制场效应管、第一或第二隧穿场效应管和第一或第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅或第二浮栅；两个控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在数据输入端；两个隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极和漏极分别连接在读使能信号输入端和数据输出端。本实用新型还涉及存储单元、存储器及电子标签。实施本实用新型的非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签，具有以下有益效果：其数据保持能力较强，抗干扰能力也较强。
技术研发人员：刘岩;熊立志;武岳山
受保护的技术使用者：深圳市远望谷信息技术股份有限公司
文档号码：201720070415
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.08.25