存储器装置及使用非易失性存储器对系统进行开机的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种存储器装置；特别涉及一种使用非易失性存储器元件对系统进行开机的方法以及相关的存储器装置。
【背景技术】
[0002]在抹除一非易失性存储器的过程中，更具体而言，在抹除一非易失性存储器内的特定区块的过程中，可能会发生非预期的中断，例如非预期的电源中断。在此状况下，将无法成功执行完整的抹除运作。举例而言，参照图1，如果一存储器区块已完成预编程(preprogramming)步骤(步骤12),但在电源中断时未能完成过抹除校正(Over EraseCorrect1n, 0EC)步骤(步骤16),则由于过抹除现象可能导致位线的漏电。当系统再度送电时，未能完成OEC步骤的存储器区块所造成的位线漏电可能会影响到共享相同位线的相关联存储器区块。如果该相关联存储器区块用来存储开机码(booting code)时，在系统重新送电后执行开机程序时，系统可能无法读取开机码。这会导致很长的开机时间，或者，系统可能会无法开机。
[0003]随着手持式电子装置的蓬勃发展，系统的稳定度在许多消费性产品中是一个重要的课题。此外，高容量的存储器元件中会合并越来越多的存储器区块。因此，需要解决上述位线漏电现象的方案。
【发明内容】
[0004]根据本发明一实施例的一种使用一非易失性存储器元件对一系统进行开机的方法，包含以下步骤:当该系统供电时，读取对应到该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一状态标志，该状态标志的标志值指示施加至该存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成；根据该状态标志的标志值对所对应的存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序；以及根据存储在该非易失性存储器元件中的一开机码对该系统进行开机。
[0005]根据本发明一实施例的一种存储器装置，包含一非易失性存储器元件，一状态寄存器，一控制单元以及一漏电流校正单元。该非易失性存储器元件包含多个存储器区块。该状态寄存器电性连接至该非易失性存储器元件，其配置以存储一状态标志，该状态标志用以指示施加至该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成。该控制单元配置以在该存储器装置供电后读取该状态标志的标志值。该漏电流校正单元电性连接至该控制单元，其配置以根据该状态标志的标志值对该等存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序。
【附图说明】
[0006]图1显示一已知的完整的抹除运作的流程图。
[0007]图2显示结合本发明一实施例的一存储器装置的方块示意图。
[0008]图3显示共享一相同位线的两存储器区块的示意图。
[0009]图4显示根据本发明一实施例的该非易失性存储器元件的一完整的抹除运作的流程图。
[0010]图5显示根据本发明一实施例的使用非易失性存储器元件对系统进行开机的一方法的流程图。
[0011]图6显示根据本发明另一实施例的使用非易失性存储器元件对系统进行开机的一方法的流程图
[0012]【符号说明】
[0013]10-18步骤
[0014]200存储器装置
[0015]202非易失性存储器元件
[0016]204状态寄存器库
[0017]206或门电路
[0018]208控制单元
[0019]210漏电流校正单元
[0020]212第一偏压电压产生器
[0021]214第二偏压电压产生器
[0022]216再抹除单元
[0023]32开机区块
[0024]34数据区块
[0025]36感测放大器
[0026]400完整抹除运作
[0027]402-414步骤
[0028]500开机方法
[0029]502-512步骤
[0030]600开机方法
[0031]602-612步骤
[0032]BL位线
【具体实施方式】
[0033]图2显示结合本发明一实施例的一存储器装置200的方块示意图。参照图2，该存储器装置200包括一非易失性存储器元件202，一状态寄存器库204，一或门电路206，一控制单元208以及一漏电流校正单元210。该漏电流校正单元210包括一第一偏压电压产生器212, —第二偏压电压产生器214以及一再抹除单兀216。
[0034]参照图2，该非易失性存储器元件202包含N个存储器区块[O]至存储器区块[N-1]以存储正常数据或开机码，其中N为一正整数。举例而言，在本实施例中存储器区块
[O]中的存储器晶胞建构以存储正常数据，而存储器区块[I]中的存储器晶胞建构以存储开机码。此外，存储器区块[O]中的存储器晶胞和存储器区块[I]中的存储器晶胞电性连接至相同的位线。为了降低该存储器元件202的芯片面积，在存储器区块[O]中的存储器晶胞和存储器区块[I]中的存储器晶胞彼此间并无隔离元件。
[0035]请参照图3，其显示共享一相同位线BL的两存储器区块的示意图，其中开机区块32用以存储开机码，而数据区块34用以存储正常数据。假设该数据区块34的存储器晶胞被过度抹除，且在未能完成OEC步骤时电源中断，由于开机区块32中的存储器晶胞和数据区块34中的存储器晶胞分享同一位线，在送电后进行开机程序时，从开机区块32中读取开机码时会读取失败。这是由于过抹除现象导致的位线漏电(IleakX) μ A)，使得感测放大器(Sense Amplif ier，SA) 36在读取开机区块32中的所选择晶胞的逻辑“O”数据时感测到错误的电流，进而读取到错误的数据值。这会导致很长的开机时间，或者，系统可能会无法开机。
[0036]参照图2，在本实施例中该状态寄存器库204包括N个状态寄存器[O]至[N_l]。该等寄存器[O]至[N-1]用以存储状态标志FL[O]至FL[N-1]，其中每一状态标志用以指示该非易失性存储器元件202中对应的存储器区块是否已成功完成一完整的抹除运作。举例来说，FL[0]指示存储器区块[O]是否已成功完成一完整的抹除运作，而FL[1]指示存储器区块[I]是否已成功完成一完整的抹除运作，依此类推。然而，本发明不应以此为限。在其他实施例中该状态寄存器库204可包括小于N个的状态寄存器。亦即，可能有多个存储器区块分配到一状态标志。
[0037]图4显示根据本发明一实施例的该非易失性存储器元件202的一完整的抹除运作400的流程图。参照图4，开始首先进行步骤402，其中该非易失性存储器元件202中有至少一个特定区块准备被抹除。接着，在步骤404中，在该状态寄存器库204中对应到该至少一个特定区块的寄存器的状态标志FL会设定为逻辑“I”。在步骤406中，对该等特定区块内的存储器晶胞执行一预编程运作。在步骤408中，对该等特定区块内的存储器晶胞执行一抹除运作。在步骤406中，对该等特定区块内的存储器晶胞执行一过抹除校正运作。当该等特定区块内的存储器晶胞已依序执行预编程运作406，抹除运作408和过抹除校正运作410后，将该状态寄存器库204中对应到该等特定区块的寄存器的状态标志FL的标志值设定为逻辑“O”。
[0038]图5显示根据本发明一实施例的使用非易失性存储器元件对系统进行开机的一方法500的流程图。本领域技术人员应体认本发明的施行并未限定于须逐一或准确地实施图5中的每一步骤。举例而言，可在图5中的每一步骤之间增加中间步骤或进行局部修改。
[0039]参照图5，首先进行步骤502，在步骤502中对该存储器装置200提供电力。接着，在步骤504中，读取对应到该非易失性存储器元件202中的全部存储器区块[O]至[N-1]的一总状态标志0FL。之后，在步骤506中，判断该总状态标志OFL的标志值是否为逻辑“ I”，如果否，根据存储在该非易失性存储器元件202中的开机码进行开机；如果是，检查每一状态标志FL以确认何者标志值为逻辑“I”。
[0040]在步骤508中，如果状态标志FL的标志值为逻辑“ I”者，表示对应的区块未完成完整的抹除运作，例如尚未进行OEC运作。因此，在步骤510中须对对应至状态标志值为逻辑“I”的区块执行一漏电流抑制程序。接着，在步骤512中方能根据存储在该非易失性存储器元件202中的开机码进行开机。
[0041]参照图2，该总状态标志OFL是由该或门电路206所产生。该总状态标志OFL用以指示是否有任何不完整的抹除运作发生。如果该总状态标志OFL的标志值为逻辑“1”，表示有一个或超过一个的存储器区块未完成抹除方法400，因此该控制单元208会依序读取对应至存储器区块[O]至[N