共聚物和使用该共聚物的高分子发光元件的制作方法

专利名称：共聚物和使用该共聚物的高分子发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种共聚物和使用共聚物的高分子发光元件(高分子
LED)。
背景技术：
高分子量的发光材料或电荷输送材料可溶于溶剂，通过涂布法可形成 发光元件(电致发光元件)的有机层，因此进行了各种研究，作为例子， 已知有由芴-二基、吩聰、嗪-二基构成的共聚物(特开2004-137456)
但是，采用上述的共聚物制作成电致发光元件时，存在该发光起始电 压高等元件特性仍然不理想的问题。

发明内容
本发明的目的在于提供一种作为发光材料或电荷输送材料而有用的、 发光起始电压低等特性优良的共聚物。
本发明提供一种含有通式(1)所示的重复单元和下述通式(2)所示 的重复单元的共聚物。
(1〉
(式中，A环和B环各自独立地表示可具有取代基的芳香环，X为、 ^0-、 — S--、 一S (= 0〉 — 、 — S (=0〉广、-'S i (R》广S i(R,〉 t 一、 一，Si (&,〉 ,—、 —B (R,〉 — 、 一？ (R,〉 一、 一P —O〉 (R') -、 —O—C (R)广、—N=C (S)一，
R4表示取代基，R!存在多个时，它们可以相同，也可以不同)。(式中，Y为-O-、 -S-或者-C。 O)-。 Ar,表示可具有取代基的芳基或 可具有取代基的1价杂环基团，但在构成该A^环的原子中，在与式中的 氮原子相结合的原子的邻位原子上不结合取代基，R2表示取代基，n表示 0 3的整数。当R2存在多个时，它们可以相同也可以不同)。
具体实施例方式
本发明的共聚物含有通式(1)所示的重复单元。 在通式(1)中，A环和B环各自独立地表示可具有取代基的芳香环， 作为该芳香环，可以举出芳香烃环、芳香杂环。作为芳香烃环，可以举出 苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、嵌二萘环、菲环等芳香族烃环。 作为芳香族杂环，可以举出噻吩环、吡啶环。从合成单体的容易度或元件 特性的观点出发，优选苯环、萘环、蒽环、菲环，较优选苯环、萘环。 另夕卜，X为—6-、 一S—， 一S (=0) — 、 -S (=0) * —、' 一S i (R,) 2 -S i (R,》广、、，S i (R,) 2-、 一B (R)-、-P -、 -P (-O)
(R,) — 、 -0 —C (R,) 2-、 —N = C (R,) — ， R1表示取代基。
作为R,优选选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳垸基、芳基垸氧基、芳基垸硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代 氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、硝基和氰基。这些 取代基所含有的氢原子也可被氟原子取代。
此处，烷基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳原子数通常为1 20左右，优选为3 20。作为它的具体例，可列举出甲基、乙基、丙基、 异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、 辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、 五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点和耐热性的平衡出发，优选戊基、异 戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3，7-二甲基辛基。
垸氧基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳原子数通常为1 20
左右，优选为3 20。作为它的具体例，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧 基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧 基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧 基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟 辛基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等，从对有机溶剂的溶解性、 元件特性、合成单体的容易度等观点和耐热性的平衡出发，优选戊氧基、 己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基。
烷硫基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳原子数通常为1 20 左右，优选为3 20。作为它的具体例，可列举出作为其具体例，可列举 出甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、 戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、 癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等。从对有机溶剂的 溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点和耐热性的平衡出发，优选 戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。
芳基是从芳香族烃中除去1个氢原子而形成的原子团，包括具有稠环 的原子团、2个以上独立的苯环或者稠环直接地或者通过1，2-亚乙烯基等 基团键合而形成的原子团。芳基的碳数通常为6 60左右，优选为7 48， 作为其具体例，可列举出苯基、d C,2垸氧基苯基(C, C12表示碳数 1 12。以下也同样)、d C12烷基苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单 体的容易度等观点出发，优选C, d2烷氧基苯基、d C,2烷基苯基。 作为d d2烷氧基的具体例，可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙 氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧 基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂 氧基等。
作为d d2烷基苯基的具体例，可以举出甲基苯基、乙基苯基、二 甲基苯基、丙基苯基、茶基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、 辛基庚基、壬基苯基、癸基苯基、十二 (烷)基苯基等。
芳氧基的碳数通常为6 60左右，优选为7 48，作为其具体例，可
列举出苯氧基、d C12烷氧基苯氧基、Q d2烷基苯氧基、l-萘氧基、
2-萘氧基、五氟苯氧基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体 的容易度等观点出发，优选Q Cn烷氧基苯氧基、d Cn烷基苯氧基。 作为d d2烷氧基的具体例，可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、 异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、 庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、 月桂氧基等。
作为Q C12烷基苯氧基的具体例，可以举出甲基苯氧基、乙基苯氧 基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1,3,5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、 异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、 异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸 基苯氧基、十二 (烷)基苯氧基等。
芳硫基的碳数通常为3 60左右，作为其具体例，可列举出苯硫基、 Q Cu烷氧基苯硫基、d Cn烷基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基、五 氟苯硫基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观 点出发，优选d C^烷氧基苯硫基、d C,2烷基苯硫基。
芳烷基的碳数通常为7 60左右，优选为7 48，作为其具体例，可 列举出苯基-d Cn烷基、d C。烷氧基苯基-G d2烷基、d C2 烷基苯基-d Q2垸基、l-萘基-C, d2垸基、2-萘基-C, Cn垸基等。 从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点和耐热性的
平衡出发，优选Q C,2垸氧基苯基-Q d2垸基、d Ci2垸基苯基 -Ci C!2烷基。
芳基烷氧基的碳数通常为7 60左右，优选为7 48，作为其具体例， 可列举出苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧 基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-d d2烷氧基、Q Cu烷氧基 苯基-d d2烷氧基、d C12烷基苯基-d d2烷氧基、l-萘基-Ci Ci2垸氧基、2-萘基-d d2烷氧基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点出发，优选d C12烷氧基苯基-d Cn 垸氧基、C, C,2烷基苯基-d C,2垸氧基。
芳烷硫基的碳数通常为7 60左右，优选为7 48，作为其具体例，
可列举出苯基-d C,2烷硫基、Q Cu烷氧基苯基-d d2烷硫基、 C, d2烷基苯基-d d2垸硫基、l-萘基-d d2垸硫基、2-萘基-d
Cu垸硫基等。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等
观点出发，优选C, d2烷氧基苯基-d Q2烷硫基、Q d2烷基苯 基-C] C]2烷硫基。
芳链烯基的碳数通常为8 60左右，作为其具体例，可列举出苯基-C2
C12链烯基、C, Cu烷氧基苯基-C2 d2链烯基、Q Cu烷基苯基 -C2 C12链烯基、l-萘基-C2 d2链烯基、2-萘基-C2 C,2链烯基等，
从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点和耐热性的
平衡出发，优选C, C!2烷氧基苯基-C2 C,2链烯基、C2 C12烷基苯
基-Q Cn链烯基。
芳炔基的碳数通常为8 60左右，作为其具体例，可列举出苯基-C2
C12炔基、d C12垸氧基苯基-C2 C,2炔基、d C12烷基苯基-C2
C12炔基、l-萘基-C2 Cu炔基、2-萘基-C2 Cu炔基等，从对有机溶剂
的溶解性、元件特性、合成单体的容易度等观点出发，优选d C,2烷氧 基苯基-C2 d2炔基、C2 C12烷基苯基-d d2炔基。
作为取代氨基，可列举出被从烷基、芳基、芳烷基以及1价杂环基中
选出的1或2个基团取代的氨基，该垸基、芳基、芳烷基或者l价杂环基
也可以具有取代基。取代氨基的碳数在不包含该取代基的碳数的情况下为
1 60左右，优选碳数为2 48。
具体地可列举出，甲基氨基、二甲氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙 基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨 基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨 基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3,7-二甲基辛基氨基、月桂 基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯 烷基、哌啶基、二 (三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C, C12 烷氧基苯基氨基、二 (d C12烷氧基苯基)氨基、二 (d Cu烷基苯基)氨基、l-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪 基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-d d2垸基氨基、 C, d2烷氧基苯基-d d2烷基氨基、d C12烷基苯基-d d2烷 基氨基、二 (Q C,2垸氧基苯基-d d2烷基)氨基、二 (C, C12 烷基苯基-d Cn烷基)氨基、l-萘基-C, d2烷基氨基、2-萘基-d Q2烷基氨基等。作为取代甲硅烷基，可列举出被选自烷基、芳基、芳垸基和l价杂环基的1、 2或3个基团取代的甲硅烷基。取代甲硅垸基的碳数通常为1 60 左右，优选碳数为3 48。另外，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基团 也可具有取代基。作为其具体例，可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅垸基、三丙基 甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲 硅垸基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅垸基、己基二甲基甲硅 烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅垸基、2-乙基己基-二甲基甲 硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅垸基、3，7-二甲基辛基-二 甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-Q d2垸基甲硅烷基、Ci C,2垸氧基苯基-d C,2烷基甲硅烷基、d d2烷基苯基-d d2 烷基甲硅垸基、l-萘基-Q d2烷基甲硅烷基、2-萘基-d d2烷基甲硅 烷基、苯基-d d2烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅垸基、三-对二甲苯基甲硅垸基、三苄基甲硅垸基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲 硅垸基、二甲基苯基甲硅垸基等。 作为卤原子，可以列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。酰基的碳数通常为2 20左右，优选碳数为2 18，作为其具体例，可 列举出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟 乙酰基、五氟苯甲酰基等。酰氧基的碳数通常为2 20左右，优选碳数为2 18，作为其具体例， 可列举出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯 甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。作为亚胺残基，也称为亚胺基化合物(分子内具有-N二C-的有机化合 物。作为其例子，可列举出醛亚胺、酮亚胺以及它们的N上的氢原子被烷基等取代的化合物)中除去l个氢原子而形成的残基，通常其碳数为2 20左右，优选碳数为2 18。具体地可列举出以下结构式所示的基团等。酰胺基的碳数通常为2 20左右，优选为2 18，作为其具体例，可列 举出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰 胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰 胺基、二苯甲酰胺基、二 (三氟)乙酰胺基、二 (五氟)苯甲酰胺基等。作为酰亚胺基，可列举出从酰亚胺中除去与其氮原子键合的氢原子而 得到的残基，通常碳数为4 20左右。具体地可列举出以下所示的基团等。1价杂环基是指从杂环化合物中除去1个氢原子而残留下来的原子团， 碳数通常为4 60左右，优选为4 20。需要说明的是，杂环基的碳数不 包括取代基的碳数。此处，杂环化合物是指在具有环式结构的有机化合物 中，构成环的元素不仅包括碳原子，而且也包括在环内含有氧、硫、氮、磷、硼、硅等杂原子。具体地可列举出噻吩基(thienyl)、 d C12垸基噻 吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、Q C,2烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、 异喹啉基等，优选噻吩基、Q d2垸基噻吩基、吡啶基、Q Cn垸基 吡啶基。作为取代羧基，可以举出烷基、芳基、芳烷基或经1价杂环基取代的 羧基，碳原子数通常为2 60左右，优选为2 48，作为其具体例，可以 举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、 异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、 庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、 3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基 羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、 萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。另外，该垸基、芳基、芳烷基或1价的杂 环基可具有取代基。取代羧基的碳数不包含该取代基的碳数。作为上述通式(1)所示的重复单位的具体结构，可以举出下述通式 (1-4) (1-59)所示的结构。需要说明的是，下述通式(1-4) (1-59) 也可具有取代基，从溶解性的观点出发优选具有l个以上的取代基，较优 选具有2个以上。另外，式中的R,表示与上述的R,相同的意义。<formula>formula see original document page 13</formula><formula>formula see original document page 14</formula>在上述通式(O所示的重复单元中，从元件特性、荧光强度等观点出 发，优选下述式(l-l)、 (1-2)、 (l-3)所示的重复单元，较优选下述式(l-l)、 (1-2)所示的重复单元。(1 — 1) (l-2〉 (1一3)[式中，X表示与上述相同的意义，R2表示取代基。ml表示0 3的整 数，m2表示0 5的整数。多个ml和m2分别可相同也可不同，当113存 在多个时，它们可以相同也可以不同。]在上述式(1-1)、 (1-2)、 (1-3)所示的重复单元中，从单体的合成容 易程度、元件特性、荧光强度等观点出发，优选下式(1-A)、 (l-B)、 (l-C) 所示的重复单元。入(1 /〉(1—A) (1-B) (1-C)[式中，X、 R3、 ml、 m2表示与上述具有相同的意义。] 在上述通式(1)、 (1-1)、 (1-2)、 (1-3)、 (l-A)、 (1画B)、 (l-C)中，从荧光强度的观点、元件特性的观点出发，X优选-O-、 -S-、 -s(-o)-、 -S(二 0)2画、画Si(R!)2-、 -B(R,)-、 -O-qR^-,较优选-O-、 -S-、 -Si(R02-、 -0-C(R!)2画，更优选-o-、 -s-。从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成单体的容易程度等观点出发，上述通式(1)的A环和B环具有的取代基，上述式(1-1) (1-3)中 和(l-A) (l-C)中的R3优选为选自垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基 炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰 氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、 硝基、氰基中的基团。这些取代基中所含有的氢原子也可被氟原子取代。上述式(1-1) (1-3)禾P (l-A) (l-C)中的ml和m2从溶解性 的观点出发，ml和m2的和优选为1以上，较优选为2以上。本发明的共聚物除了含有上述通式(1)的重复单元之外，还含有上 述通式(2)所示的重复单元。在上述通式(2)中，Y为-O-、 -S-或-C(二O)-。在Y中，从高分子化 合物的荧光强度出发，优选为-O-、 -S-。 A^表示可具有取代基的芳基或可 具有取代基的l价杂环基，在构成该An的环的原子中，与式中的氮原子 相结合的原子的邻位原子上不结合取代基。R2表示取代基，n表示0 3 的整数。多个的n可以相同也可以不同。当R2存在多个时，它们可以相 同也可以不同。作为R2，优选为选自垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳基垸氧基、芳基垸硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代 氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、硝基、氰基中的基 团。这些取代基所含有的氢原子也可被氟原子取代。作为烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基 垸氧基、芳基垸硫基、芳基链烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅垸基、 卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、 取代羧基的具体例，可以列举作为通式&的具体例子中所举出的上述基 团。这些取代基中，从溶解性、元件特性的观点出发，优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基垸氧基、1价的杂环基， 较优选为烷基、烷氧基、芳基。从合成单体的容易程度的观点出发，对于n,优选为0或者1。作为上述通式(2)所示的重复单元的具体结构，可以举出下述式(2-2) (2-15)所示的结构。需要说明的是，下述式(2-2) (2-15)中，与氮 原子结合的芳基或者杂芳基也可具有取代基。其中，在构成芳基或者杂芳 基的环的原子中，与式中的氮原子结合的原子的邻位不结合取代基。具体 而言，下图中标注"*"的位置不具有取代基。从溶解性的观点出发，该芳基或者杂环基优选具有1个以上的取代基。 另外，式中的R2和n表示与上述相同的意义。<formula>formula see original document page 18</formula>(2-15)上述通式(2)中，从合成单体的容易度， 发，优选具有下述式(2-1)所示的结构。碎性、元件特性等观点出[式中，Y、 R2、 n表示与上述相同的意义，R4表示取代基。] 作为R4，优选为选自垸基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳基垸氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代 氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、硝基、氰基中的基 团。这些取代基中所含有的氢原子也可用氟原子所取代。作为烷基、烷氧 基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、 芳基链烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅垸基、卤素原子、酰基、酰 氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、l价的杂环基、取代羧基的具体例，可以列举作为通式R,的具体例子中所举出的上述基团。这些取代基中， 从溶解性、元件特性的观点出发，优选垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、1价的杂环基，较优选为烷基、烷 氧基，更优选为垸基。作为本发明的共聚物，从荧光强度、元件特性的观点出发，优选上述 通式(1)所示的重复单元为全重复单元的10摩尔％以上、较优选为30 摩尔％以上，更优选为50摩尔％以上，较优选为60摩尔％以上。另外， 从荧光强度、元件特性等观点出发，优选上述通式(2)所示的重复单元 为全重复单元的1摩尔％以上，较优选为10摩尔％以上。另外，从元件 特性的观点出发，上述通式(1)所示的重复单元相对于上述通式(1)所 示的重复单元和上述通式(2)所示的重复单元的总量的比率，优选为40 99摩尔％，较优选为60 90摩尔％。本发明的共聚物也可含有上述通式(1)、 (2)所示的重复单元以外的 重复单元。作为上述通式(1)、 (2)所示的重复单元以外的重复单元，可以举出 下述通式(3)所示的重复单元。-Arr(3)[式中，Ar2表示亚芳基、2价的杂环基、2价的芳香胺基或者具有金属 配位结构的2价基团。]此处，亚芳基是从芳香族径中除去2个氢原子而形成的原子团，包括具有稠环的原子团、2个以上独立的苯环或者稠环直接地或者通过1,2-亚 乙烯基等基团键合而形成的原子团。亚芳基也可以具有取代基。亚芳基中
除了取代基以外的那部分的碳数通常为6 60左右，优选为6 20。另外， 亚芳基中包括取代基在内的总碳数，通常为6 100左右。
作为亚芳基，可列举出亚苯基(例如，下式1 3)、萘-二基(下式4 13)、蒽-二基(下式14 19)、联苯-二基(下式20 25)、三苯-二基(下 式26 28)、稠环化合物基(下式29 35)、芴-二基(下式36 38)、芪-二基(下式39 42)、 二芪-二基(下式43， 44)等。<formula>formula see original document page 21</formula><formula>formula see original document page 22</formula><formula>formula see original document page 23</formula>式1 44中，R表示氢原子或者取代基，作为取代基，可列举出烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基^芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷 基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价的杂 环基、羧基、取代羧基、氰基等。这些取代基中含有的氢原子也可用氟原 子取代。垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基 烷氧基、芳基垸硫基、芳基链烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅垸基、 卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价的杂环基、
取代羧基的具体例可以举出与上述R的具体例相同的基团。从溶解性、 元件特性的观点出发，优选至少1个R为氢原子以外的基团。另外，取代 基较优选垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基 垸氧基、1价的杂环基。较优选烷基、烷氧基、芳基。
2价的杂环基团是指从杂环化合物中除去2个氢原子而剩余的原子 团。该基团也可具有取代基。此处，杂环化合物是指在具有环状结构的有 机化合物中，构成环的元素不仅为碳原子，也包括在环内含有氧、硫、氮、 磷、硼、砷等杂原子。在2价的杂环基团中，优选芳香杂环。2价的杂环 基团中除了取代基以外的那部分碳数通常为3 60左右。另外，包括2价 杂环基的取代基在内的总碳数通常为3 100左右。作为2价杂环基，可列举出例如以下的基团。
含有氮作为杂原子的2价杂环基吡啶-二基(下式45 50)、 二氮杂
亚苯基(下式51 54)、喹啉二基(下式55 69)、喹喔啉二基(下式70 74)、吖啶二基(下式75 78)、联吡啶二基(下式79 81)、菲咯啉二基 (下式82 84)等。
具有咔唑结构的基团(85 87)。
含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的五元环杂环基团(下式88 92)。
含有氧、硅、氮、硒等作为杂原子的五元环稠合杂环基团(下式93 103)。
在含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基中，在该杂 原子的a位上键合而形成2聚物或低聚物的基团(下式104 105)。
在含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基中，在该杂 原子的a位上与苯基键合而形成的基团(下式106 112)。
在含有氧、氮、硫等作为杂原子的5元环稠合杂环基上，被苯基、呋 喃基、噻吩基取代而形成的基团(下式113 118)。<formula>formula see original document page 25</formula><formula>formula see original document page 26</formula>式中R的定义、具体例与上述相同。
作为2价的芳香胺基，可以举出由芳香叔胺衍生的化合物的芳香环中 除去2个氢原子而得到的原子团。2价的芳香胺基团中，从使发光波长变 化的观点，发光效率提高的观点、耐热性提高的观点出发，优选下式(4) 所示的重复单元。<formula>formula see original document page 28</formula>
从寿命等元件特性或合成单体的容易度出发，x优选0 2，较优选O 或者l。另外，从寿命等元件特性或合成单体的容易程度出发，y优选0 2，较优选0或者1。
作为上述通式(4)所示的重复单元的具体例，可以举出以下的(通 式119-126)所示的重复单元。
<formula>formula see original document page 28</formula>RRA B 126
式中的R的定义、具体示例与上述相同。
具有金属络合物结构的2价基团是指从具有有机配体的金属络合物的 有机配体除去2个氢原子后剩余的2价基团。
该有机配体的碳原子数通常为4 60左右，作为具体例子，可以举出 8-羟基喹啉及其衍生物、苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生 物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并卩恶唑及其衍生物、卟啉及其 衍生物等。
另外，作为该络合物的中心金属，例如，可以举出铝、锌、铍、铱、 铂、金、铕、铽等。
作为具有有机配体的金属络合物，可以举出作为低分子荧光材料、磷 光材料的公知的金属络合物、三重态发光络合物等。
作为具有金属络合物结构的2价基团，具体可以示出以下(127 133) 的示例。<formula>formula see original document page 30</formula>本发明的共聚物也可进一步含有下述通式(5)所示的重复单元。
<formula>formula see original document page 31</formula> (5)
式中，XI表示-cR^cr「 、 。R5和^分别各自独立地表示氢
原子、垸基、芳基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基。烷基、芳基、1 价杂环基、取代羧基的具体示例可列举与上述^的具体示例相同的基团。 另外，在不损坏发光特性、电荷输送特性的范周内，本发明的共聚物
也可含有除上述通式(1) (5)所示的重复单元以外的重复单元。另外，
这些重复单元、其它的重复单元可用非共轭的单元连接，在重复单元中也 可含有它们的非共轭部分。作为键合结构，可列举以下所示的结构、和以
下所示的结构中2个以上组合而形成的结构。此处，R为从与上述结构相 同的取代基中选择的基团，Ar表示也可含有杂原子(氧、硫、氮、硅、硼、 磷、硒)、碳原子数为6 60个的烃基。
<formula>formula see original document page 31</formula>
式中的R的定义、具体事例与上述相同。
本发明的高分子化合物可以是无规、嵌段或者接枝共聚物，也可以是 具有它们的中间结构的高分子，例如带有嵌段性的无规共聚物。从获得荧 光或者磷光的量子收率高的高分子发光体的观点考虑，与完全的无规共聚 物相比，优选带有嵌段性的无规共聚物、嵌段或接枝共聚物。也可以含有
在主链上具有支链且具有3个以上末端部的情况、或是树枝状聚合物。
本发明的共聚物聚苯乙烯换算的数均分子量通常为103 108左右，优 选为104 106。另外，按聚苯乙烯换算的重均分子量通常为3xl03 108 左右，从成膜性的观点和在制成元件时效率的观点出发，优选5><104以上，更优选105以上。另外，从溶解性的观点出发，优选10S 5x106。处于优
选范围的共聚物不仅在单独使用于元件的情况下，还是混合两种以上使用 于元件的情况下，效率都高。另外，相同地，从使高分子化合物的成膜性 提高的观点出发，分散度(重均分子量/数均分子量)优选在3以下。
另外，本发明中使用的共聚物的末端基团，如果原封不动地残留聚合 活性基团，则在制成元件时的发光特性和寿命有可能降低，因此，优选用 稳定的基团进行保护。优选具有与主链的共轭结构连续的共轭键的末端结 构，可列举出例如，通过碳-碳键与芳基或者杂环基键合的结构。具体地可
列举出日本特开平9-45478号公报的化10中记载的取代基等。
对于本发明的共聚物而言，通过将它的分子链中的至少一个末端用选 自1价杂环基团、1价芳香胺基、由杂环配位的金属络合物衍生得到的1 价基团或芳基中的芳香族末端基团来封端，从而期待赋予共聚物各种各样 的特性。具体地可以列举出将元件亮度减低所需要的时间变长的效果，将 电荷注入性、电荷输送性、发光特性等提高的效果，共聚物间的相溶性或 者相互作用提高的效果，锚固效果等。
作为本发明的共聚物的优良溶剂，可列举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙 烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲苯、1，2，3，4-四氢化萘、萘垸、正丁 苯等。虽然取决于高分子化合物的结构和分子量，但通常可以使本发明的 高分子化合物在这些溶剂溶解0.1重量％以上。
从荧光强度、元件特性等的观点出发，本发明的共聚物的荧光量子收 率优选50%以上，较优选60%以上，更优选70%以上。
接着，对本发明的共聚物的制造方法进行说明。
具有通式(1)所示的重复单元的高分子化合物，例如，可以使用通 式(6)所示的化合物、和通式(7)所示的化合物作为原料进行聚合而制 得。
(6〉<formula>formula see original document page 32</formula>
作为(6)，通过使用通式(6-1)、 (6-2)、 (6-3)的化合物，可得到具 有通式(1-1)、 (1-2)、 (1-3)所示的重复单元的共聚物。
另外，对于(7)，通过使用通式(7-1)的化合物，可得到具有通式(2-1) 所示的重复单元的共聚物。
通过使用[式中，Yu和Yu表示与聚合相关的脱离基团。Y、 R2、 n、
R4与上述相同]所示的化合物作为原料之一进行聚合而制得。
另外，本发明的共聚物当具有上述通式(1)和(2)以外的重复单元 时，在使成为上述通式(1)和(2)以外的重复单元的、具有与两者聚合 相关的取代基的化合物共存的情况下进行聚合即可。
<formula>formula see original document page 33</formula>在本发明的共聚物中，封末端的共聚物例如，可通过除了使用上述通
式(6)、 (6-1) (6-3)、 (7)、 (7-1)之外，还可使用下述通式(8)、 (9) 所示的化合物作为原料进行聚合来制造。
(8) (9〉
(El、 E2表示具有1价杂环、取代基的芳基、1价芳香胺基、由杂环 配位金属络合物衍生而来的l价基团，Y13、 Y,4各自独立地表示与聚合相 关的脱离基团。)
对于与聚合相关的脱离基团Y, Ym，可以举出卤原子、烷基磺酰氧 基、芳基磺酰氧基、或者由-B(ORu)2 (此处，R 为氢原子或者烷基)所 示的基团。
此处，对于卤原子，可以举出氯原子、溴原子、碘原子，优选氯原子、 溴原子，最优选溴原子。垸基磺酰氧基可以举出可用氟原子取代的三氟甲 烷磺酰氧基等。芳基磺酰氧基可以举出也可用烷基取代的苯磺酰氧基、三
在由-B(ORu)2所示的基团中，Ru为氢原子或者烷基。对于烷基，可 以举出碳原子数通常为1 20左右的甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛 基、十二烷基等。另外，垸基之间相互间也可连接形成环。
-B(ORn)2所示的基团，具体而言，可以举出
oh 》&& ,oc4h9
--b'
、
oh
、,
oca
oc4h9
OCsH
b
0—ch2
0—ch2
、0—CH2
。-~ch2-ch2
优选
-b
oh
-b:
0-CH2
■o—ch2
通常，通式(8)和(9)单体的投料总量相对于通式(6)、 (6-1)(6-3)、 (7)、 (7-1)单体的投料总量为0.1 20mol%，优选为0.2 10mol%。
对于本发明的共聚物的制造方法，可列举出例如由上述该单体利用 Suzuki反应进行聚合的方法(chem.Rev.第95巻，2457页(1995年))、利 用Grignard反应进行聚合的方法(共立出版，高分子機能材料^ !i 一父第 2巻，高分子合成和反应(2)、 432-3页)、利用山本聚合法进行聚合的方 法(Prog.PoIym.Sci.第17巻，1153-1205页，1992年)、通过FeCl3等的氧 化剂进行聚合的方法、电化学氧化聚合的方法(丸善，实验化学讲座第4 版，28巻，339-340页)等。
对采用Suzuki反应的情况进行说明。此时，例如，可通过在Pd (0) 催化剂的存在下使下述单体反应的方式来制造，所述单体为Y,和Y2分别 独立地表示-B(ORu)2 (此处，Rn为氢原子或者烷基)所示的基团、￥3和 Y4分别独立地表示卤原子、垸基磺酰氧基或者芳基磺酰氧基、￥7为 -B(OR )2 (此处，Rn为氢原子或者烷基)所示的基团、Ys为卤原子、垸 基磺酰氧基或者芳基磺酰氧基的单体。
另外，此时，在提供于反应的、需要具有2个脱离基团的2种以上的 单体中的至少一种为具有2个-B(ORu)2 (此处，Rn为氢原子或者烷基) 的单体，至少一种为具有2个卤原子、烷基磺酰氧基或者芳基磺酰氧基的 单体的反应，通常在使以通式(6)、 (6-1) (6-3)、 (7)、 (7-1)所示的 单体反应1 100小时左右后，在该体系中添加单体(9)反应0.5 50小 时左右，再将单体(8)添加到体系内，反应0.5 50小时左右。
对于Pd (0)催化剂，使用例如钯[四(三苯基膦)]、乙酸钯类(例 如，将乙酸钯用三苯基膦衍生物还原而成的催化剂)等，加入相对于单体 为等当量以上、优选为1 10当量的碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等无机碱， 三乙胺等有机碱，氟化铯等无机盐，进行反应。也可以将无机盐制成水溶 液，在2相体系中进行反应。作为溶剂，可列举出N,N-二甲基甲酰胺、甲 苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。反应温度根据溶剂而异，但优选采用50 160。C左右的温度。也可以升温至溶剂的沸点附近，使其进行回流。反应 时间为l小时至200小时左右。另外，通常，聚合反应于氩气、氮等惰性 气体氛围下，在Pd (0)催化剂不钝化的反应体系中进行。对采用山本聚合法的情况进行说明。在此情况下，使用例如，Y,、 Y2、 Y3、 Y4、 ￥7和Ys分别各自独立地表示卤原子、垸基磺酰氧基或者芳基磺
酰氧基的单体，在Ni (0)络合物的存在下使这些单体反应来进行制造。 通常，反应可通过将单体(6)、 (6-1) (6-3)、 (7)、 (7-1)、 (8)、 (9)
全部混合来实施。
聚合在Ni (0)络合物(0价镍络合物)的存在下进行。对于镍络合物， 有直接使用0价镍络合物的方法，以及在还原剂的存在下使镍盐反应在体 系内生成0价镍，来进行反应的方法。作为0价镍络合物，可列举出二(l， 5-环辛二烯)镍(0)、(亚乙基)二 (三苯基膦)镍(0)、四(三苯基膦) 镍等，其中，从通用性和便宜的观点考虑，优选二(l， 5-环辛二烯)镍(0)。 另外，从提高收率的观点考虑，优选添加中性配体。此处，中性配体是指 没有阴离子或阳离子的配体，可列举出2，2，-联吡啶、1， 10-菲咯啉、亚甲 基二嗯唑啉、N，N'-四甲基乙二胺等含氮配体；三苯基膦、三甲苯基膦、三 丁基膦、三苯氧基膦等叔膦配体等；从通用性和便宜的观点考虑，优选含 氮配体；从高反应性、高收率的观点考虑，特别优选2,2'-联吡啶。特别地， 从提高聚合物的收率的观点考虑，优选向含有二 (1，5-环辛二烯)镍(0) 的体系中加入作为中性配体的2，2'-联吡啶而形成的体系。在体系内使0价 镍反应的方法中，作为镍盐，可列举出氯化镍、乙酸镍等。作为还原剂， 可列举出锌，氢化钠，肼及其衍生物，氢化锂铝等，除此之外，可以根据 需要，使用作为添加物的碘化铵、碘化锂、碘化钾等。对于聚合溶剂，只 要是不阻碍聚合的物质则没有特别的限定，但是优选含有1种以上的芳香 烃和/或醚系溶剂。此处，对于芳香烃，可以举出例如，苯、甲苯、二甲苯、 三甲苯、四甲苯、丁苯、萘、1，2，3，4-四氢化萘等。优选甲苯、二甲苯、1，2，3,4謹 四氢化萘、四甲苯。另外，对于醚系溶剂，例如，可以举出二异丙醚、四 氢呋喃、1,4-二嗯烷、二苯基醚、乙二醇二甲醚、正丁基甲醚等，对高分 子化合物良好的溶剂。优选四氢呋喃、1，4-二隨烷。溶剂中，最优选四氢 呋喃。另外，从改善聚合性、溶解性的观点出发，作为溶剂，只要是不阻 碍聚合反应的溶剂，也可使用芳香烃系溶剂和/或醚系溶剂与除芳香烃系溶 剂和醚系溶剂以外的溶剂的混合溶剂。
反应操作等例如，可以日本特开2000-44544号公报中所述的方法来进行。在山本聚合法中，例如，聚合反应通常是在氩气、氮气等惰性气体环 境下，于在四氢呋喃的溶剂中，在6(TC的温度下，于0价镍络合物、中心
配体的存在下进行的。聚合时间通常为0.5 100小时左右，从制造成本的 观点出发，优选10小时以内。聚合温度通常为0 200'C，从高收率、低 加热费的观点出发，优选20 100"C。
另外，当使用中心配体时，对于其使用量，从反应收率和成分的点出 发，相对于lmol的0价镍络合物，优选为0.5 10mol左右，较优选0.8 1.5mol，更优选0.9 l.lmol。
0价镍络合物的使用量只要在不阻碍聚合反应的范围内，没有特别的限 定，但使用量过少则分子量有降低的倾向，使用量过大则后处理有繁杂的 倾向。因此，相对于lmol单体，优选为0.1 10mol，较优选l 5mol， 更优选为L7 3.5mo1。
在将本发明的共聚物用于高分子LED的场合，由于其纯度对发光特性 等元件的性能有影响，因此，优选采用蒸馏、升华精制、重结晶等方法对 聚合前的单体进行精制后，再进行聚合。另外，聚合后，优选采用再沉淀 精制、色谱法等分别进行纯化处理。本发明的高分子化合物中，从高分子 LED的寿命、发光起始电压、电流密度、驱动时的电压上升等元件特性、 或者耐热性的观点出发，优选通过聚合镍0价络合物的方法制造得到的化 合物。
本发明的高分子组合物的特征在于，含有选自空穴输送材料、电子输 送材料和发光材料中的至少1种的材料和本发明的共聚物。空穴输送材料、 电子输送材料、发光材料中的至少一种的材料和本发明的高分子化合物的 含有比率根据用途决定即可。
用于混合的空穴输送性材料、电子输送性材料、发光材料，可以使用 公知的低分子化合物、三重态发光络合物、或者高分子化合物，但优选使 用高分子化合物。作为高分子化合物的空穴输送性材料、电子输送性材料 和发光材料，可列举出在W099 / 13692、 W099/48160、 GB2340304A、 WO00 / 53656、 WO01 / 19834、 WO00 / 55927、 GB2348316、 WO00 / 46321、 WO00 / 06665、 W099 / 54943、 W099 / 54385、 US5777070、 W098 / 06773、 W097 / 05184、 WO00 / 35987、 WO00 / 53655、 WO01/ 34722、 W099 / 24526、 WO00 / 22027、 WO00 / 22026、 W098 / 27136、 US573636、 W098 / 21262、 US5741921、 W097 / 09394、 W096 /29356、 W096 / 10617、 EP0707020、 W095 / 07955、日本特开平2001-181618、 日本特开平2001-123156 、日本特开平2001-3045 、日本特开平 2000-351967、日本特开平2000-303066、日本特开平2000-299189、日本 特开平2000-252065、日本特开平2000-136379、日本特开平2000-104057、 日本特开平2000-80167、日本特开平10-324870、日本特开平10-114891、 日本特开平9-111233、日本特开平9-45478等中公开的聚芴、其衍生物和 共聚物、聚亚芳基、其衍生物和共聚物、聚亚芳基1，2-亚乙烯基、其衍生 物和共聚物、芳香族胺及其衍生物的(共)聚合物。
作为低分子化合物的荧光性材料，可以使用例如萘衍生物、蒽或其衍 生物、茈或其衍生物、聚甲炔系、咕吨系、香豆素系、花青系等色素类； 8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯或其衍 生物、或者四苯基丁二烯或其衍生物等。
具体地，可以使用例如日本特开昭57-51781号、日本特开昭59-194393 号公报中记载的荧光性材料等以及公知的荧光性材料。
对于三重态发光络合物，可列举出例如，以铱作为中心金属的Ir(ppy)3、 Btp2Ir(acac);以铂作为中心金属的PtOEP;以铕作为中心金属的 Eu(TTA)2phen等<formula>formula see original document page 39</formula>
作为三重态发光络合物，具体地，在例如Nature, (1998)，395，151 、 Appl. Phys. Lett. (1999)，75(1),4 、 Proc.SP正-Int.Soc.Opt. Eng. (2001). 4105(Organic Light-Emitting Materials and Devices IV), 119、 J. Am. Chem. Soc.， (2001), 123， 4304、 Appl. Phys, Lett.， (1997)， 71(18), 2596、 Syn. Met" (1998)， 94(1)， 103、 Syn. Met" (1999)， 99(2)， 1361、 Adv. Mater" (1999)， 11(10)， 852、 Jpn丄Appl.Phys.,34, 1883 (1995)等中有记载。
接着，对本发明的溶液进行说明。使用本发明的溶液(油墨组合物)， 利用印刷法等可将高分子LED用的薄膜成膜。本发明的溶液中含有至少 一种本发明的共聚物即可，另外，也可含有本发明的共聚物以外的空穴输 送材料、电子输送材料、发光材料、溶剂、稳定剂等添加剂。
本发明的高分子化合物在该油墨组合物中的比例，相对于除了溶剂以 外的组合物的总重量而言，通常为20wt% 100wt%，优选为40wt% 100wt%。
另外，在油墨组合物中的溶剂的比例，相对于组合物的总重量而言， 为lwt% 99.9wt%，优选为60wt% 99.5wt%，更优选为80wt% 99.0wt%。
油墨组合物的粘度根据印刷法而异，在喷墨印刷法等中经由喷出装置 喷出油墨组合物时，为了防止喷出时堵塞喷孔和防止飞行偏离，粘度优选 在25。C时为2 20mPa s的范围，更优选为5 20mPa s的范围，进一 步优选为7 20mPa s的范围。本发明的溶液中，除了本发明的聚合物以外，还可以含有用于调节粘 度和/或表面张力的添加剂。作为该添加剂，可以将用于提高粘度的高分 子量的高分子化合物(增粘剂)或不良溶剂、用于降低粘度的低分子量的 化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等适宜组合使用。
作为上述的高分子量的高分子化合物，只要是与本发明高分子化合物 在同样的溶剂中为可溶性并且不损害发光和电荷输送的即可。例如，可以 使用高分子量的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、或者本发明的高分子化合 物中分子量大的化合物等。另外，也可以将不良溶剂作为增粘剂使用。艮P， 通过少量添加对于溶液中的固形物为不良的溶剂，可以提高粘度。其目的 是，在添加不良溶剂的场合，在不使溶液中的固形物析出的范围内，只要 选择溶剂的种类和添加量即可。如果还考虑保存时的稳定性，则不良溶剂
的量相对于溶液全体而言，优选为50wt^以下，更优选为30wt^以下。
另外，为了改善保存稳定性，本发明的溶液中，除了本发明的共聚物 以外，还可以含有抗氧化剂。作为抗氧化剂，只要是与本发明共聚物在同 样的溶剂中为可溶性并且不损害发光和电荷输送的即可，可列举出酚系抗 氧化剂、磷系抗氧化剂等。
作为本发明的溶液中所含有的溶剂，优选能够使本发明共聚物溶解或 者均匀分散的溶剂。作为该溶剂，可列举出氯仿、二氯甲垸、1,2-二氯乙 烷、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯代烃类溶剂；四氢呋喃、二嗯烷
等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃类溶剂；环己烷、甲基环己烷、正 戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸垸等脂肪族烃类溶剂；丙 酮、丁酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯 等酯类溶剂；乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基 醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲垸、三甘醇单乙基醚、甘油、1， 2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇 类溶剂；二甲亚砜等亚砜类溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N， N-二甲基甲酰 胺等酰胺类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用，也可以多种组合起 来使用。上述溶剂中，优选其中至少含有下述的有机溶剂，该有机溶剂具 有至少含有1个苯环的结构、且其熔点为O"C以下、沸点为IO(TC以上。 作为溶剂的种类，从对有机溶剂的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等观点考虑，优选芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系 溶剂。
从成膜性的观点或元件特性等观点出发，溶液中的溶剂的种类优选两 种以上。
溶液中含有的本发明的高分子化合物，可以是1种，也可以是2种以 上，也可以在不损害元件特性等的范围内含有本发明的高分子化合物以外 的高分子化合物。
本发明的溶液中，也可以在1 1000ppm的范围内含有水、金属及其
盐。作为金属，具体地可列举出锂、钠、钙、钾、铁、铜、镍、铝、锌、
铬、锰、钴、铂、铱等。另外，也可以在1 1000ppm的范围内含有硅、 磷、氟、氯、溴。
使用本发明的溶液，可以采用旋转涂布法、流延法、微凹版涂布法、 凹版涂布法、棒涂布法、辊涂法、拉丝锭涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网 印刷法、柔版印刷法(flexo printing method)、平版胶印法、喷墨印刷法等 方法来制作薄膜。其中，本发明的溶液优选使用于采用丝网印刷法、柔版 印刷法、平版胶印法、喷墨印刷法等方法来成膜的用途中，较优选使用于 采用喷墨印刷法来成膜的用途中。
接着，对本发明的薄膜进行说明。对于薄膜的种类，可列举出发光性 薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜。
从元件的亮度或发光电压等的观点出发，发光性薄膜的发光的量子吸 收率优选为50%以上，较优选为60%以上，更优选为70%以上。
导电性薄膜，优选其表面电阻为lKQ/口以下。通过向薄膜中掺杂路 易斯酸、离子性化合物等，可以提高电导率。表面电阻更优选为100Q/n 以下，更优选为10Q/口。
本发明的有机半导体薄膜，电子迁移率和空穴迁移率中较大的一方优 选为l(T5cm2/V/秒以上。更优选为l(T3cm2 / V/秒以上，更优选为
ictW /v/秒以上。
通过在形成了 Si02等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成该有机半导体 薄膜，并用Au等形成源电极和漏电极，可以制成有机晶体管。 采用有机半导体薄膜，可制作成有机晶体管。接着，对本发明的共聚物的用途进行说明。
本发明的共聚物通常在固体状态下具有荧光或者磷光，可以作为高分 子发光体(高分子量的发光材料)使用。
另外，该高分子化合物具有优良的电荷输送功能，适合作为高分子
LED用材料或者电荷输送材料使用。使用该高分子发光体的高分子LED 是能够以低电压、高效率驱动的高性能的高分子LED。因此，该高分子 LED可以用于液晶显示器的背光、或者作为照明用的曲面状或平面状的光 源、分段式的显示器件、点矩阵的平板显示器等装置。
另外，本发明的共聚物还可以作为激光用色素、有机太阳电池用材料、 有机晶体管用的有机半导体、导电性薄膜、有机半导体薄膜等传导性薄膜 用材料使用。
进而，还可以作为发出荧光或磷光的发光性薄膜材料使用。 下面说明本发明的高分子LED。
本发明的高分子LED的特征是，在由阳极和阴极构成的电极间，具有 有机层，该有机层含有本发明的共聚物。
有机层(含有有机物的层)可以是发光层、空穴输送层、电子输送层 等中的任一种，有机层优选为发光层。
此处，发光层是指具有发光功能的层；空穴输送层是指具有输送空穴 功能的层；电子输送层是指具有输送电子功能的层。需要说明的是，将电 子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子输 送层可以各自独立地使用2层以上。
在有机层含有发光层的情况下，该有机层即发光层也可以进一步含有 空穴输送材料、电子输送材料或者发光材料。此处，发光材料是指显示出 荧光和/或磷光的材料。
在将本发明的共聚物与空穴输送性材料混合的情况下，空穴输送性材 料相对于该混合物整体的混合比例为lwt^ 80wt^，优选为5wt% 60wt %。在将本发明的高分子化合物与电子输送性材料混合的场合，电子输送 性材料相对于该混合物整体的混合比例为lwt^ 80wt^，优选为5wtX 60wt%。进而，在将本发明的高分子化合物与发光材料混合的情况下，发 光材料相对于该混合物整体的混合比例为lwt^ 80wt^，优选为5wt% 60wt%。在将本发明的高分子化合物与发光材料、空穴输送性材料和/或 电子输送性材料混合的情况下，发光材料相对于该混合物整体的混合比例
为lwt% 50wt%，优选为5wt% 40wt%;空穴输送性材料与电子输送 性材料按它们的合计量计为lwt% 50wt%，优选为5wt% 40wt%;本 发明的高分子化合物的含有量为99wtQ% 20wt%。
本发明的作为具有高分子LED的发光层的膜厚，最佳值根据所使用的 材料而异，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值来选择即可， 例如，为lnm l^im，优选为2nm 500nm，更优选为5nm 200nm。
作为发光层的形成方法，可列举出例如，按照由溶液成膜的方法。作 为由溶液成膜的方法，可以采用旋转涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹 版涂布法、棒涂布法、辊涂法、拉丝锭涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印 刷法、柔版印刷法、平版胶印法、喷墨印刷法等涂布法。从容易形成图案 和分别涂布多种发光颜色的观点考虑，优选丝网印刷法、柔版印刷法、平 版胶印法、喷墨印刷法等印刷法。
本发明的高分子发光元件，从元件的亮度等观点考虑，当在阳极和阴 极之间施加3.5V以上的电压时的最大外部量子收率优选为1%以上，更优 选为1.5%以上。
另外，本发明的高分子发光元件(以下，称为高分子LED)可列举出 在阴极与发光层之间设置有电子输送层的高分子LED;在阳极与发光层之 间设置有空穴输送层的高分子LED;在阴极与发光层之间设置有电子输送 层、且在阳极与发光层之间设置有空穴输送层的高分子LED等。
例如，具体地，可列举出以下的a) d)的结构。
a) 阳极/发光层/阴极
b) 阳极/空穴输送层/发光层/阴极
c) 阳极/发光层/电子输送层/阴极
d) 阳极/空穴输送层./发光层/电子输送层/阴极 (此处，/表示各层相邻并被层叠在一起。以下同样。) 作为本发明的高分子LED，还包括本发明的高分子化合物被含有在空
穴输送层和/或电子输送层中而形成的高分子。
在本发明的高分子化合物用于空穴输送层中的场合，优选本发明的高分子化合物为含有空穴输送性基团的高分子化合物，作为其具体例，可列 举出与芳香族胺的共聚物、与芪的共聚物等。
另外，在本发明的高分子化合物用于电子输送层的场合，优选本发明 的高分子化合物为含有电子输送性基团的高分子化合物，作为其具体例， 可列举出与職二唑的共聚物、与三唑的共聚物、与喹啉的共聚物、与喹喔
啉的共聚物、与苯并噻二唑的共聚物等。
在本发明的高分子LED具有空穴输送层的场合，作为所使用的空穴输 送性材料，可列举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧 链或者主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍 生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍 生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)或其衍生物、或
者聚(2，5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或其衍生物等。
具体地，作为该空穴输送性材料，可列举出在日本特开昭63-70257号 公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本 特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992 号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的那些空穴输送性材料等。
其中，作为用于空穴输送层的空穴输送性材料，优选聚乙烯基咔唑或 其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或者主链上具有芳香族胺化合物基 团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚 苯基1，2-亚乙烯基)或其衍生物、或者聚(2，5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或 其衍生物等高分子空穴输送性材料，进一步优选为聚乙烯基咔唑或其衍生 物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或者主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生 物。
另外，作为低分子化合物的空穴输送性材料，可列举出吡唑啉衍生物、 芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物。在低分子的空穴输送性材 料的场合，优选使其分散于高分子粘合剂中来使用。
为混合的高分子粘合剂，优选不会明显损害电荷输送的粘合剂，而且 优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可列举出 聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚 苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、 聚氯乙烯、聚硅氧垸等。
聚乙烯基咔唑或其衍生物，可以通过例如由乙烯基单体进行阳离子聚 合或者自由基聚合来得到。
作为聚硅烷或其衍生物，可列举出在Chem.Rev.，第89巻，1359页(1989 年)、英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也 可以采用这些文献中记载的方法，特别优选采用Kipping法。
聚硅氧垸或其衍生物由于在其硅氧垸骨架结构中几乎没有空穴输送 性，因此优选使用在侧链或者主链上具有上述低分子空穴输送性材料的结 构的物质。特别地，可列举出在侧链或者主链上具有空穴输送性的芳香族 胺的物质。
对于空穴输送层的成膜方法虽然没有限制，但对于低分子空穴输送性 材料，可列举出由其与高分子粘合剂的混合溶液进行成膜的方法。另外，
对于高分子空穴输送性材料，可列举出由溶液成膜的方法。
作为由溶液成膜所使用的溶剂，优选能够溶解或者均匀分散空穴输送 性材料的溶剂。作为该溶剂，可列举出氯仿、二氯甲烷、1， 2-二氯乙垸、 1，1,2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二嚼烷等醚类溶 剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃类溶剂；环己烷、甲基环己垸、正戊垸、正 己烷、正庚垸、正辛烷、正壬烷、正癸垸等脂肪族烃类溶剂；丙酮、丁酮、 环己酮等酮类溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂; 乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基 乙垸、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多 元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇类溶剂；二甲 亚砜等亚砜系溶剂;N-甲基-2-吡咯垸酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺类溶剂。 另外，这些有机溶剂可以单独使用，也可以多种组合使用。
作为由溶液成膜的方法，可以采用由溶液进行的旋转涂布法、流延法、 微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂布法、辊涂法、拉丝锭(wire bar coat)、 涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、平版胶印法、喷墨 印刷法等涂布法。
作为空穴输送层的膜厚，最佳值根据所使用的材料而异，虽然只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值来选择即可，但必须达到至少不 发生针孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压过高，因此不好。因此，
作为空穴输送层的膜厚，例如为lnm l(im，优选为2nm 500nm，更优 选为5nm 200nm。
在本发明的高分子LED具有电子输送层的场合，作为所使用的电子输 送性材料，可以使用公知的材料，可列举出嗯二唑衍生物、蒽醌二甲烷或 其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基 蒽醌二甲垸或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二 酚醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生 物、聚喹喔啉或其衍生物、聚銜或其衍生物等。
具体地，可列举出在日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭 63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361 号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、曰本 特开平3-152184号公报中记载的那些材料等。
其中，优选瞎二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者 8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其 衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l,3,4-P恶 二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法没有特殊限制，对于低分子电子输送性材料， 可列举出以粉末为原料的真空蒸镀法、或者由溶液或者熔融状态成膜的方 法；对于高分子电子输送材料，可列举出由溶液或者熔融状态成膜的方法。 在由溶液或者熔融状态进行成膜时，也可以合并使用上述的高分子粘合 剂。
作为用于由溶液成膜的溶剂，优选可以溶解或者均匀分散电子输送材 料和/或高分子粘合剂的溶剂。作为该溶剂，可列举出氯仿、二氯甲烷、 1，2-二氯乙垸、1，1,2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯代径类溶剂；四氢呋 喃、二嚼垸等醚类溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃类溶剂；环己烷、甲基 环己垸、正戊烷、正己垸、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃 类溶剂；丙酮、丁酮、环己酮等酮类溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶 纤剂乙酸酯等酯类溶剂；乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、 甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环
己醇等醇类溶剂；二甲亚砜等亚砜类溶剂；N-甲基-2-吡咯垸酮、N,N-二甲 基甲酰胺等的酰胺类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用，或者也可 以多种组合起来使用。
作为由溶液或者熔融状态成膜的方法，可以采用旋转涂布法、流延法、 微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂布法、辊涂法、拉丝锭涂布法、浸涂法、 喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、平版胶印法、喷墨印刷法等涂布法。
本发明的高分子化合物，通常也可作为高分子场效应晶体管使用。对 于高分子场效应晶体管的结构，通常只要按照源电极和漏电极与由高分子 构成的活性层接触的方式设置，进而按照夹持住与活性层接触的绝缘层的 方式设置栅电极即可。
高分子场效应晶体管通常在支持基板上形成。作为支持基板的材质， 只要不损害作为场效应晶体管的特性就没有特殊限制，也可以使用玻璃基 板或是挠性的薄膜基板或是塑料基板。
场效应晶体管可以采用公知的方法，例如日本特开平5-110069号公报 记载的方法来制造。
在形成活性层时，使用有机溶剂可溶性的高分子在制造上是非常有利 的，因此是优选的。作为通过将高分子溶解于有机溶剂中而形成的溶液进 行成膜的方法，可以使用旋转涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布 法、棒涂布法、辊涂法、拉丝锭涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、 柔版印刷法、平版胶印法、喷墨印刷法等的涂布法。
优选在制成高分子场效应晶体管后进行密封而形成的密封高分子场效 应晶体管。由此，高分子场效应晶体管可以阻隔大气，抑制高分子电场晶 体管特性的降低。
作为密封的方法，可列举出用UV固化树脂、热固化树脂或是无机 SiONx膜等进行覆盖的方法，用UV固化树脂、热固化树脂等贴合玻璃板 或薄膜的方法等。由于能够有效地阻隔大气，因此优选使高分子场效应晶 体管在制成后至密封为止的工序在不暴露于大气中的条件下(例如，在干 燥的氮气氛中、真空中等)进行。作为电子输送层的膜厚，最佳值根据所使用的材料而异，虽然只要按 照能使驱动电压和发光效率达到适度的值来选择即可，但必须达到至少不 发生针孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压过高，因此不好。因此，
作为该电子输送层的膜厚，例如为lnm lium，优选为2nm 500nm，更 优选为5nm 200nm。
另外，在与电极相邻设置的电荷输送层中，具有能够改善从电极注入 电荷的效率的功能、并且具有降低元件驱动电压的效果的电荷输送层，通 常有时也被称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
进而，为了提高与电极的密合性和改善从电极注入电荷，也可以与电 极相邻地设置上述的电荷注入层或者膜厚在2nm以下的绝缘层，另外，为 了提高界面的密合性和防止混合等，也可以在电荷输送层和发光层的界面 插入薄的缓冲层。
关于进行层叠的层的顺序和层数、以及各层的厚度，可以考虑发光效 率和元件寿命来适宜确定。
本发明中，作为设置有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高 分子LED，可列举出与阴极相邻设置有电荷注入层的高分子LED、与阳 极相邻设置有电荷注入层的高分子LED。
例如，具体地，可列举出以下的e) p)的结构。
e) 阳极/空穴注入层/发光层/阴极
f) 阳极/发光层/电子注入层/阴极
g) 阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极
h) 阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/阴极
i) 阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
j)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
k)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/阴极
1)阳极/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
m)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
n)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
p)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
作为本发明的高分子LED，如上所述，还包括本发明的高分子化合物 被包含在空穴输送层和/或电子输送层中的LED。
另外，作为本发明的高分子LED，还包括本发明的高分子化合物被包 含在空穴注入层和/或电子注入层中的LED。在本发明的高分子化合物用 于空穴注入层的场合，优选与电子接受性化合物同时使用。另外，在本发 明的高分子化合物用于电子输送层的场合，优选与电子供给性化合物同时 使用。此处，为了同时使用，有混合、共聚、作为侧链引入等方法。
作为电荷注入层的具体例，可列举出含有导电性高分子的层；在阳极 与空穴输送层之间设置的、含有一种具有处于阳极材料与空穴输送层中所 含有的空穴输送性材料的中间值的电离电位的材料的层；在阴极与电子输 送层之间设置的、含有一种具有处于阴极材料与电子输送层中所含有的电 子输送性材料的中间值的电子亲合力的材料的层等。
在上述电荷注入层为含有导电性高分子的层的场合，该导电性高分子 的电导率优选为1(TSS/cm以上至103以下，为了减小发光像素间的漏电 流，更优选为1(T5S/Cm以上至102以下，更优选为10_5S/cm以上至 101以下。
在上述电荷注入层为含有导电性高分子的层的场合，该导电性高分子 的电导率优选为10-5S / cm以上至103S / cm以下，为了减小发光像素间 的漏电流，更优选为l(T5S/cm以上至102S/cm以下，进一步优选为 IO-5 S / cm以上至101 S / cm以下。
通常情况下，为了使该导电性高分子的电导率为1(T5S / cm以上至103 以下，向该导电性高分子中掺杂适量的离子。
掺杂离子的种类，如果是空穴注入层，就是阴离子；如果是电子注入 层，就是阳离子。作为阴离子的例子，可列举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基 苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等；作为阳离子的例子，可列举出锂离子、钠 离子、钾离子、四丁基铵离子等。
作为电荷注入层的膜厚，例如为lnm 100nm，优选为2nm 50nm。
用于电荷注入层的材料，只要按照其与电极或相邻层的材料的关系适 宜地选择即可，可列举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯及其衍生物、 聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或者侧链上含有芳香族 胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。
膜厚2nm以下的绝缘层具有使电荷注入变得容易的功能。作为上述绝
缘层的材料，可列举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为
设置有膜厚2nm以下的绝缘层的高分子LED,可列举出与阴极相邻地设 置有膜厚2nm以下的绝缘层的高分子LED、与阳极相邻地设置有膜厚2nm 以下的绝缘层的高分子LED。
具体地，可列举出例如，以下的q) ab)的结构。
q)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极
s)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层
t)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极
u)阳极/空穴输送层/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极
v)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/膜厚2nm
以下的绝缘层/阴极
w)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极
x)阳极/发光层/电子输送层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极
y)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/膜厚2nm
以下的绝缘层/阴极
z)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层
/阴极
aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚2nm以下的绝缘
S ab)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送 层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极
作为本发明的高分子LED，可列举出在上述a) ab)所列举的元件结 构中，在空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层中 的任一种中含有本发明的高分子化合物的LED。形成本发明的高分子LED的基板，只要是在形成电极和形成有机物的 层时不会发生变化的即可，可列举出例如玻璃、塑料、高分子薄膜、硅基 板等。在不透明基板的场合，优选反向的电极优选为透明或者半透明的。
通常，本发明的高分子LED所具有的阳极和阴极的至少一方为透明或
者半透明的。优选是阳极侧为透明或者半透明的。
作为该阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属 薄膜等。具体地，可以使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、以及它们的复合
体的铟 锡 氧化物(ITO)、铟 锌 氧化物等构成的导电性玻璃制成的 膜(NESA等)、或是金、钼、银、铜等，优选ITO、铟 锌 氧化物、氧 化锡。作为制作方法，可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀覆法 等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物等有机的透明导电膜。
阳极的膜厚，可以根据光的透过性和电导率来进行适宜选择，例如为 10nm 10)^m，优选为20nm l(im，更优选为50nm 500nm。
另外，为了在阳极上容易注入电荷，也可以设置由酞菁衍生物、导电 性高分子、碳等构成的层、或者由金属氧化物、金属氟化物、或是有机绝 缘材料等构成的平均膜厚为2nm以下的层。
作为本发明的高分子LED中使用的阴极材料，优选功函数小的材料。
可以使用例如，锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、 锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，它们当中2种以上的合金，或 者由它们当中l种以上与金、银、钼、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的 l种以上生成的合金，石墨或者石墨层间化合物等。作为合金的例子，可 列举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁 合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。也可以将阴极制成2层以上的层叠结构。
阴极的膜厚，可以根据电导率和耐久性来进行适宜选择，例如为 10nm 10fim，优选为20nm ljim，更优选为50nm 500nm。
作为阴极的制作方法，可以采用真空蒸镀法、溅射法、或者将金属薄 膜热压合的层叠法等。另外，也可以在阴极与有机物层之间，设置由导电 性高分子构成的层，或者由金属氧化物或是金属氟化物、有机绝缘材料等 构成的平均膜厚为2nm以下的层，也可以在制作阴极后，设置用于保护该高分子LED的保护层。为了使该高分子LED能够长期稳定地使用，优选
设置保护层和/或保护覆盖层，以使其从外部保护元件。
作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、 金属硼化物、金属氮化物、金属无机混合材料等。另外，作为保护覆盖层， 可以使用玻璃板、对表面施行了低透水率处理的塑料板等，优选采用用热 固化树脂或光固化树脂将该覆盖层与元件基板贴合在一起并密闭的方法。 如果使用隔离件来维持空间，则可以容易地防止元件受损伤。如果向该空 间内封入氮或氩等惰性气体，就可以防止阴极氧化，进而通过在该空间内 设置氧化钡等干燥剂，就可以容易地抑制在制造工序中吸附的水分损害元 件。其中，优选采取任何l种以上的方法。
本发明的高分子LED可以作为面状光源、分段式显示装置、点矩阵显 示装置、液晶显示装置的背光使用。
为了使用本发明的高分子LED来得到面状的发光，只要将面状的阳极
和阴极重合来配置即可。另外，为了得到图案状的发光，有这样一些方法 在上述面状发光元件的表面上设置有图案状窗口的掩模的方法；形成很厚 的非发部分的有机物层，从而使其实际上不发光的方法；将阳极或者阴
极中的任一方、或者双方的电极形成图案状的方法。采用其中任一种方法 形成图案，通过按照能够使某些电极独立地进行开/关的方式进行配置， 即可以获得一种能够显示数字、文字或简单记号等的分段式显示元件。进 而，为了制作点矩阵元件，只要将阳极与阴极均形成带状并按照相互垂直 交叉的方式配置即可。采用分别涂布多种发光颜色不同的高分子荧光体的 方法、使用滤色器或者荧光变换过滤器的方法，可以制成显示部分彩色、
显示多种颜色的装置。点矩阵元件也可以采用无源驱动，也可以与TFT等 组合起来采用有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、移动终端、 移动电话、卫星导航系统、摄像机的取景器等显示装置使用。
进而，上述平面状的发光元件是自发光薄型的，可以适宜作为液晶显 示装置的背光用的平面状光源、或者平面状的照明用光源使用。另外，如 果使用挠性的基板，也可以作为曲面状的光源或显示装置使用。
下面，为了更详细地说明本发明，示出实施例，但本发明并不限定与此。(数均分子量和重均分子量) 此处，关于数均分子量和重均分子量，使用GPC (岛津制作所制-LC-10Avp)求出按聚苯乙烯换算的数均分子量和重均分子量。将测定的聚
合物溶解在四氢呋喃中使其约0.5wt^的浓度，注50)iL至GCP中。GCP 的流动相使用四氢呋喃，使其以0.6mL/min的流速流动。作为色谱柱， 将2根TSKgel Super服-H (Tosoh Corp.制)与1根TSKgel SuperH2000 (TosohCorp.制)串联地连接。作为检测器，使用差示折射率检测器(岛 津制作所制RID-10A)。
合成例1 (DBF的合成)
DBF可通过日本特开2004-59899所记载的以下的方法合成。 在惰性气氛下，向三口烧瓶中加入苯并呋喃，在室温下搅拌、溶解后， 升温至75"C。升温后，将溴经醋酸稀释之后滴下。滴下终止后，保持温度 搅拌3小时，冷却。用TLC确认原料没了之后，加入硫代硫酸钠水使反 应终止，在室温下搅拌1小时。搅拌后进行过滤，滤出滤渣，再用硫代硫 酸钠水、水洗涤之后，干燥。将得到的粗产物用己垸重结晶，得到化合物 A-l。
化合物A—l<formula>formula see original document page 53</formula>
在惰性气体中，向四口烧瓶中加入化合物A-l和四氢呋喃，冷却至 -78°C。滴入正丁基锂〈1.6mo1/1己烷溶液>，然后保持温度搅拌l小时。将 该反应液滴入至惰性气体氛围下加入到四口烧瓶中的三甲氧基硼酸和四 氢呋喃并冷却至-78。C的物质中，滴下终止后，慢慢升温至室温，在室温下 搅拌2小时。将反应后的物质注入至装有浓硫酸和水的烧杯中，使反应终 止。加入甲苯，提取有机层，进一步加入水进行洗涤。蒸馏除去溶剂后， 将其同乙酸乙酯一起加入至四口烧瓶中，接着加入305^的过氧化氢水，在 4(TC下搅拌2个小时。将该反应液注入至装有硫酸铵铁(II)和水的水溶 液的烧杯中。搅拌，提取出有机层，将有机层用水洗涤。通过除去溶剂即得到化合物A-2。
化含物A— 2
在惰性气体氛围中，将化合物A-2和N,N-二甲基甲酰胺加入至四口烧 瓶中，在室温下搅拌、溶解之后加入碳酸钾，升温至IO(TC。升温后，滴 入溴化正辛烷经N，N-二甲基甲酰胺稀释之后的物质。滴下终止后，升温至 60°C，保持原温度搅拌2小时。加入水使反应终止，接着加入甲苯，提取 出有机层，将有机层用水洗涤两次。用无水硫酸钠干燥，蒸馏除去溶剂。 用硅胶柱精制得到的粗产物，即得到化合物A-3。
化合物A— 3
在惰性氛围中，将化合物A-3和N,N-二甲基甲酰胺加入至四口烧瓶中， 室温下搅拌、溶解后，在冰浴中冷却。冷却后，加入N-溴丁二酰亚胺经 N,N-二甲基甲酰胺稀释之后的物质。滴下终止后，在冰浴中放置l小时、 室温下18.5小时，升温至4(TC，保持该温度搅拌6.5小时。除去溶剂，加 入甲苯溶解后，将有机层用水洗涤3次。用无水硫酸钠干燥后，除去溶剂。 将所得到的产物分别用硅胶柱和液相色谱精制，即得到DBF。
(单体DBF)
合成例2 (POZ合成)
POZ通过WO2004/60970号小册子记载的以下的方法合成而得到。 在三口圆底烧瓶中加入醋酸钡、三-邻甲苯基膦和甲苯，在室温下搅拌 20分钟。接着，加入吩嗯嗪、l-溴-4-丁基苯、叔丁氧钠(sodium-t-butoxide) 和甲苯，在油浴中加热，回流15小时。冷却后，加入浓硫酸，搅拌1小时，接着，将溶液通过中性氧化铝柱。用甲苯洗涤柱子，用旋转式蒸发仪 除去溶剂，得到黄色的固体。将固体由甲苯/甲醇重结晶，得到N-(4-正丁 基苯基)吩螺嗪。
在三口圆底烧瓶中加入N-(4-正丁基苯基)吩嗯嗪和二氯甲垸，保持在冰
浴中。在混合溶液中滴入二甲基甲酰胺中的N-溴丁二酰亚胺溶液。将反应 混合物调至室温，搅拌2小时。将反应混合物用2N的盐酸洗涤3次，通 过中性的氧化铝柱。用甲苯洗涤柱子，用旋转式蒸发仪除去溶剂，得到黄 色的固体。将固体用己垸重结晶3次，得到POZ。
实施例1
〈高分子化合物1的合成〉 将0.79g依据日本特开2004-59899记载的方法制造的DBF, 0.071g依 据WO2004/60970号手册记载的方法制造的POZ，以及0.56g 2,2'-联二吡 啶置于反应容器中后，将反应体系内部用氮气置换。接着加入60g预先用 氩气沸腾脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着向此混合溶液中加入l.Og双 (1， 5-环辛二烯)镍(0)，在60'C下反应4小时。需要说明的是，反应
要在氮气氛围中进行。
反应后，将此溶液冷却后，注入40mL甲醇/40mL离子交换水的混合液
中，搅拌约1小时。然后，通过过滤生成的沉淀进行回收。接着，将该沉 淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤此甲苯溶液，除去不溶性物质后，使 该甲苯溶液通过经氧化铝填充的柱子进行精制。接着，将该甲苯溶液用1N 的盐酸水溶液洗净、静置、分液后，回收甲苯溶液，接着再用约5%氨水 洗净、静置、分液后，回收甲苯溶液，然后将该甲苯溶液用水洗净、静置、 分液后，回收甲苯溶液，接着，将此甲苯溶液注入甲醇中，再生成沉淀。 接下来，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到0.29g聚合物。称
(单体POZ)此聚合物为高分子化合物1。按照聚苯乙烯换算所得的高分子化合物1的
重均分子量为l.OxlO5，数均分子量为4.4x104。
实施例2 〈高分子化合物的荧光特性评价〉
将高分子化合物1的0.8wtW甲苯溶液旋涂在石英板上，制作高分子化 合物的薄膜。用荧光分光光度计GOBINYVON-SPEX社制Fluorolog)在 激发波长350nm下测定此薄膜的荧光光谱。为了获得薄膜的相对荧光强 度，以水的拉曼线的强度为标准、将由波数绘制的荧光光谱在光谱测定的 范围内进行积分，求得采用分光光度计(Varian社制Cary5E)进行测定的 激发波长下所分配的吸光度值。
高分子化合物1的荧光峰波长为468nm，荧光强度3.9。
比较例1 〈高分子化合物2的合成〉
将0.46g2，7-二溴-9,9-二辛基芴，0.10g2，7-二溴-9,9-二异戊基芴，以及 0.21g POZ和0.56g 2，2'-联二吡啶投于反应容器后，用氮气置换反应体系内 部。然后加入60g预先用氩气沸腾脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着向 该混合溶液中加入1.0g双(1， 5-环辛二烯)镍(0)，在室温下反应40小 时。需要说明的是，反应要在氮气的氛围中进行。反应后，在该溶液中注 入40mL甲醇/40mL离子交换水混合液，搅拌约1小时。然后，通过过滤， 回收生成的沉淀。接着，减压干燥该沉淀后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯 溶液，除去不溶性物质后，使该甲苯溶液通过经氧化铝填充的柱子进行精 制。接着，将此甲苯溶液用1N的盐酸水溶液洗净、静置、分液后，回收 甲苯溶液，再用约5%氨水洗净、静置、分液后，回收甲苯溶液，其后将 该甲苯溶液用水洗净、静置，分液后，回收甲苯溶液。然后，将此甲苯溶 液注入甲醇中，再生成沉淀。接下来，回收生成的沉淀，减压干燥该沉淀， 得到0.30g聚合物。称此聚合物为高分子化合物2。按照聚苯乙烯换算， 所得的高分子化合物2的重均分子量为9.4x104，数均分子量为2.5xl04。 高分子化合物2的荧光峰波长为463nm，荧光强度为3.3。实施例3 (EL元件的制作)
向采用溅射法形成了 150nm厚的ITO膜的玻璃基板上，采用旋转涂布 法将聚(3,4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制造、BaytronP AI4083)的悬浮液经0.2pm滤膜过滤后的液体以70nm的厚度形成薄膜， 在加热板上于20(TC干燥10分钟。接着，使用将高分子化合物1以1.8wt %的浓度溶解于二甲苯中而形成的溶液，采用旋转涂布法以2400rpm的旋 转速度成膜。成膜后的膜厚约80nm。进而，将其在减压下、8(TC下干燥1 小时后，蒸镀约4nm的氟化锂，作为阴极，再蒸镀约5nm的钙，其次蒸 镀约80nm的铝，制成EL元件。应予说明，真空度达到l"0"Pa以下后， 开始金属蒸镀。通过向得到的元件施加电压，由该元件可得到在480nm处 具有峰的EL发光。另外，可观测到该元件从4.9V开始发光。
比较例2 (EL的制作)
向采用溅射法形成了 150nm厚的ITO膜的玻璃基板上，采用旋转涂布 法将聚(3,4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制造、BaytronP AI4083)的悬浮液经0.2pm滤膜过滤后的液体以70nm的厚度形成薄膜， 在加热板上、20(TC下干燥10分钟。接着，使用将高分子化合物2以1.8wt %的浓度溶解于二甲苯中而形成的溶液，采用旋转涂布法以2200rpm的旋 转速度成膜。成膜后的膜厚约80nm。进而，将其在减压下、8(TC下干燥1 小时后，蒸镀约4nm的氟化锂，作为阴极，再蒸镀约5nm的钙，其次蒸 镀约80nm的铝，制成EL元件。应予说明，真空度达到lxlO"Pa以下后， 开始金属蒸镀。通过向得到的元件施加电压，由该元件可得到在470nm处 具有峰的EL发光。另外，可观测到该元件从6.0V开始发光。
<合成例3> (化合物C的合成) (1)化合物C-1的合成
在惰性氛围下1L的四口烧瓶中，加入7g 2,8-二溴二苯并噻吩和280mlTHF，在室温下搅拌，使其溶解后，冷却至-78"。滴入29ml正丁基 锂(1.6mol己烷溶液)。滴下终止后，保持原温度搅拌2小时，滴入13g 三甲氧基硼酸。滴下终止后，缓慢恢复至室温。在室温下搅拌3小时，用 TLC确认原料没有之后。加入100ml的5重量％的硫酸使反应终止，在室 温下搅拌12小时。加入水进行洗涤，提取出有机层。将溶剂换成乙酸乙 酯后，加入5ml的30重量X的过氧化氢水，在4(TC下搅拌5小时。之后， 提取出有机层，用10重量％的硫酸铵铁(II)水溶液洗涤后干燥，除去 溶剂，由此得到4.43g由下式所示的化合物C-l (茶色的固体)。由LC-MS 测定结果可知也可生成二聚物等副产物，化合物C-l的纯度为77% (LC 面积积分率)。
化合物C一 JL
(2)化合物C-2的合成
在惰性气体中，将4.43g化合物C-l、 25.1g溴化正辛垸、以及12.5g 碳酸钾(23.5mmo1)加入至200ml的三口烧瓶中，加入50ml甲基异丁酮 作为溶剂，在125'C下加热回流6小时。反应终止后，蒸馏除去溶剂，用 氯仿和水分离，提取出有机层，然后用水洗涤2次。用无水硫酸钠干燥后， 通过用硅胶柱(展开溶剂甲苯/环己烷=1/10(容积比))进行精制，得到 8.49g下式所示的化合物C-2 (LC面积百分率97X、收率94%)。
化合物C一2
(3)化合物C-3的合成
将6.67g化合物C-2、 40ml醋酸加入至三口烧瓶中，在油浴中升温至 浴温度14(TC。接着，从冷却管加入13ml的30重量X过氧化氢水，剧烈 搅拌1小时后，注入至180ml冷却水中，使反应终止。用氯仿提取、干燥 后，除去溶剂，得到6.96g下式所示的化合物C-3 (LC面积百分率为90化合物C一3<formula>formula see original document page 59</formula>(4)化合物C-4的合成 在惰性气体中，将3.96g化合物C-3和15ml醋酸/氯仿二l : 1 (容积 比)的混合液加入至200ml四口烧瓶中，在70'C下搅拌、溶解。接着，将 6.02g溴溶解、加入至3ml上述的溶剂中，搅拌3小时。加入硫代硫酸钠 水溶液，除去未反应的溴，用氯仿和水进行分离，提取有机层，干燥。接 着除去溶剂，用硅胶柱(展开溶剂氯仿/己垸=1/4)进行精制，得到4.46g 下式所示的化合物C-4 (LC面积百分率为98X、收率84%)。
化合物C—4<formula>formula see original document page 59</formula>(5)化合物C的合成 在惰性气体中，将3.9g化合物C-4和50ml 二乙醚加入至200ml的三 口烧瓶中，升温至4(TC、搅拌。每次少量地加入1.17g氢氧化锂中，反应 5小时。通过每次少量地加入使过剩的氢氧化铝锂分解，用5.7ml36重量 %的盐酸洗涤。用氯仿、水进行分离，提取有机层后，干燥。用硅胶柱(展 开溶剂氯仿/己垸二1/5 (容积比))进行精制，得到1.8g下式所示的化合 物C (LC面积百分率为99X、收率49%)。<合成例4> (3,3'-二溴-4,4'-二辛基联苯的合成)
(4,4'-二辛基联苯的合成) 将56g 4,4'-二羟基联苯溶解于500g乙醇中。将该溶液中加入40g氢氧 化钾使之反应。接着，将该溶液升温至70。C，滴入128gl-溴辛烷，接着在 7(TC下反应7小时。需要说明的是，该反应要在氮气氛围下进行。反应后， 将该溶液冷却，将生成的沉淀过滤、回收。接着，将该沉淀用500ml甲醇 洗涤，然后用500ml甲醇/300ml离子交换水混合溶液进行洗涤，再用500ml 丙酮/300ml离子交换水混合溶液进行洗涤。将该沉淀减压干燥，得到105g 以下述结构式所示的4,4'-二辛基联苯。
(3，3'-二溴-4,4'-二辛基联苯的合成)
将20.5g4,4'-二辛基联苯溶解于650g氯仿中。在3(TC以下将16.8g溴 滴入该溶液。滴下后，接着在室温下反应45小时。反应后，将该硫代硫 酸钠水溶液加入至反应液中，处理未反应的溴。接着，将该溶液静置，分 液，回收氯仿溶液。将该氯仿溶液用离子交换水洗涤3次后过滤，除去不 溶物。将该溶液通过经氧化铝填充的柱子进行精制。接着，将该溶液在减 压下蒸馏除去溶剂，得到粗产物。采用100g甲苯/85g甲醇混合溶剂将该 产物重结晶精制。将得到的沉淀减压干燥，得到20§下述结构式所示的3,3'-二溴-4,4'-二辛基联苯。
实施例4
<高分子化合物3的合成>
将0.085g3,3'-二溴-4,4'-二辛基联苯和0.54g化合物C和0.021gPOZ和 0.63g 2,2'-联二吡啶投入到反应容器中，用氮气将反应容器内部置换。接着， 加入60g预先用氩气沸腾、脱气后的四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向此
C8H170混合溶液中加入l.llg双(1,5-环辛二烯)镍(0)，在室温下反应21小时。 需要说明的是，反应要在氮气氛围中进行。
反应后，将此溶液注入到40ml甲醇/40ml离子交换水的混合溶液，搅 拌约1小时。然后，通过过滤生成的沉淀进行回收。接着，将该沉淀减压 干燥后，溶解于甲苯中。过滤此甲苯溶液，除去不溶性物质后，使该甲苯 溶液用约5%的醋酸溶液洗净、静置、分液后，回收甲苯溶液，接着再将 该甲苯溶液用4%的氨水洗净、静置、分液后，回收甲苯溶液，然后用离 子交换水洗净、静置、分液此甲苯溶液后，回收甲苯溶液，接着，将此甲 苯溶液通过经氧化铝填充的柱子进行精制。然后将该甲苯溶液注入甲醇 中，再生成沉淀。
接下来，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到0.19g聚合物。 称此聚合物为高分子化合物3。按照聚苯乙烯换算所得的高分子化合物3 的重均分子量为l.lxlO5，数均分子量为1.3"04。高分子化合物3的荧光 峰波长为473nm，荧光强度为6.8。
从投料量推断的高分子化合物3中所含有的重复单元的结构如下所述， 由投料量推断的摩尔比为重复单元(3-A)/重复单元(3-B)/重复单元(3-C) =6/3/1。
'OCBH，
重复单元(3-A)
重复单元(3-B) 重复单元(3-C)
<合成例5> (高分子化合物4的合成)
在连接有蛇形冷凝管的200ml的三口圆底烧瓶中，加入1.38g化合物D (1.8mol)、 1.60g化合物E (3.0mmol)、 23ml甲苯。在氮气氛围下加热单 体溶液，在5(TC下注入1.2mg醋酸钡、9.5mg三(2-甲氧苯基)膦、10.2g 20重量％的四乙基氢氧化铵水溶液。加热至105r后搅拌4小时。接着， 加入267mg溶解于1.5ml甲苯中的叔丁基苯基硼酸，在105"下搅拌2小 时。接着，加入0.6gN,N-二乙基硫代氨基甲酸钠三水合物、9ml离子交换水，在65t:下搅拌2小时。将有机层与水层分离后，将有机层按照约70ml 的2M盐酸(l次)、约70ml的10重量％醋酸钠水溶液(l次)、约70ml 的离子交换水(3次)的顺序进行洗涤。将有机层滴入至约800ml的甲醇 中，使聚合物沉淀，将沉淀物过滤后干燥得到固体。将该固体溶解于约90ml 的甲苯中，将溶液通入预先通入有甲苯的硅胶/氧化铝柱中，将该溶液滴入 至约800ml的甲醇中，使聚合物沉淀，将沉淀物过滤干燥，得到高分子化 合物4。
按照聚苯乙烯换算，所得到的高分子化合物4的重均分子量为3.0xl05
化合物D 化合物S
从投入的原料，可推测高分子化合物4以1 : 1 (摩尔比)具有以下述
结构式所示的重复单元。
实施例5 (EL元件的制作)
向采用溅射法形成了 150nm厚的ITO膜的玻璃基板上，采用旋转涂 布法将聚(3,4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制造、BaytronP A14083)的悬浮液经0.2pm滤膜过滤后的液体以3000rpm的旋转速度成膜。 成膜后的厚度约为60nm。然后，在加热板上、20(TC下干燥10分钟。接 着，使用将高分子化合物4以0.5wt^的浓度溶解于二甲苯中而形成的溶 液，采用旋转涂布法以10nm厚的厚度成膜，在加热板上于18(TC下干燥 15分钟。接着，使用将高分子化合物3以1.8wt^的浓度溶解于二甲苯中而形成的溶液，采用旋转涂布法以2000rpm的旋转速度下成膜，成膜后的 膜厚约65nm。进而，将其在减压下、8(TC下干燥1小时后，蒸镀约5mn 的氟化锂，作为阴极，再蒸镀约80nm的钙，其次蒸镀约80nm的铝，制 成EL元件。应予说明，真空度达到lxlO"Pa以下后，开始金属蒸镀。通 过向得到的元件施加电压，由该元件可得到在475nm处具有峰的EL发光。 另外，可观测到该元件从4.2V开始发光。
产业上的可利用性
本发明的共聚物，作为发光材料和电荷输送材料是有用的，制作高分 子电致发光元件(高分子LED)时的元件特性优良。因此，含有本发明的 共聚物的高分子LED，适宜用于液晶显示器的背光或者作为照明用的曲面 状或是平面状的光源、分段式的显示元件、点矩阵的平板显示器等使用。
权利要求
1.一种共聚物，其特征在于，含有通式(1)所示的重复单元和通式(2)所示的重复单元，式中，A环和B环各自独立地表示可具有取代基的芳香环，X为-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)2-、-Si(R1)2-Si(R1)2-、-Si(R1)2-、-B(R1)-、-P(R1)-、-P(＝O)(R1)-、-O-C(R1)2-、-N＝C(R1)-，R1表示取代基，R1存在多个时，它们可以相同，也可以不同；式中，Y为-O-、-S-或者-C(＝O)-，Ar1表示也可具有取代基的芳基或也可具有取代基的1价杂环基团，但在构成该Ar1环的原子中，与式中的氮原子相结合的原子的邻位原子上不结合取代基，R2表示取代基，n表示0～3的整数，多个n可以相同也可以不同，当R2存在多个时，它们可以相同也可以不同。
2.根据权利要求1所示的共聚物，其特征在于，通式(1)以通式(1-1 )、 (1-2)或(1-3)来表示，(l一l) (1一2) (l — 3〉式中，X与前述X具有相同的意思，R3表示取代基、ml表示0 3的整数、m2表示0 5的整数，多个ml和m2分别可以相同，也可不同， 当R3存在多个时，它们可以相同也可以不同。
3.根据权利要求1或2所述的共聚物，通式(2)以通式(2-1)来表式中，Y、 R2、 n表示与上述相同的意思，R4表示取代基。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的共聚物，其特征在于，还含有 以通式(3)所示的重复单元，Ar2表示亚芳基、2价杂环基团、2价芳香胺基或具有金属络合物结构 的2价基团。
5. 根据权利要求1 4中任一项所述的共聚物，其特征在于，聚苯乙 烯换算的数均分子量为103 108。
6. 根据权利要求1 5中任一项所述的共聚物，其特征在于，聚苯乙 烯换算的重均分子量为3xl03 108。
7. —种高分子组合物，其特征在于，含有选自空穴输送材料、电子 输送材料和发光材料中的至少一种材料和权利要求1 6中任一项所述的 共聚物。
8. —种溶液，其特征在于，含有权利要求1 6中任一项所述的共聚 物或权利要求7所述的高分子组合物和溶剂。
9. 一种薄膜，其特征在于，含有权利要求1 6中任一项所述的共聚 物或权利要求7所述的高分子组合物。
10. —种有机晶体管，其特征在于，具有权利要求9所述的薄膜。
11. 一种高分子发光元件，其特征在于，在由阴极和阳极构成的电极 间具有有机层，该有机层含有权利要求1 6中任一项所述的共聚物或权 利要求7所述的高分子组合物。
12. 根据权利要求11所述的高分子发光元件，其特征在于，有机层 为发光层。
13. 根据权利要求12所述的高分子发光元件，其特征在于，发光层 还含有空穴输送材料、电子输送材料或发光材料。
14. 根据权利要求11所述的高分子发光元件，其特征在于，在由阴极和阳极构成的电极间具有发光层和电荷输送层，该电荷输送层含有权利要求1 6中任一项所述的共聚物或权利要求7所述的高分子组合物。
15. 根据权利要求11所述的高分子发光元件，其特征在于，在由阴 极和阳极构成的电极间具有发光层和电荷输送层，该电荷输送层和电极之 间具有电荷注入层，该电荷注入层含有权利要求1 6中任一项所述的共 聚物或权利要求7所述的高分子组合物。
16. —种面状光源，其特征在于，采用权利要求11 15中任一项所 述的高分子发光元件。
17. —种分段式显示装置，其特征在于，采用权利要求11 15中任 一项所述的高分子发光元件。
18. —种点矩阵式显示装置，其恃征在于，采用权利要求11 15中 任一项所述的高分子发光元件。
19. 一种液晶显示装置，其特征在于，以权利要求11 15中任一项 所述的高分子发光元件作为背光。
全文摘要
含有通式(1)所示的重复单元和通式(2)所示的重复单元的共聚物，(式中，A环和B环各自独立地表示可具有取代基的芳香环，X为-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-Si(R₁)₂-Si(R₁)₂-、-Si(R₁)₂-、-B(R₁)-、-P(R₁)-、-P(＝O)(R₁)-、-O-C(R₁)₂-、-N＝C(R₁)-，R₁表示取代基，R₁存在多个时，它们可以相同，也可以不同)；(式中，Y为-O-、-S-或者-C(＝O)-，Ar₁表示也可具有取代基的芳基或也可具有取代基的1价杂环基团，但在构成该Ar₁环的原子中，与式中的氮原子结合的原子的邻位原子上不结合取代基，R₂表示取代基，n表示0～3的整数，多个的n可以相同也可以不同。当R₂存在多个时，它们可以相同也可以不同)。
文档编号H01L29/786GK101321801SQ20068004537
公开日2008年12月10日 申请日期2006年10月3日 优先权日2005年10月7日
发明者野口公信, 铃木智之 申请人:住友化学株式会社