专利名称：可变电阻元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及可变电阻元件。
背景技术：
在现有技术中已知有具备电子元件和与该电子元件电连接的可变电阻元件的可变电阻元件(例如，参照日本特开2001-15815号公报)。在日本特开2001-15815号公报中记载的发光装置中，可变电阻元件与作为电子元件的半导体发光元件并联连接，半导体发光元件由可变电阻保护从而免于受到ESD(Electro Static Discharge静电放电)电涌的影响。
另外，就电子元件而言，有半导体发光元件或FET(Field EffectTransistor场效应晶体管)等这样的在其动作中产生热的电子元件。若电子元件成为高温，会导致电子元件自身的特性劣化，从而影响其动作。因此，需要有效地扩散所产生的热。
发明内容
本发明的目的是提供可以有效地散热的可变电阻元件。
本发明相关的可变电阻元件的特征在于，具备具有第1和第2外表面的可变电阻素体；至少其一部分之间相互相对地配置在可变电阻素体内的第1和第2内部电极；与第1内部电极电连接并且在第1外表面上形成的第1外部电极；与第2内部电极电连接并且在第1外表面上形成的第2外部电极，以通过可变电阻素体内同时从第1外表面向第2外表面的方式形成有热传导通路。
在本发明相关的可变电阻元件中，在可变电阻素体的内部以从第1外表面向第2外表面的方式形成有热传导通路。因此，在将其动作中发热的例如半导体发光元件或FET等的电子元件配置在可变电阻素体的第1外表面上时，在电子元件中产生的热通过热传导通路向可变电阻素体的第2外表面传递。其结果是，可以从可变电阻素体的第1外表面向第2外表面有效地散热。
此外，优选热传导通路与第1和第2内部电极平行地延伸。这样，因为利用热传导通路的热传导不会被各内部电极妨碍，所以可以有效地散热。
此外，优选第1外表面和第2外表面相互相对，热传导通路在所述第1和第2外表面的相对方向上延伸。这样，由于热传导通路成为大致直线状，所以容易形成热传导通路。
此外，优选热传导通路至少包括热传导率高于可变电阻素体的热传导率的热传导体。这样，由包含在热传导通路中的热传导体，可以更有效地进行散热。
此外，优选热传导体被配置为，其一端在第1外表面上露出，其另一端在第2外表面上露出。这样，由于热传导体的两端分别在外表面上露出，来自电子元件的热容易向热传导体传递，可以更有效地进行散热。特别是，如果由突起电极等将电子元件与露出于第1外表面的热传导体的一端物理连接且热连接，则在电子元件中产生的热经由突起电极等直接向热传导体传递，可以进一步提高放热性。
此外，优选热传导体由与第1和第2内部电极的材质相同的材质构成。这样，由于可以在同一工序中形成热传导体与第1和第2内部电极，所以可以简化可变电阻素体的制造工序。
本发明相关的可变电阻元件，具备具有第1和第2外表面的可变电阻素体；至少其一部分之间相互相对地配置在可变电阻素体内的第1和第2内部电极；与第1内部电极电连接并且在第1外表面上形成的第1外部电极；与第2内部电极电连接并且在第1外表面上形成的第2外部电极；以通过可变电阻素体内并且从第1外表面向第2外表面的方式配置的、一端在第1外表面露出的热传导体；以覆盖至少露出于第1外表面的热传导体的一端的方式配置在第1外表面的绝缘膜。
在本发明相关的可变电阻元件中，在可变电阻素体的内部以从第1外表面向第2外表面的方式配置有热传导体。因此，在将其动作中发热的例如半导体发光元件或FET等的电子元件配置在可变电阻素体的第1外表面上时，在电子元件中产生的热通过热传导通路向可变电阻素体的第2外表面传递。其结果是，可以从可变电阻素体的第1外表面向第2外表面有效地散热。
此外，优选热传导体与第1和第2内部电极平行地延伸。这样，因为利用热传导体的热传导不会被各内部电极妨碍，所以可以有效地散热。
此外，优选第1外表面和第2外表面相互相对，热传导体在第1和第2外表面的相对方向上延伸。这样，由于热传导体呈大致直线状，所以容易形成热传导体。
此外，优选可变电阻素体具有以连接第1外表面与第2外表面的方式延伸并且互相相对的第1侧面和第2侧面，热传导体在第1和第2侧面的相对方向上延伸。这样，由于热传导体呈大致平板状，所以更容易形成热传导体。
此外，优选热传导体具有露出于第1和第2侧面的部分。
此外，优选热传导体的另一端露出于第2外表面。这样，由于热传导体的两端分别在外表面上露出，来自电子元件的热容易向热传导体传递，可以更有效地进行散热。
此外，优选第1和第2内部电极的相对方向上的热传导体的宽度大于第1和第2内部电极的相对方向上的第1和第2内部导体的宽度。这样，由于更多的热通过热传导体进行传导，所以可以更有效地散热。
此外，优选热传导体的热传导率高于可变电阻素体的热传导率。这样，由于更多的热在热传导体中传导，所以可以更有效地散热。
此外，优选热传导体由与第1和第2内部电极的材质相同的材质构成。这样，由于可以在同一工序中形成热传导体与第1和第2内部电极，所以可以简化可变电阻素体的制造工序。
根据本发明可以提供能够有效散热的可变电阻元件。
由下面所给出的详细说明和仅以示例方式给出的附图可以更清楚地理解本发明，但是这些不能被认为是对于本发明的限定。
根据以下给出的详细说明，本发明的应用范围将变得更加清楚。然而应当理解的是，这些详细说明和具体实例，虽然表示本发明的优选实施方式，但只是以示例的方式给出的，根据这些详细说明，在本发明的精神和范围内的各种变化和修改对本领域的技术人员来说都是显而易见的。
图1是表示第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图2(a)是表示第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图2(b)是图2(a)的IIB-IIB线端面图。
图3是构成第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的可变电阻素体的分解立体图。
图4是使用第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的发光装置的分解立体图。
图5是图4的V-V线端面图。
图6是表示第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图7(a)是表示第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图7(b)是图7(a)的VIIB-VIIB线端面图。
图8是表示第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图9(a)是表示第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图9(b)是图9(a)的IXB-IXB线端面图。
图10是表示第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图11(a)是表示第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图11(b)是图11(a)的XIB-XIB线端面图。
图12是表示第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图13(a)是表示第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图13(b)是图13(a)的XIIIB-XIIIB线端面图。
图14是表示第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图15(a)是表示第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图15(b)是图15(a)的XVB-XVB线端面图。
图16是使用第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻的发光装置的纵端面图。
图17是表示第7实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图18是表示第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图19(a)是表示第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图19(b)是图19(a)的XIXB-XIXB线端面图。
图20是表示第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图21(a)是表示第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图21(b)是图21(a)的XXIB-XXIB线端面图。
图22是表示第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图23(a)是表示第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图23(b)是图23(a)的XXIIIB-XXIIIB线端面图。
图24是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图25是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图。
图26是图25的XXVI-XXVI线端面图。
图27是图25的XXVII-XXVII线端面图。
图28是构成第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的可变电阻素体的分解立体图。
图29是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻中除了外部电极和连接端子的立体图。
图30是使用第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的发光装置的分解立体图。
图31是图30的XXXI-XXXI线端面图。
图32是表示第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图33是表示第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图。
图34是图33的XXXIV-XXXIV线端面图。
图35是图33的XXXV-XXXV线端面图。
图36是表示第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。
图37(a)是图36的XXXVIIA-XXXVIIA线端面图，图37(b)是图36的XXXVIIB-XXXVIIB线端面图。
具体实施例方式
下面，参照
本发明的优选实施方式。另外，在说明中对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，省略重复说明。以下的各实施方式是将本发明应用于层叠型片状可变电阻中的例子。
(第1实施方式)参照图1～图3说明第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的构成。图1是表示第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图2(a)是表示第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，图2(b)是图2(a)的IIB-IIB线端面图。图3是构成第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的可变电阻素体的分解立体图。
层叠型片状可变电阻V1具备可变电阻素体10；一对第1和第2内部电极12、14；多个(在第1实施方式中为6个)热传导体16；一对第1和第2外部电极18、20；和多个(在第1实施方式中为12个)连接端子21。
可变电阻素体10呈大致长方体形状，具有互相相对的第1和第2外表面22、24；垂直于第1和第2外表面22、24且互相相对的第1和第2侧面26、27；垂直于第1和第2外表面22、24和第1和第2侧面且互相相对的第3和第4侧面28、29。在可变电阻素体10中，例如可以将长度方向的长度设定为1.0mm左右，将宽度设定为1.0mm左右，将厚度设定为0.3mm左右。
可变电阻素体10构成为用片层叠方法层叠了表现电压非直线特性(以下，称作“可变电阻特性”)的多个可变电阻层A10～A13(参照图3)的层压体。在实际的层叠型片状可变电阻V1中，可变电阻层A10～A13相互之间的界限被一体化为不可目视辨认的程度。可变电阻层A10～A13由以下素体形成，该素体含有ZnO(氧化锌)作为主要成分，同时含有稀土金属元素、Co、IIIb族元素(B、Al、Ga、In)、Si、Cr、Mo、碱金属元素(K、Rb、Cs)及碱土金属元素(Mg、Ca、Sr、Ba)等金属单质和它们的氧化物作为副成分。可变电阻层A10～A13的厚度可以分别为10μm～100μm左右。
第1和第2内部电极12、14均为大致矩形形状的薄壁板状体。第1和第2内部电极12、14以如下方式配置，即，其一端面12a、14a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面12b、14b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。即，第1和第2内部电极12、14的各端面12a、12b、14a、14b分别在第1和第2外表面22、24上露出。
第1内部电极12在可变电阻层A12上，以偏靠第1侧面26的方式，配置在距离第1侧面26侧有一定的间隔的位置处。第2内部电极14在可变电阻层A14上，以偏靠第2侧面27的方式，配置在距离第2侧面27侧有一定的间隔的位置处。因此，从可变电阻层A10～A13的层叠方向(以下，简称为“层叠方向”)看时，第1内部电极12和第2内部电极14被配置成，其一部分相互之间夹着可变电阻层A10而相互相对。因此，从层叠方向看第1内部电极12和第2内部电极14重叠的可变电阻层A10、A12上的区域，作为表现可变电阻特性的区域而发挥功能。
第1和第2内部电极12、14包含导电材料。作为第1和第2内部电极12、14中包含的导电材料，没有特别限定，但优选由Ag、Pd或Ag-Pd合金形成。第1和第2内部电极12、14的厚度可以是例如2μm～100μm左右。
各热传导体16分别是大致矩形形状的薄壁板状体，被设置在可变电阻素体10内，使得第1和第2内部电极12、14位于其间。热传导体16在可变电阻层A11上以如下方式配置其距离第1和第2侧面26、27具有规定的间隔，且相互之间具有规定的间隔使得互相电绝缘。热传导体16以如下方式配置，即，其一端面16a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面16b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。即，热传导体16在可变电阻素体10内被形成为，沿着从第1外表面22朝向第2外表面24的方向(第1外表面22和第2外表面24的相对方向)延伸，同时，相对于第1和第2内部电极12、14平行地延伸，热传导体16的各端面16a、16b分别在第1和第2外表面22、24上露出。
热传导体16可以使用例如Pd或Ag-Pd合金或氮化铝(AlN)、BN、TiN、TaC、Si3N4等的陶瓷等、以及具有比可变电阻素体10的热传导率(在第1实施方式中为可变电阻素体10的主要成分ZnO的热传导率)更高的热传导率的材质，但优选由与第1和第2内部电极12、14的材质相同的材质来构成，因为可以简化制造工序。热传导体16的厚度可以为例如10μm～300μm左右。
第1和第2外部电极18、20从垂直于第1外表面22的方向看呈大致矩形形状，分别形成在可变电阻素体10的第1外表面22上。第1外部电极18，以覆盖露出于第1外表面22的第1内部电极12的一端面12a中的靠近可变电阻素体10的第1侧面26的区域的方式，与该区域物理连接且电连接，另一方面，与露出于第1外表面22的第2内部电极14的一端面14a既不物理连接也不电连接。第2外部电极20，以覆盖露出于第1外表面22的第2内部电极14的一端面14a中的靠近可变电阻素体10的第2侧面27的区域的方式，与该区域物理连接且电连接，另一方面，与露出于第1外表面22的第1内部电极12的一端面12a既不物理连接也不电连接。即，第1和第2外部电极1 8、20以与第1和第2内部电极12、14一对一对应的方式，与它们的各端面12a、14a物理连接且电连接。
各连接端子21从垂直于第1外表面22的方向看呈大致方形形状，以互相不进行物理连接的方式分别形成在可变电阻10的第1外表面22上。各连接端子21，以分别覆盖露出于第1外表面22的第1内部电极12的一端面12a上的规定区域、露出于第1外表面22的第2内部电极14的一端面14a上的规定区域、以及露出于第1外表面22的热传导体16的一端面16a的方式，与它们物理连接且热连接。
第1和第2外部电极18、20以及端子电极21，例如，可以用印刷法或电镀法形成。使用印刷法时可以通过以下方法来形成，即，准备在以Au粒子或Pt粒子为主要成分的金属粉末中混合了有机粘结剂和有机溶剂的导电膏，将该导电膏印刷到可变电阻素体10上，进行烧接或烧结。使用电镀法时，可以用真空电镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等)，通过使Au或Pt蒸镀而形成。
接着，参照图4和图5对在半导体发光元件30上连接有具有上述构成的层叠型片状可变电阻V1的发光装置LE1进行说明。图4是使用第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻的发光装置的分解立体图。图5是图4的V-V线端面图。
发光装置LE1具备层叠型片状可变电阻V1，和载置有半导体发光元件30和层叠型片状可变电阻V1的基板40。
半导体发光元件30是例如GaN(氮化镓)类半导体的发光二极管(LEDLight Emitting Diode)。半导体发光元件30在未图示的阳极电极和阴极电极之间施加规定的电压而流过电流时，在发光区域中进行发光。
在半导体发光元件30中，在与层叠型片状可变电阻V1中的可变电阻素体10的第1外表面22相对的相对面32上，分别形成有多个第1～第3突起电极34～36(bump electrode)。各第1突起电极34，与半导体发光元件30中的未图示的阳极电极相连接，分别配置在对应于第1外部电极18的位置上。各第2突起电极35，与半导体发光元件30中的未图示的阴极电极相连接，分别配置在对应于第2外部电极20的位置上。这些第1和第2突起电极34、35通过回流焊与第1或第2外部电极20物理连接且电连接。这样，半导体发光元件30通过多个第1和第2突起电极34、35而与第1和第2外部电极18、20连接，从而实现了半导体发光元件30与层叠型片状可变电阻V1的接合强度的提高。
另外，第1和第2外部电极18、20与对应于它们的突起电极32也电连接。因此，由第1内部电极12、第2内部电极14、以及可变电阻层A10、A12上的第1和第2内部电极12、14重叠的区域所构成的可变电阻，与半导体发光元件30并联连接。因此，由层叠型片状可变电阻V1可以保护半导体发光元件30免于受到ESD(Electro StaticDischarge静电放电)电涌的影响。此时，层叠型片状可变电阻V1的第1和第2外部电极18、20，作为层叠型片状可变电阻V1的输入输出端子电极发挥功能。
另一方面，各突起电极36与半导体发光元件30中的非电极部分的主体部分连接，分别配置在与各连接端子21一对一对应的位置上。各个突起电极36通过回流焊与各连接端子21物理连接且热连接。因此，各突起电极36将在半导体发光元件30中产生的热向第1和第2内部电极12、14以及热传导体16传递。
如以上所述，在第1实施方式中，热传导体16在可变电阻素体10的内部被形成为，沿着从第1外表面22朝向第2外表面24的方向延伸，同时平行于第1和第2内部电极12、14地延伸。该热传导体16由具有比可变电阻素体10的热传导率(在第1实施方式中为可变电阻素体10的主要成分ZnO的热传导率)更高的热传导率的材质形成。并且，热传导体16的一端面16a在第1外表面22上露出，热传导体16的另一端面16b在第2外表面24上露出。因此，在半导体发光元件30中产生的热，经由将热传导体16的一端面16a和半导体发光元件30物理连接且热连接的连接端子21和突起电极36，通过热传导体16从第1外表面22向第2外表面24传递(参照图5的箭头H1)。其结果是，可以利用层叠型片状可变电阻V1有效地向基板40扩散半导体发光元件30的热。
(第2实施方式)下面，参照图6和图7说明第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻V2的构成。图6是表示第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图7的(a)是表示第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的VIIB-VIIB线端面图。第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻V2，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，热传导体16的形状。
第2实施方式相关的层叠型片状可变电阻V2在可变电阻素体10内具备6个热传导体16。各热传导体16分别呈大致圆柱形形状，在第1外表面22与第2外表面24的相对方向上延伸。因此，第1变形例相关的层叠型片状可变电阻V2，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，热传导体16的延伸方向上的截面积变大，所以可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第3实施方式)下面，参照图8和图9说明第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻V3的构成。图8是表示第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图9的(a)是表示第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的IXB-IXB线端面图。第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻V3，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，热传导体16的形状和所设置的热传导体16的数目。
第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻V3在可变电阻素体10内具备12个热传导体16。各热传导体16分别呈大致圆柱形形状，在第1外表面22与第2外表面24的相对方向上延伸。因此，第3实施方式相关的层叠型片状可变电阻V3，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，由于热传导体16的延伸方向上的截面积变大，并且热传导体16的数目更多，所以可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第4实施方式)下面，参照图10和图11说明第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4的构成。图10是表示第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图11的(a)是表示第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XIB-XIB线端面图。第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，第1和第2内部电极的形状和热传导体16的形状。
第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4在可变电阻素体10内具备一对第1和第2内部电极12、14以及6个热传导体16。第1和第2内部电极12、14均为大致矩形形状的厚壁板状体。各个热传导体16分别呈大致圆柱形形状，在第1外表面22与第2外表面24的相对方向上延伸。因此，第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，由于第1和第2内部电极12、14以及热传导体16的延伸方向上的截面积变大，所以可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
另外，如图11(b)所示，第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4，优选第1和第2内部电极12、14中夹着的可变电阻层的厚度t1为10μm以上。通过使厚度t1为10μm以上，可以使层叠型片状可变电阻V4中的可变电阻电压在一定电压以上。此外第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4优选厚度t1为300μm以下。通过使厚度t1为300μm以下，可以更可靠地得到可变电阻电压，而厚度t1超过300μm时，需要使烧结温度更高，并且制造困难。
此外，如图11(b)所示，第4实施方式相关的层叠型片状可变电阻V4，优选将第1和第2内部电极12、14的厚度t2的总和作为∑t2，当将可变电阻素体10的宽度作为W时，∑t2满足10μm≤∑t2≤W-30μm的关系。这样，可以通过第1和第2内部电极12、14来表现出有效的放热特性。
(第5实施方式)下面，参照图12和图13说明第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻V5的构成。图12是表示第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图13的(a)是表示第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XIIIB-XIIIB线端面图。第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻V5，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，第1和第2内部电极12、14和热传导体16在可变电阻素体10内的配置等方面。
第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻V5在可变电阻素体10内具备2组的一对第1和第2内部电极12、14以及4个热传导体16。1个第1内部电极12和2个热传导体16在同一可变电阻层上以如下方式配置其距离平行于层叠方向的侧面有规定的间隔，且相互之间具有规定的间隔使得互相电绝缘，其中，第1内部电极12配置在靠近可变电阻素体10的侧面26的位置。第2内部电极14被配置为，与第1内部电极12在层叠方向上交替并列。该第1内部电极12和第2内部电极14，在靠近可变电阻10的侧面26的部分上形成相对面，从层叠方向看第1内部电极12和第2内部电极14重叠的可变电阻层上的区域，作为表现可变电阻特性的区域发挥功能。在具有这样的构成的第5实施方式相关的层叠型片状可变电阻V5中，也可以有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第6实施方式)下面，参照图14和图15说明第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻V6的构成。图14是表示第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图15的(a)是表示第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XVB-XVB线端面图。第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻V6，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，第1和第2内部电极12、14的形状。
第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻V6在可变电阻素体10内具备一对第1和第2内部电极12、14。第1和第2内部电极12、14均为大致L字形状的薄壁板状体(参照图14)。在第1和第2内部电极12、14中，仅其呈大致L字形状的前端部分的端面12a、14a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，且露出于第1外表面22。并且，第1和第2外部电极18、20分别形成在第1外表面22上，使得其与从第1外表面22露出的第1和第2内部电极12、14的端面12a、14a分别物理连接且电连接。
因此，在半导体发光元件30上连接有第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻V6的发光装置LE2中，第1和第2内部电极12、14与突起电极34没有物理连接(参照图16)，热传导体的一端面16a与突起电极34物理连接且热连接。因此，在具有这样的构成的第6实施方式相关的层叠型片状可变电阻V6中，经由突起电极34，半导体发光元件30的热通过热传导体16从第1外表面22向第2外表面24传递(参照图16的箭头H1)，能够使半导体发光元件30的热有效地扩散。
(第7实施方式)下面，参照图17说明第7实施方式相关的层叠型片状可变电阻V7的构成。图17是表示第7实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。第7实施方式相关的层叠型片状可变电阻V7，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，在可变电阻素体10内具备各2个热传导体41、42。
各热传导体41分别是以大致L字形状弯曲的薄壁板状体，其一端面41a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面41b以面向第1侧面26的方式引出至第1侧面26。即，各热传导体41在可变电阻素体10内被形成为，从第1外表面22朝向第1侧面26的方向延伸，热传导体41的端面41a在第1外表面22上露出，热传导体41的端面41b在第1侧面26上露出。
各热传导体42分别是以大致L字形状弯曲的薄壁板状体，其一端面42a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面42b以面向第2侧面27的方式引出至第2侧面27。即，各热传导体42在可变电阻素体10内被形成为，从第1外表面22朝向第2侧面27的方向延伸，热传导体42的端面42a在第1外表面22上露出，热传导体42的端面42b在第2侧面27上露出。
因此，第7实施方式相关的层叠型片状可变电阻V7中，半导体发光元件30的热除了通过热传导体16从第1外表面22向第2外表面24传递以外，还通过热传导体41、42向第1和第2侧面26、27传递。其结果是，通过以覆盖第6变形例相关的层叠型片状可变电阻V7的第2外表面24和第1～第4侧面26～29的方式，在散热器(heat sink)等上设置层叠型片状可变电阻V7，可以有效地使半导体发光元件30的热进行扩散。另外，也可以在可变电阻素体10内进一步设置从第1外表面22向第3侧面28或第4侧面29的方向延伸的热传导体。
(第8实施方式)下面，参照图18和图19说明第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻V8的构成。图18是表示第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图19的(a)是表示第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XIXB-XIXB线端面图。第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻V8，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，热传导体16的形状。
第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻V8在可变电阻素体10内具备两组多个(第8实施方式中为5个)热传导体16(热传导体组16A、16B)。热传导体组16A配置在靠近可变电阻素体10的第3侧面28的位置。热传导体组16B配置在靠近可变电阻素体10的第4侧面29的位置。
各热传导体16分别是大致矩形形状的薄壁板状体。各热传导体16被设定为，在第1和第2侧面26、27的相对方向上的宽度短于第1和第2外部电极18、20的直线距离，并且不与第1和第2外部电极18、20电连接。各热传导体16优选被设定为，其厚度大于内部电极12、14的厚度。
热传导体16被配置为，其一端面16a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面16b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。因此，靠近第3侧面28配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21A)，以分别覆盖构成热传导体组16A的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。靠近第4侧面29配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21B)，以分别覆盖构成热传导体组16B的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。
如以上所述，第8实施方式相关的层叠型片状可变电阻V8中，热传导体组16A、16B分别由多个热传导体16构成，所以与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，热传导体16的延伸方向(第1和第2外表面22、24的相对方向)上的截面积变大。因此，可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第9实施方式)下面，参照图20和图21说明第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻V9的构成。图20是表示第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图21的(a)是表示第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XXIB-XXIB线端面图。第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻V9，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，第1和第2内部电极12、14的配置、热传导体16的配置、以及热传导体16的形状。
第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻V9在可变电阻素体10内具备第1和第2内部电极12、14和两组5个热传导体16(热传导体组16A、16B)。第1和第2内部电极12、14配置在靠近可变电阻素体10的第4侧面29的位置，第1内部电极12比第2内部电极14配置在更外侧。热传导体组16A、16B配置在靠近可变电阻素体10的第3侧面28的位置，热传导体组16A比热传导体组16B配置在更外侧。
各热传导体16为大致矩形形状的薄壁板状体。各热传导体16被设定为，在第1和第2侧面26、27的相对方向上的宽度短于第1和第2外部电极18、20的直线距离，并且不与第1和第2外部电极18、20电连接。各热传导体16的厚度优选被设定为，其厚度大于内部电极12、14的厚度。
热传导体16被配置为，其一端面16a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面16b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。因此，最靠近第3侧面28配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21A)，以分别覆盖构成热传导体组16A的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。靠近第3侧面28且比连接端子组21A更靠近第4侧面29配置、并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21B)，以分别覆盖构成热传导体组16B的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。
如以上所述，第9实施方式相关的层叠型片状可变电阻V9中，热传导体组16A、16B分别由多个热传导体16构成，所以与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，热传导体16的延伸方向(第1和第2外表面22、24的相对方向)上的截面积变大。因此，可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第10实施方式)下面，参照图22和图23说明第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V10的构成。图22是表示第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图23的(a)是表示第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图，(b)是(a)的XXIIIB-XXIIIB线端面图。第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V10，与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1的不同之处在于，第1和第2内部电极12、14的形状以及热传导体16的形状。
第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V10在可变电阻素体10内具备第1和第2内部电极12、14和两组5个热传导体16(热传导体组16A、16B)。第1和第2内部电极12、14均为大致T字形状的薄壁板状体(参照图22)。第1和第2内部电极12、14被配置为其呈大致T字形状的一个前端部分的端面12a、14a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，且在第1外表面22上露出，并且，其呈大致T字形状的另一个前端部分的端面12b、14b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24，且在第2外表面24上露出。并且，第1和第2外部电极18、20分别形成在第1外表面22上，使得其与从第1外表面22露出的第1和第2内部电极12、14的端面12a、14a分别物理连接且电连接。
热传导体组16A配置在靠近可变电阻素体10的第3侧面28的位置。热传导体组16B配置在靠近可变电阻素体10的第4侧面29的位置。
各热传导体16分别呈大致长方体形状。各热传导体16被设定为，在第1和第2侧面26、27的相对方向上的宽度短于第1和第2外部电极18、20的直线距离，并且不与第1和第2外部电极18、20电连接。各热传导体16优选被设定为其厚度大于内部电极12、14的厚度。
热传导体16被配置为，其一端面16a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面16b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。因此，靠近第3侧面28配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21A)，以分别覆盖构成热传导体组16A的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。靠近第4侧面29配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21B)，以分别覆盖构成热传导体组16B的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，与它们物理连接且热连接。
如以上所述，第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V10中，热传导体组16A、16B分别由多个热传导体16构成，所以与上述的第1实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1相比，热传导体16的延伸方向(第1和第2外表面22、24的相对方向)上的截面积变大。因此，可以更有效地扩散半导体发光元件30的热。
(第11实施方式)下面，参照图24～图29说明第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11的构成。图24是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图25是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图。图26是图25的XXVI-XXVI线端面图。图27是图25的XXVII-XXVII线端面图。图28是构成第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的可变电阻素体的分解立体图。图29是表示第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻中除了外部电极和连接端子的立体图。
层叠型片状可变电阻V11具备可变电阻素体10；一对第1和第2内部电极12、14；两组的多个(在第11实施方式中为5个)热传导体16(热传导体组16A、16B)；绝缘膜17；一对第1和第2外部电极18、20；和多个(在第1l实施方式中为12个)连接端子21。
可变电阻素体10呈大致长方体形状，具有互相相对的第1和第2外表面22、24；垂直于第l和第2外表面22、24且互相相对的第1和第2侧面26、27；垂直于第1和第2外表面22、24和第l和第2侧面且互相相对的第3和第4侧面28、29。在可变电阻素体10中，例如，可以将长度方向的长度设定为1.0mm左右，将宽度设定为1.0mm左右，将厚度设定为0.3mm左右。
可变电阻素体10被构成为，用片层叠方法层叠了表现电压非直线特性(以下，称作“可变电阻特性”)的多个可变电阻层A10～A13(参照图28)的层压体。在实际的层叠型片状可变电阻V1l中，可变电阻层A10～A13相互之间的界限被一体化为不可目视辨认的程度。可变电阻层Al0～A13由下述素体形成，该素体含有ZnO(氧化锌)作为主要成分，同时作为副成分含有稀土金属元素、Co、IIIb族元素(B、Al、Ga、In)、Si、Cr、Mo、碱金属元素(K、Rb、Cs)及碱土金属元素(Mg、Ca、Sr、Ba)等金属单质和它们的氧化物。可变电阻层Al0～A13的厚度可以分别为10μm～100μm左右。
第1和第2内部电极12、14均为大致矩形形状的薄壁板状体。第1和第2内部电极12、14被配置为，其一端面12a、14a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面12b、14b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。即，第1和第2内部电极12、14的各端面12a、12b、14a、14b分别在第1和第2外表面22、24上露出。
第1内部电极12在可变电阻层A12上，以偏靠第1侧面26的方式，配置在距离第1侧面26侧有一定的间隔的位置处。第2内部电极14在可变电阻层A14上，以偏靠第2侧面27的方式，配置在距离第2侧面27侧有一定的间隔的位置处。因此，从层叠方向看时，第1内部电极12和第2内部电极14被配置成，其一部分相互之间夹着可变电阻层A10而相互相对。因此，从层叠方向看第1内部电极12和第2内部电极14重叠的可变电阻层A10、A12上的区域，作为表现可变电阻特性的区域而发挥功能。
第1和第2内部电极12、14包含导电材料。作为第1和第2内部电极12、14中包含的导电材料，没有特别限定，但优选由Ag、Pd或Ag-Pd合金形成。第1和第2内部电极12、14的厚度可以是例如2μm～100μm左右。
热传导体组16A配置在靠近可变电阻素体10的第3侧面28的位置。热传导体组16B配置在靠近可变电阻素体10的第4侧面29的位置。因此，热传导体组16A、16B设置在可变电阻素体10内，使得第1和第2内部电极12、14位于其间。
各热传导体16分别是大致矩形形状的薄壁板状体。热传导体16，配置在可变电阻层A11上的整个面上的热传导体16，其一端面16a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，其另一端面1 6b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24。热传导体16以如下方式配置，其一侧面16c以面向第1侧面26的方式引出至第1侧面26，其另一侧面16d以面向第2侧面27的方式引出至第2侧面27。
即，热传导体16在可变电阻素体10内被形成为，沿着从第1外表面22向第2外表面24的方向(第1外表面22和第2外表面24的相对方向)延伸，且沿着从第1侧面26向第2侧面27的方向(第1侧面26和第2侧面27的相对方向)延伸，同时，相对于第1和第2内部电极12、14平行地延伸。因此，热传导体16的各端面16a～16d分别在第1和第2外表面22、24以及第1和第2侧面26、27上露出。
热传导体16可以使用例如Pd或Ag-Pd合金或氮化铝(AlN)、BN、TiN、TaC、Si3N4等的陶瓷等、以及具有比可变电阻素体10的热传导率(在第1实施方式中为可变电阻素体10的主要成分ZnO的热传导率)更高的热传导率的材质，但优选由与第1和第2内部电极12、14的材质相同的材质来构成，因为可以简化制造工序。热传导体16的厚度可以设定为例如10μm～300μm左右，但优选设定为大于内部电极12、14的厚度。
绝缘膜17以覆盖在第1外表面22的大部分的方式配置在第1外表面22上(参照图29)。绝缘膜17具有开口部17a、17b。开口部17a设置在第1内部导体12的一端面12a中的与靠近第1侧面26的区域对应的位置上。开口部17b设置在第2内部导体14的一端面14a中的与靠近第2侧面27的区域对应的位置上。因此，第1内部导体12的一端面12a中的靠近第1侧面26的区域和第2内部导体14的一端面14a中的靠近第2侧面27的区域，从开口部17a、17b露出，没有被绝缘膜17覆盖。而第1和第2内部导体12、14的一端面12a、14a中的从开口部17a、17b露出的区域以外的区域以及热传导体16的一端面16a被绝缘膜17覆盖。
绝缘膜17由例如氧化铋系、氧化锌系、磷酸系、硼硅酸系等的玻璃构成，通过具有对应于开口部17a、17b的开口图形的规定的图形，用丝网印刷法在第1外表面22上印刷玻璃浆(glass paste)而形成。绝缘膜的厚度可以为例如1μm～100μm左右。另外，作为绝缘膜17除了玻璃以外还可以使用例如树脂等。
第1和第2外部电极18、20从垂直于第1外表面22的方向看，呈在第3和第4侧面28、29的相对方向上延伸的大致矩形形状。第1和第2外部电极18、20，以与第1和第2内部电极12、14一一对应的方式与它们的各端面12a、14a物理连接且电连接。
具体来说，第1外部电极18形成在绝缘膜17上和从绝缘膜17的开口部17a露出的第1外表面22上。因此，第1外部电极18，以覆盖露出于第1外表面22并且未被绝缘膜17覆盖的(对应于绝缘膜17的开口部17a的)第1内部电极12的一端面12a中的靠近第1侧面26的区域的方式，与该区域物理连接且电连接。另外，在绝缘膜17上，在第1外部电极18的延伸方向上没有设置有除了开口部17a以外的开口部，因此，第1外部电极18，与露出于第1外表面22的第2内部电极14的一端面14a及热传导体16的一端面16a，既不物理连接也不电连接。
第2外部电极20形成在绝缘膜17上和从绝缘膜的开口部17b露出的第1外表面22上。因此，第2外部电极20，以覆盖露出于第1外表面22并且未被绝缘膜17覆盖的(对应于绝缘膜17的开口部17b的)第2内部电极14的一端面14a中的靠近第2侧面27的区域的方式，与该区域物理连接且电连接。另外，在绝缘膜17上，在第2外部电极20的延伸方向上没有设置有除了开口部17b以外的开口部，因此，第2外部电极20，与露出于第1外表面22的第1内部电极12的一端面12a及热传导体16的一端面16a，既不物理连接也不电连接。
各连接端子21从垂直于第1外表面22的方向看呈大致方形形状，以互相不物理连接的方式分别形成在绝缘膜17上。各连接端子21，从垂直于第1外表面22的方向看，以分别覆盖第1内部电极12的一端面12a上的规定区域、第2内部电极14的一端面14a上的规定区域、以及热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式，配置在绝缘膜17上，与它们热连接。
具体来说，各个连接端子21中的靠近第3侧面28配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21A)，从垂直于第1外表面22的方向看，以分别覆盖构成热传导体组16A的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式配置在绝缘膜17上，与构成热传导体组16A的各热传导体16热连接。各连接端子21中的靠近第4侧面29配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21B)，从垂直于第1外表面22的方向看，以分别覆盖构成热传导体组16B的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式配置在绝缘膜17上，与构成热传导体组16B的各热传导体16热连接。
第1和第2外部电极18、20以及端子电极21，例如，可以用印刷法或电镀法形成。使用印刷法时可以通过以下方法形成，即，准备在以Au粒子或Pt粒子为主要成分的金属粉末中混合了有机粘结剂和有机溶剂的导电膏，将该导电膏印刷到可变电阻素体10上，进行烧接或烧结。使用电镀法时，可以用真空电镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等)，通过使Au或Pt蒸镀而形成。
接着，参照图30和图31对在半导体发光元件30上连接有具有上述构成的层叠型片状可变电阻V11的发光装置LE3进行说明。图30是使用第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻的发光装置的分解立体图。图31是图30的XXXI-XXXI线端面图。
发光装置LE3具备层叠型片状可变电阻V11、半导体发光元件30、和载置有层叠型片状可变电阻V11的基板40。
半导体发光元件30是例如GaN(氮化镓)类半导体的发光二极管(LEDLight Emitting Diode)。半导体发光元件30在未图示的阳极电极和阴极电极之间施加规定的电压而流过电流时，在发光区域中进行发光。
在半导体发光元件30中，在与层叠型片状可变电阻V11中的可变电阻素体10的第1外表面22相对的相对面32上，分别形成有多个第1～第3突起电极34～36。各第1突起电极34与半导体发光元件30中的未图示的阳极电极连接，分别配置在对应于第1外部电极18的位置上。各第2突起电极35与半导体发光元件30中的未图示的阴极电极连接，分别配置在对应于第2外部电极20的位置上。这些第1和第2突起电极34、35通过回流焊与第1或第2外部电极20物理连接且电连接。这样，半导体发光元件30通过多个第1和第2突起电极34、35与第1和第2外部电极18、20连接，从而实现了半导体发光元件30与层叠型片状可变电阻V11的接合强度的提高。
另外，第1和第2外部电极18、20与对应于它们的突起电极32也电连接。因此，由第1内部电极12、第2内部电极14、以及可变电阻层A10、A12上的第1和第2内部电极12、14重叠的区域所构成的可变电阻，与半导体发光元件30并联连接。因此，由层叠型片状可变电阻V11可以保护半导体发光元件30免于受到ESD(Electro StaticDischarge静电放电)电涌的影响。此时，层叠型片状可变电阻V11的第1和第2外部电极18、20，作为层叠型片状可变电阻V11的输入输出端子电极发挥功能。
另一方面，各突起电极36与半导体发光元件30中的非电极部分的主体部分连接，分别配置在与各连接端子21一对一对应的位置上。各个突起电极36通过回流焊与各连接端子21物理连接且热连接。因此，各突起电极36将在半导体发光元件30中产生的热向第1和第2内部电极12、14以及热传导体16传递。
如以上所述，在第11实施方式中，热传导体16在可变电阻素体10的内部被形成为，沿着从第1外表面22朝向第2外表面24的方向延伸，同时平行于第1和第2内部电极12、14地延伸。该热传导体16由具有比可变电阻素体10的热传导率(在第11实施方式中为可变电阻素体10的主要成分ZnO的热传导率)更高的热传导率的材质形成。并且，热传导体16的一端面16a在第1外表面22上露出，热传导体16的另一端面16b在第2外表面24上露出。因此，在半导体发光元件30中产生的热，经由将热传导体16的一端面16a和半导体发光元件30物理连接且热连接的绝缘膜17、连接端子21和突起电极36，通过热传导体16从第1外表面22向第2外表面24传递(参照图3 1的箭头H1)。其结果是，可以利用层叠型片状可变电阻V11有效地向基板40扩散半导体发光元件30的热。
此外，在第11实施方式中，热传导体16配置在可变电阻层A11上的整个面上。因此，在将热传导体16形成在可变电阻层A11上时不需要做图形。其结果是，可以简化层叠型片状可变电阻V11的制造工序。此外，通常通过切断层叠了可变电阻层A10～A13的层叠体来制造多个层叠型片状可变电阻V11，这些可变电阻层上形成有多个热传导体16和多个第1和第2内部电极12、14的图案，因此，通过这样将热传导体16配置在可变电阻层A11上的整个面上，在进行层叠时不需要考虑可变电阻层A11的位置对准等。其结果是，适合于层叠型片状可变电阻V11的大量生产。
此外，在第11实施方式中，除了第1内部导体12的一端面12a中的靠近第1侧面26的区域和第2内部导体14的一端面14a中的靠近第2侧面27的区域以外，第1和第2内部导体12、14的一端面12a、14a和热传导体16的一端面16a被绝缘膜17覆盖。因此，热传导体16与第1和第2外部电极18、20不会电连接。其结果是，即使热传导体16的一端面16a在第1外表面22上露出时，也可以确保第1和第2外部电极18、20的图案形状的自由度。
(第12实施方式)下面，参照图32～图35说明第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻V12的构成。图32是表示第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图33是表示第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻的平面图。图34是图33的XXXIV-XXXIV线端面图。图35是图33的XXXV-XXXV线端面图。第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻V12，与上述的第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11的不同之处在于，第1和第2内部电极12、14的配置和热传导体16的配置。
第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻V12在可变电阻素体10内具备第1和第2内部电极12、14和两组5个热传导体16(热传导体组16A、16B)。第1和第2内部电极12、14配置在靠近可变电阻素体10的第4侧面29的位置，第1内部电极12比第2内部电极14配置在更外侧。热传导体组16A、16B配置在靠近可变电阻素体10的第3侧面28的位置，热传导体组16A比热传导体组16B配置在更外侧。
各连接端子21中最靠近第3侧面28配置并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21A)，从垂直于第1外表面22的方向看，以分别覆盖构成热传导体组16A的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式配置在绝缘膜17上，且与构成热传导体组16A的各热传导体16热连接。各连接端子21中靠近第3侧面28且比连接端子组21A更靠近第4侧面29配置、并且在第1和第2侧面26、27的相对方向上排列的3个连接端子21(连接端子组21B)，以分别覆盖构成热传导体组16B的各热传导体16的一端面16a上的规定区域的方式配置在绝缘膜17上，且与构成热传导体组16B的各热传导体16热连接。
如上所述，第12实施方式相关的层叠型片状可变电阻V12，也起到与第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11同样的作用效果。
(第13实施方式)下面，参照图36和图37说明第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻V13的构成。图36是表示第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻的立体图。图37的(a)是图36的XXXVIIA-XXXVIIA线端面图，(b)是图36的XXXVIIB-XXXVIIB线端面图。第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻V13，与上述的第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11的不同之处在于，热传导体16的形状。
第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻V13在可变电阻素体10内具备第1和第2内部电极12、14和两组5个热传导体16(热传导体组16A、16B)。第1和第2内部电极12、14均为大致T字形状的薄壁板状体。第1和第2内部电极12、14以如下方式配置其呈大致T字形状的一个前端部分的端面12a、14a以面向第1外表面22的方式引出至第1外表面22，且露出于第1外表面22，同时，其呈大致T字形状的另一个前端部分的端面12b、14b以面向第2外表面24的方式引出至第2外表面24，且露出于第2外表面24。第1和第2外部电极18、20分别与从第1外表面22露出的第1和第2内部电极12、14的端面12a、14a物理连接且电连接。
如上所述，第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻V13，也起到与第11实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11同样的作用效果。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了详细说明，但本发明并不限于上述的实施方式。例如，第1外表面22和第2外表面24也可以不是互相相对的。此时，通过将热传导体16配置为沿着从第1外表面22向第2外表面24的方向延伸，也可以通过热传导体16从第1外表面22向第2外表面24有效地扩散半导体发光元件30的热。
此外，在第1～第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1～V10中，传导体16的各端面16a、16b也可以不从第1和第2外表面22、24分别露出。此时，由热传导体16和可变电阻素体10的一部分形成热传导通路，通过该热传导通路从第1外表面22向第2外表面24传递来自半导体发光元件30的热。
此外，作为层叠型片状可变电阻V1～V13中的可变电阻素体10的形成方法，除了片层叠方法以外，也可以使用印刷层叠方法。
此外，在第1～第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V1～V10中，作为热传导体16在可变电阻素体10内的形成方法，也可以采用如下方法在形成可变电阻素体10之后，在可变电阻素体10中形成贯穿孔使其贯穿第1和第2外表面，并且在该贯穿孔中填充热传导体16。
此外，不仅是半导体发光元件30，为了对在动作中产生热的电子元件的热进行扩散，也可以将本发明相关的层叠型片状可变电阻与该电子元件连接。
此外，在第8～第10实施方式相关的层叠型片状可变电阻V8～V10中，构成各个热传导体组16A、16B的热传导体16为5层，但不限于此，构成各热传导体组16A、16B的热传导体16也可以为1层或2层以上，构成热传导体组16A的热传导体的数目和构成热传导体组16B的热传导体16的数目也可以不同。
此外，在第11～第13实施方式相关的层叠型片状可变电阻V11～V13中，构成各个热传导体组16A、16B的热传导体16为5层，但不限于此，构成各热传导体组16A、16B的热传导体16也可以为1层或2层以上，构成热传导体组16A的热传导体的数目和构成热传导体组16B的热传导体16的数目也可以不同。
从上面已经描述的发明可知，很明显本发明可以以各种方式进行改变。这些改变并不能被看作脱离了本发明的精神和范围，并且所有这种对本领域技术人员而言是显而易见的修改都应被认为包括在本发明权利要求的范围内。
权利要求
1.一种可变电阻元件，其特征在于，具备具有第1和第2外表面的可变电阻素体；至少其一部分之间相互相对地配置在所述可变电阻素体内的第1和第2内部电极；与所述第1内部电极电连接并且在所述第1外表面上形成的第1外部电极；与所述第2内部电极电连接并且在所述第1外表面上形成的第2外部电极，以通过所述可变电阻素体内并且从所述第1外表面向所述第2外表面的方式形成有热传导通路。
2.如权利要求1所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导通路与所述第1和第2内部电极平行地延伸。
3.如权利要求2所述的可变电阻元件，其特征在于，所述第1外表面和所述第2外表面相互相对，所述热传导通路在所述第1和第2外表面的相对方向上延伸。
4.如权利要求1所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导通路至少包括热传导率高于所述可变电阻素体的热传导率的热传导体。
5.如权利要求4所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体的一端露出于所述第1外表面，另一端露出于所述第2外表面。
6.如权利要求4所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体由与所述第1和第2内部电极的材质相同的材质构成。
7.一种可变电阻元件，其特征在于，具备具有第1和第2外表面的可变电阻素体；至少其一部分之间相互相对地配置在所述可变电阻素体内的第1和第2内部电极；与所述第1内部电极电连接并且在所述第1外表面上形成的第1外部电极；与所述第2内部电极电连接并且在所述第1外表面上形成的第2外部电极；以通过所述可变电阻素体内并且从所述第1外表面朝向所述第2外表面的方式配置的、一端在所述第1外表面露出的热传导体，以及以覆盖至少露出于所述第1外表面的所述热传导体的一端的方式配置在所述第1外表面的绝缘膜。
8.如权利要求7所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体以平行于所述第1和第2内部电极的方式延伸。
9.如权利要求8所述的可变电阻元件，其特征在于，所述第1外表面和所述第2外表面相互相对，所述热传导体在所述第1和第2外表面的相对方向上延伸。
10.如权利要求9所述的可变电阻元件，其特征在于，所述可变电阻素体具有以将所述第1外表面与所述第2外表面连接的方式延伸并且互相相对的第1侧面和第2侧面，所述热传导体在所述第1和第2侧面的相对方向上延伸。
11.如权利要求10所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体具有露出于所述第1和第2侧面的部分。
12.如权利要求7所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体的另一端露出于所述第2外表面。
13.如权利要求7所述的可变电阻元件，其特征在于，所述第1和第2内部电极的相对方向上的所述热传导体的宽度大于所述第1和第2内部电极的相对方向上的所述第1和第2内部导体的宽度。
14.如权利要求7所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体的热传导率高于所述可变电阻素体的热传导率。
15.如权利要求7所述的可变电阻元件，其特征在于，所述热传导体由与所述第1和第2内部电极的材质相同的材质构成。
全文摘要
本发明提供的层叠型片状可变电阻(V1)具备可变电阻素体(10)、第1和第2内部电极(12、14)、热传导体(16)、第1和第2外部电极(18、20)。可变电阻素体(10)具有第1和第2外表面(22、24)。第1和第2内部电极(12、14)以至少其一部分之间相互相对的方式配置在可变电阻素体(10)内。第1和第2外部电极(18、20)均形成在第1外表面上，第1外部电极与第1内部电极(12)连接，第2外部电极与第2内部电极(14)连接。热传导体(16)的一端面(16a)露出于第1外表面(22)，另一端面(16b)露出于第2外表面(24)，以从第1外表面(22)向第2外表面(24)的方向延伸的方式形成在可变电阻素体(10)内。
文档编号H01C7/10GK101042951SQ20071008915
公开日2007年9月26日 申请日期2007年3月20日 优先权日2006年3月20日
发明者斋藤洋, 田中均, 沼田真, 佐藤弘幸, 武内吾郎 申请人:Tdk株式会社