专利名称：具有嵌入式图案化电容的基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种形成电容器的改进方法。更具体地说，本发明涉及一种其中形成 有电容器的电路板的形成方法。
背景技术：
基本上在每个电子装置中都采用了电容器。电容器在电子电路中的功能是公知 的，因此此处不再讨论。电子行业不断追求着小型化电路系统。希望在不损失性能的情况下实现这种小型 化。对于小型化主要存在两种方案。一种方案是使得电路的每个组件都小型化和/或 增大电路中组件的密度。该方案已经被广发采用，并且已经做出了极大地的进步。可惜的 是，随着组件尺寸减小，处理复杂性增大，从而要求更加错综复杂的拾取及放置设备，而该 拾取及放置设备通常必须开发，由此增大了生产周期时间以及总体制造成本。并且，随着各 部分变得更小并且更紧密的布置，组件内或组件间的寄生效应增大。第二种小型化方案是在所选的组件中组合功能。例如，电路板基板所代表的基础 部分(real estate)总体上来说仅仅用作结构支撑以及连接，相反，其不对电路的电功能做 出贡献。将功能并入基板所占据的区域将发挥两个作用。可取消一个要么被表面安装要么 被并入的组件，并且本来无用的基板空间将得到再生利用。虽然这在理论上很直观，但是 实际地将功能并入基板在很多应用中是很难实现的。如美国专利NO. 7126811所描述的那 样，已经致力于将单独的电容器并入电路基板；但是，对足够薄到能够并入电路基板的分立 元件的布置要求专用的拾取及布置设备，以避免对该部分的机械应力以至可能会引起电缺 陷、返工增多等。与单层的层合相比，单独元件的布置还要求额外的处理时间。存在这样的应用，其中为了集成电路性能而要求大的去耦电容器，但是集成电路 上不存在足够的空间来包含这些大的电容器。在这种情况下，由于集成电路组装至电路板， 因此推荐增加外部电容，但是也可对嵌入式电容层充足地进行设定尺寸以埋入电路板基板 中，从而消除了对外部电容的需要。对基于陶瓷或者聚合物的嵌入式电容层合并在基板中，是现有技术已知的，如美 国专利No. 6657849所述。可预先形成这些层，随后利用业内公知的层合处理将它们与其它 层合并，与分立组件的合并相比，这要求较少的处理时间以及较不复杂的组装设备。但是， 可得到的电容被限定至每平方厘米几百皮法拉(picofarad)。需要诸如从电子管金属基板 产生的电容器之类的其它类型的电容器来使得并入层中的可用电容、以及由于电容层的并 入而得到的板空间节省效果最大化。用于并入电路板基板中的基于电子管金属的电容层的制造已经被美国专利 No. 7317610所描述。在此，阴极层形成在片状电子管金属基板的电介质阳极氧化物的表面 上。所得到的片状电容器形成了用于并入印制电路基板中的嵌入式电容层，其单位面积上 具有高电容(每平方厘米几十微法拉的数量级)。但是，没有提出一种用于在电路基板组装过程中对阳极层和阴极层进行电隔离的措施。具体地说，在形成镀金通孔的过程中，适当位 置没有用于防止电子管金属基板与固体电解质材料之间的接触的机制，从而可能产生电短 路。Katsir等人在美国专利No. 6865071中提出了一种方法，通过这种方法，电子管金属和 电介质以气相状态被有选择地涂覆。这允许形成不具有多孔电介质外膜的阳极基板的分立 区域；但是，固体电解质及随后的阴极层的施加必须被控制成使得导电阴极外膜保持与阳 极电隔离。需要昂贵的设备来控制阴极材料的施加，以使得电极的电隔离被保持而不会对 单位面积的电容产生有害影响。本发明针对一种在制造过程中将大电容并入基板中的简单且成本合算的方法。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于形成电容器的改进方法。本发明的另一个目的是提供一种用于形成包括电容的电路板的改进方法。本发明的具体特征是一种制造集成在基板中的电容器的方法。本发明的一个具体优势在于，能够再生利用电路中的原本对电路的电子系统毫无 贡献的基础部分。本发明的另一个具体优势在于，能够通过将表面安装的组件的功能并入基板或电 路板来消除该表面安装的组件。在形成具有电容的层合板(laminate)的处理中提供了这些或其它将被实现的优 势。该处理包括提供基板、以及在基板上层合导电箔阳极的步骤，其中箔上具有电介质。随 后，在电介质上形成包括一个或多个导电层的阴极来形成电容器。导电箔被加工以使得导 电箔的包含阴极的区域与其它导电箔之间电隔离。在电容器阴极和电路轨迹之间以及导电 箔阳极和第二电路轨迹之间进行电连接。提供了另一实施例，用于形成具有电容器的层合板的处理。该处理包括提供基板、 以及在基板上层合导电箔的步骤，其中箔起到电容器阳极的作用，并且箔上具有电介质。电 介质上提供隔离物。在电介质上形成包括一个或多个导电层的阴极，其中隔离物包围至少 一个导电层，优选地围绕至少一个导电层。导电箔被加工以使得导电箔的包含阴极的区域 与其它导电箔之间电隔离。在电容器阴极和电路轨迹之间建立电连接。通过将隔离物外的 导电箔区域连接至第二电路轨迹，建立了与电容器阳极的电连接。提供了又一实施例，具有电容的层叠结构。层叠结构具有第一基板以及层合至第 一基板的导电箔，其中导电箔上包括电介质。阴极在电介质上。第二基板形成了层叠结构， 其中导电箔和阴极在第一基板和第二基板之间。第一轨迹在第一基板和第二基板的至少一 个上，并且第一通孔形成阴极与第一轨迹之间的电连接。第二轨迹在第一基板和第二基板 的至少一个上；并且第二通孔形成导电箔与第二轨迹之间的电连接。
图1是图示出层压在基板上的箔的示意性俯视图。图2是图示出形成在箔的电介质上的导电层的示意性俯视图。图3是沿着图2的线3-3得到的示意性截面侧视图。图4是图示出其它层的示意性俯视图。
图5是沿着图4的线5-5得到的示意性截面侧视图。图6是本发明实施例的示意性截面侧视图。图7是其上涂覆有隔离物的层压在基板上的箔的示意性俯视图。图8是沿着图7的线8-8得到的示意性截面侧视图。图9是本发明实施例的示意性俯视图。图10是沿着图9的线10-10得到的示意性截面侧视图。图11是本发明实施例的示意性截面侧视图。图12是本发明实施例的示意性俯视图。图13是沿着图12的线13-13得到的示意性截面侧视图。图14是本发明实施例的示意性截面侧视图。图15是本发明实施例的示意性截面侧视图。
具体实施例方式将参考形成本公开文本的非限制性组成部分的各个附图来描述本发明。在各个附 图中，类似元件被相应地标记。描述了一种用于形成集成在印制电路板或基板中的电容器的处理。更具体地说， 本发明描述了一种用于制造其中集成了电容的印制电路板或基板的处理。在优选实施例中，具有集成电容器的基板将通过与其它层合并而被进一步处理， 从而形成完整的其中嵌入了电容器的基板。本发明可由附图中图示的处理来描述。在图1中，导电箔12被附接、粘结或层合至 未完工基板10。导电箔包括至少形成在与基板远离的表面上的电介质层13。电介质层可 在箔已经在基板上之后形成，但是先形成电介质层是优选的。导电箔优选地是一个电子管 金属，可选自铝、钽、铌、钛或者它们的组合、或者诸如NbO之类的导电氧化物。导电箔将最 终形成阳极。在一个实施例中，电介质优选地由箔的阳极氧化来形成。优选地，只有一种电 介质层；但是，箔的两侧可包含氧化物层。具有单个氧化物层的金属箔在商业上不可获得， 从而必须使用两面都被氧化的箔。优选地，导电箔的表面是粗糙化的，以便在阳极化以形成 氧化物电介质之前增大表面面积。电介质可通过其它方式形成，包括气相沉积、溶胶凝胶应用、以及基于溶剂的应 用，并且电介质可以是导电箔的氧化物或不同材料，例如陶瓷电介质。如图2的俯视图以及沿图2的线3-3得到的图3的侧视图所示意性地图示的那 样，在期望电容功能的区域中，固体电解质层14形成在暴露的电介质层13上。固体电解 质层可由一个或多个导电聚合物的一层或多层所组成。优选的导电聚合物包括聚吡咯 (polypyrrole)、聚苯胺(polyaniline)、以及聚噻吩(polythiophene) 0出于本发明的目 的，聚吡咯、聚苯胺、以及聚噻吩同样指的是它们的衍生物。导电聚合物可通过溶液或悬浮 液施加，或者导电聚合物可通过依次涂覆单体和氧化剂来原位形成。通过单体进行的原位 聚合物形成并不优选，原因是由于原位形成必须增加处理步骤的数量而使得将该处理并入 传统生产线自动处理中会很复杂。而且，通过单体的原位聚合物形成通常提供了更厚、密度 更小的聚合物层，而这在大多应用中是不期望的。通过本领域可获得的技术施加聚合物层， 对此不进行限制，其中示例性方法包括喷墨打印、丝网印刷、凹版涂布、或掩膜喷涂(maskedspraying)。除了聚合物层之外，固态电解质层还可包括二氧化锰层，或者固态电解质层可 只包括二氧化锰层，而不包括聚合物层。二氧化锰层优选地通过采用锰化合物(例如硝酸 锰或者高锰酸盐)的溶液、随后加热来将锰化合物转换成二氧化锰来形成。优选地，在沉积 聚合物之前，先沉积二氧化锰层；但是，它们可以被添加为混合物。如图4的俯视图以及沿图4的线5-5得到的图5的侧视图所示意性地图示的那样， 优选地在固体电解质层14上方提供碳层16。碳层改进了固体电解质层14和随后的导电层 18之间的粘合性，并且因此碳层16是优选的。通过施加包含碳原子的胶或厚墨，优选地以 石墨或炭黑的形式，从而将碳层形成在固体电解质层的图案化的表面上。可通过喷墨打印、 丝网印刷、凹版印刷、或喷涂来提供碳层，这些方法并不构成限制。导电层18是这样的一个层，其允许形成阴极与后续电路系统之间的高导电连接。 导电层可以是银、铜、金、或其他高导电金属、或者它们的组合。特别优选的是银、铜、银/铜 墨或胶。可通过喷墨打印、丝网印刷、凹版印刷、喷涂、溅射、原子层沉积或其它用于进行薄 层沉积的方式来沉积该层。阴极指的是固体电解质层、或者固体电解质层与碳层和导电层 的组合。 还是参考图4和图5，每个电容性耦合优选地通过箔中的界线20来彼此隔离，该界 线20对起到阳极作用并与阴极形成电容器的箔部分与剩余箔进行电隔离。可通过至少贯 穿氧化物层和电子管金属箔层进行蚀刻或切割来形成该界限。显然，界线的切口宽度必须 足够宽以避免电流越过界线。虽然界线被示出为窄线条，但是可以理解的是，它可以包括不 起到电容器阳极作用的箔的任意部分或全部，箔的足够区域被去除以避免从阳极部分流向 周围起到作用的箔的电流。大约0.025mm的宽度是足够的。但是，0. 05mm更优选。在一个 实施例中，箔可保留在完工的基板中，其中剩余箔既不提供电功能，也不作为电容器之外的 元件中的组件。在另一实施例中，在将箔提供至半成品基板之前，可在箔基底中产生窗口和 孔，或者这些区域可在提供至半成品基板之后去除。窗口和孔将使通孔和电镀通孔通过层 而不会连接至任意电容元件，并且有利于在层合处理期间对箔进行对准。在一个实施例中，导电箔可在电容器之间保持原封不动，从而最终形成具有公共 阳极的多个电容器。随后，可在多个阴极的至少两个之间建立接地和电源连接，而不连接至 导电箔阳极，包括以非极性结构方式连接的电容器器件。这允许在电路基板的设计中的更 大的灵活性在于，具有给定隔离物和阴极应用图案的嵌入式电容层可被用于多于一个的电 路基板设计。在一个实施例中，隔离物是通过对导电材料进行加工以使之变得不导电而形 成的非导电区域。在界线之后，有效电容器或多个电容器被布置在基板上，并且基板可适合于用在 一些应用中。可选地，界线可完全用于安装在可用的较大基板的一个基板上的一个或多个 有效电容器。在一个特定优选实施例中，还进一步处理以确保制备其中结合了电容的印制 电路板。如图6所示，优选地，有利地通过层合的方式将其它电路板材料21提供在电容器 和半成品基板上，从而形成基板材料中的嵌入式电容或嵌入式电容器。通过本领域已知的 技术提供其它电路板层，并且标准材料在此处适用。在层合之后，并且在形成电路板材料的 其它层的过程中，电容器的阳极和阴极终端必须被接触以连接至电路板上的最终的电路轨 迹。优选地利用盲孔或者通孔实现层间的导电性，这两者都将被描述，同时导电材料(例如，铜)的轨迹承担与每层的多个区域的连接。在图6中，阴极盲孔22直接形成在电容器的 阴极区域之上。这允许导体与阴极及阴极电路轨迹M均进行电接触，阴极电路轨迹M至 少暂时地处于电路基板的表面上。形成阳极盲孔沈，其与形成相对于电容性耦接更进入界 线的阳极的导电箔进行电接触。阳极盲孔允许其中的导体形成阳极和阳极电路轨迹观之 间的的电连接。穿过整个基板的阳极通孔30与相对于电容性耦接更进入界线的阳极电接 触，并且随后与电路基板表面上的至少一个阳极轨迹32电接触。显然，其它层合可能出现， 从而所描述的轨迹最终进入层叠的电路板。将参考图7-11来描述另一实施例。在图中，基板10、箔12、以及电介质13如上所 述。隔离物40形成在电介质的表面上。在一个实施例中，隔离物的内部区域具有所希望的 阴极的形状和大小，并且隔离物包围了阴极。图7的俯视图以及沿图7的线8-8得到的图8 的侧视图示出了形成阴极之前的隔离物。固体电解质和可选且优选的碳层及导电层被形成 在隔离物的区域中，从而形成电容器的阴极。图9的俯视图以及沿图9的线10-10得到的 图10的示意性侧视图终图示了所得到的电容器。隔离物40形成一个池，其中阴极42被涂 覆。在形成阴极之后，形成一个可选且优选的金属层44，并且电容器独立(singulated)。在 一个实施例中，沿着线46切割基板以分离出基板上的一个或多个分立电容器。可选地，线 46代表一个界线，其中导电箔介于电容器之间以对公共基板上的分立电容器进行电隔离或 者形成具有公共阳极的分立电容器。如前面所述，界线可表示一个对于电隔离来说足够宽 的窄带，或者可以去除不作为电容器阳极的整个箔部分。图11示意性地示出了进一步处理后的具体的一个优选实施例。其中示出了电容 器上层合的另外的电路板材料41。显然，必须在电容器和用于将在电路中实现的电容器功 能的轨迹之间进行电连接。图11所示的是盲孔48，主要用于阴极耦接，其中阴极与阴极轨 迹50电接触。通孔52优选地形成为穿过隔离物40，使得隔离物形成其中具有通孔的套筒。 通孔中散布的导体形成了作为阳极的导电箔与层合器件至少一侧上的阳极轨迹M之间的 电连接。从图中显然可以看出，穿过隔离物的盲孔还可被利用，其中盲孔并没有整个通过该 结构，而只是穿入到足以与导电箔阳极进行电接触的程度。图12的俯视图以及沿图12的线13-13得到的图13的侧视图所示意性地图示了 本发明的实施例。在图12和图13中，基板1 具有层合在其上的箔。箔包括第一导电层 128，例如金属箔和电介质130。阴极包括固体电解质134，以及第二导电层136形成在电介 质上，使得阴极和箔通过其间的电介质形成的电容性耦接。电容性耦接被界线132电隔离。 隔离物122提供了用于连接至阳极的通孔位置，其与剩余箔通过界线隔离。提供了第二隔 离物138，其中通孔238最终形成用于其它功能。图14所示的示意性侧视图示出了本发明的其它实施例。在图14中，基板126、第 一导电层128、电介质130、界线132、固体电解质134、隔离物122、以及第二隔离物138与 参考图12和图13时描述的一样。在图14中，其它层合140被提供来包装电容器元件，从 而形成具有嵌入式电容的层合基板。图示为通孔的阳极通孔144在第一隔离物122中。图 示为通孔的第二通孔142形成在第二隔离物138中。第二通孔可被利用来形成与箔的电连 接，该箔可被也可不被利用在基板的电容功能中。图15中的侧视示出另一实施例。在图15中，基板150具有涂覆在其上的金 属箔152和154，其中金属箔具有导电金属152和电介质154。隔离物162被提供者电介质上。通孔156(优选地是一个穿透的通孔)被形成为通过隔离物162，其中通孔大于最终所 希望的。通孔优选地涂覆有电介质170。随后，通孔被重钻并填充导电材料160。通孔被重 新形成为具有比先前的通孔更小的尺寸，从而形成第二通孔。得到的通孔158中具有项圈。 材料可以是导电材料，例如铜，以便形成其中具有导电套筒的通孔。可选地，材料160可以 是绝缘体材料，从而形成绝缘项圈。本发明的一个具体特征是形成具有薄层的电容器的能力，而这原本是很难制造 的。利用本发明，可以很容易地形成从阴极面到相对的阳极面测得的厚度小于250 μ m的电 容性元件。制造具有薄有效层的电容器的能力增大了电容量(capacitive volume)，而这正 是电容器制造所不断期望的。本发明实现了阳极、电介质和阴极大约10 μ m至250 μ m厚的 电容器的制造。更具体地说，本发明实现了小于100 μ m并且更优选地小于50 μ m的电容器 的制造。印制电路层可被形成为具有共用的印制电路板材料，诸如FR-4，但是本发明与大 多数可用多层印制电路材料兼容。在一个实施例中，每个后续层都稍微小于前一层，例如每一层的表面突起为“阶 梯”布置中的前一层留下一个框。这对于制造简便性而言是优选的，这是因为这极其难以下 面的区域的精确面积来覆盖下一层而不将一些材料掉下叠层的边缘。显然，期望的是尽量 具有足够的电容表面面积，而不牺牲由于下一层没有与表面隔离而引起的损失。基板并不被具体限制来呈现本发明。具体的合适的基板包括铜、覆盖铜的电路基 板(例如FR-4)、聚酰亚胺、酚醛树脂、BT、以及各种Rogers高性能材料(例如TMM等)。玻 璃增强聚合物是特别优选的基板。此处使用的术语阳极和阴极指的是被电介质隔离以形成电容性耦接的两个导电 层。出于本发明的目的，阳极指的是金属箔，阴极指的是形成在阳极箔的电介质上的导电 层。惯例上，阳极是正端，阴极是负端，但是如果包含较少的限制，这也可以反过来，而不损 害也不偏移本发明的要求和限制。隔离物是不导电的材料，能够被提供至表面并在其上形成提升的阻碍物。材料优 选地被提供为触变性材料。特别优选的隔离物材料包括聚酰亚胺、硅树脂(silicone)、环氧 树脂。在本发明中，虽然通孔被定义为在孔形成时在适当位置穿过所有层的孔。盲孔是 在孔形成时在适当位置穿过少于所有层的孔。此处使用的切割指的是将分立电容器与载体分离或将电容器相互分离的切割操 作，并且可以是完全切下或者部分通过器件。示例性方法包括布线、锯切割、刀切割、水刀切 割、激光切割、化学刻蚀、选择加热、激光刀割等。优选地利用粘合剂将箔层合至基板。特别优选的粘合剂包括聚酰亚胺、环氧树脂 以及丙烯酸酯(acrylate)。已经参考非限制性的优选实施例描述了本发明。本领域技术人员将想到并未具体 描述的但落入所附权利要求的范围的其它实施例。
权利要求
1.一种用于形成层合板的处理，所述层合板具有电容，该处理包括步骤提供基板；在所述基板上层合导电箔，其中所述导电箔包括电介质；在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层，从而形成至少一个分立阴极区域；加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电 箔电隔离。
2.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，其中所述形成导电层的步骤发生在将所 述导电箔层合至所述基板的步骤之前。
3.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，还包括去除所述导电箔的不包括所述阴 极区域的至少一个区域的步骤。
4.根据权利要求3所述的形成层合板的处理，在将所述导电箔层合至所述基板的步骤 之前，还包括去除所述导电箔的不包括所述阴极区域的至少一个区域的步骤。
5.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，还包括在所述导电层上层合第二基板的 步骤。
6.一种通过权利要求5的处理形成的层合板。
7.根据权利要求5所述的形成层合板的处理，还包括形成至少一个电镀通孔的步骤。
8.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，还包括在所述导电箔的至少一个区域与 导电轨迹之间形成电连接的步骤。
9.根据权利要求8所述的形成层合板的处理，其中与所述导电轨迹的所述电连接包括 通孑L。
10.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，还包括在所述至少一个阴极区域与导 电轨迹之间形成电连接的步骤。
11.根据权利要求10所述的形成层合板的处理，其中与所述导电轨迹的所述电连接包 括通孑L。
12.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，其中所述导电箔包括选自铝、钽、铌、钛 和NbO的一个导体。
13.根据权利要求12所述的形成层合板的处理，其中所述导电箔包括铝。
14.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，其中所述电介质是所述导电箔的氧化物。
15.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，其中所述加工所述导电箔的步骤选自 布线、锯切割、刀切割、化学刻蚀、水刀切割以及激光切割。
16.根据权利要求1所述的形成层合板的处理，其中所述基板包括玻璃增强聚合物。
17.一种通过权利要求1的处理形成的电容器。
18.一种用于形成层合板的处理，所述层合板具有电容，该处理包括步骤提供基板；在所述基板上层合导电箔，其中所述导电箔包括电介质；在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层，从而形成至少一个分立阴极区域；加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电 箔电隔离；还包括在所述导电层上层合第二基板；还包括形成至少一个电镀通孔，其中所述电镀通孔由如下步骤形成 在所述阴极区域之外的一个区域中形成通过所述层合板的第一孔； 利用非导电材料填充所述第一孔；形成通过所述非导电材料的第二孔，其中所述第二孔具有小于第一孔的直径；以及 将导电材料提供给所述第二孔，从而形成所述层合板的第一面与所述层合板的第二面 之间的导电通道。
19.一种用于形成层合板的处理，所述层合板具有电容，该处理包括步骤 提供基板；在所述基板上层合导电箔，其中所述导电箔包括电介质；在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层，从而形成至少一个分立阴极区域； 加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电 箔电隔离；其中所述导电层包括导电聚合材料或二氧化锰。
20.根据权利要求19所述的形成层合板的处理，其中所述导电聚合材料包括选自聚吡 咯、聚苯胺、以及聚噻吩的材料。
21.一种用于形成层合板的处理，所述层合板具有电容，该处理包括步骤 提供基板；向所述基板提供导电箔阳极；为所述导电箔形成电介质；在所述电介质的至少一个区域上形成隔离物；在所述电介质的至少一个区域上形成导电层，其中所述隔离物包围所述导电层以形成 阴极区域；以及加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述导电层的区域与其它导电箔电隔离。
22.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中导电材料的提供发生在将所述导 电箔附接至所述基板之前。
23.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中在提供所述导电层之后形成所述 隔离物。
24.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，还包括去除所述导电箔的不包括所述 阴极区域的至少一个区域的步骤。
25.根据权利要求M所述的形成层合板的处理，其中在向所述基板提供导电箔之前去 除所述导电箔的至少一个区域。
26.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，还包括在所述导电层上层合第二基板。
27.一种通过权利要求沈所述的处理形成的层合板。
28.根据权利要求沈所述的形成层合板的处理，还包括形成至少一个电镀通孔。
29.根据权利要求观所述的形成层合板的处理，其中所述电镀通孔由如下步骤形成 在所述阴极区域之外的一个区域中形成通过所述层合板的第一孔；利用非导电材料填充所述第一孔；形成通过所述非导电材料的第二孔，其中所述第二孔具有小于第一孔的直径；以及 将导电材料提供给所述第二孔，从而形成所述层合板的第一面与所述层合板的第二面 之间的导电通道。
30.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，还包括在所述导电箔阳极与导电轨迹 之间形成电连接的步骤。
31.根据权利要求30所述的形成层合板的处理，其中所述电连接包括通孔。
32.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，还包括在所述阴极区域与导电轨迹之 间形成电连接的步骤。
33.根据权利要求32所述的形成层合板的处理，其中所述电连接包括通孔。
34.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中通孔或电镀通孔穿过所述隔离物。
35.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述导电箔阳极包括选自铝、钽、 铌、钛和NbO的一个导体。
36.根据权利要求35所述的形成层合板的处理，其中所述导电箔阳极包括铝。
37.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述导电层包括选自导电聚合材 料和二氧化锰的材料。
38.根据权利要求37所述的形成层合板的处理，其中所述导电聚合材料包括选自聚吡 咯、聚苯胺、以及聚噻吩的材料。
39.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述电介质是所述导电箔的氧化物。
40.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述加工所述导电箔的步骤选自 布线、锯切割、刀切割、化学刻蚀、水刀切割以及激光切割。
41.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中通过向所述电介质的表面提供电 绝缘材料来形成所述隔离物。
42.根据权利要求41所述的形成层合板的处理，其中所述电绝缘材料包括选自环氧树 脂、聚酰亚胺、聚酰胺、硅氧烷以及硅树脂的聚合物。
43.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述隔离物是通过对所述导电材 料进行加工以使之不导电而形成的不导电区域。
44.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中对所述导电材料进行加工包括选 自化学反应、选择性加热和激光烧蚀的方法。
45.根据权利要求21所述的形成层合板的处理，其中所述基板包括玻璃增强纤维。
46.一种通过权利要求21所述的处理形成的电容器。
47.一种层叠基板，包括 第一基板；层合至所述第一基板的导电箔，其中所述导电箔上包括电介质； 所述电介质上的阴极；第二基板，形成了层叠结构，其中所述导电箔和所述阴极在所述第一基板与所述第二 基板之间；所述第一基板和所述第二基板的至少一个上的第一轨迹；第一通孔，形成所述阴极与所述第一轨迹之间的电连接； 所述第一基板和所述第二基板的至少一个上的第二轨迹；以及 第二通孔，形成所述导电箔与所述第二轨迹之间的电连接。
48.根据权利要求47所述的层叠基板，还包括所述第一基板与所述第二基板之间的隔 离物。
49.根据权利要求48所述的层叠基板，其中通孔或者电镀通孔穿过所述隔离物。
50.根据权利要求48所述的层叠基板，其中所述隔离物包围所述阴极。
51.根据权利要求47所述的层叠基板，其中所述阴极包括固体电解质层。
52.根据权利要求51所述的层叠结构，其中所述固体电解质层包括选自由导电聚合材 料和二氧化锰所组成的组中的至少一个导体。
53.根据权利要求52所述的层叠结构，其中所述导电聚合材料包括选自由聚吡咯、聚 苯胺、以及聚噻吩所组成的组中的至少一个材料。
54.根据权利要求47所述的层叠结构，其中所述导电箔包括选自铝、钽、铌、钛和NbO的 一个材料。
55.根据权利要求M所述的层叠结构，其中所述导电箔包括铝。
56.根据权利要求M所述的层叠结构，其中所述电介质包括选自铝、钽、钛、和铌的至 少电介质氧化物。
57.根据权利要求47所述的层叠结构，其中所述基板包括玻璃增强聚合物。
全文摘要
一种用于形成具有电容的层合板的处理以及由此形成的层合板。该处理包括提供基板，以及在基板上层合导电箔，其中导电箔包括电介质。在电介质上形成导电层。加工导电箔以使得导电箔的包含导电层的一个区域与其它导电箔电隔离。在导电层与阴极轨迹之间实现阴极导电耦接，并且在导电箔与阳极轨迹之间实现阳极导电耦接。
文档编号H01G4/12GK102105955SQ200980129368
公开日2011年6月22日 申请日期2009年7月28日 优先权日2008年7月28日
发明者克里斯·斯托拉斯基, 安东尼·P·查科, 格雷戈里·J·邓恩, 约翰·D·普莱马克, 阿莱西亚·梅洛迪 申请人:凯米特电子公司, 摩托罗拉解决方案公司