专利名称：Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及Cu-Mn合金溅射靶材、具有使用其而形成的Cu-Mn合金膜的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。
背景技术：
近年来，液晶面板的大画面化、高精细化不断进展。面板生产者的目标在于追求进一步的临场感，实现超高清(高视角化)、裸眼3D面板。伴随于此，对于液晶面板中使用的薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor),从使用现在的非晶娃(α -Si)半导体的TFT向使用氧化物半导体的TFT的开发正在急速地进行，氧化物半导体由于高移动度而可以高速动作，阈值电压的差异小，驱动电流均一性优良。作为氧化物半导体，氧化铟镓锌(InGaZnO， 以下也记载为IGZ0)、氧化锌(ZnO)等材料的研究正在进行，因而有必要研究与这些材质相适应的配线电极材料。
对于配线电极材料，以α -Si系TFT为例观察其动向，为了使动作速度高速化，正在进行从以往的铝(Al)配线向更低电阻的铜(Cu)配线的替换。另一方面，在Al配线、Cu 配线等金属配线与α-Si半导体的界面上，使用了作为扩散阻挡膜的钥(Mo)膜、钛(Ti) 膜，但使用Mo、Ti时存在材料成本高的课题。这里，为了降低液晶面板的制造成本，正在研究 作为替代的合金、制造工艺。
例如专利文献1、2以及非专利文献I中，公开了将铜-锰(Cu-Mn)合金适用于 α -Si系TFT的全部电极(源-漏电极以及栅电极)，并证实了其有效性。
另外，非专利文献2中，公开了在通过使用正硅酸乙酯(TEOS)气体的等离子体 CVD(化学气相沉积,Chemical Vapor Deposition)而成膜的氧化娃(SiO2)膜上,通过派射而形成的Cu-Mn合金膜。在该结构中，通过热处理，Cu-Mn合金中的Mn向SiO2膜的界面移动，与从SiO2膜扩散的氧(0)反应而形成由Mn的氧化膜构成的扩散阻挡膜。非专利文献2 中，研究了在扩散阻挡膜的形成时热处理温度、热处理时间以及Mn的浓度与扩散阻挡膜的厚度之间的关系，由此得知，Mn的浓度越高，则扩散阻挡膜的厚度越大，在30原子％以上的添加量时扩散阻挡膜的生长达到饱和。对于这样的结果，分析认为这与合金的熔点降低过程中添加元素的扩散系数增加的一般趋势是一致的。Cu-Mn合金的熔点在Mn浓度为30原子％附近显示为最小。因此，Mn的浓度在升至30原子％过程中，Cu-Mn合金膜中的Mn的扩散系数增加，促进扩散阻挡膜的生长。另一方面，如果Mn的浓度超过30原子％，则添加元素的供给量达到充分，Mn的扩散系数有减少的倾向，扩散阻挡膜的生长达到饱和。
此外，非专利文献3中，公开了在IGZO系TFT中采用Cu_4原子％ Mn合金膜，得到了良好的结果。即，在IGZO膜上通过溅射而形成Cu-4原子％ Mn合金膜，在与一般的TFT 的制造工艺温度接近的250°C进行热处理。由此，在合金膜的界面形成氧化锰(MnOx)膜，抑制了合金膜中的Cu向IGZO膜中的扩散。根据非专利文献3，该层叠膜中获得了良好的欧姆特性，接触电阻得到IO-4Qcm这样充分低的值。另外，对于电极的加工性，也通过湿式蚀刻取得良好的结果。具体而言，使用硝酸系的蚀刻剂，Cu-4原子％ Mn合金膜与IGZO膜的蚀刻速率的选择比为10 :1。
专利文献1:日本特开2010-050112号公报
专利文献2 :日本特开2008-261895号公报
非专利文献1:大西顺雄,佐伯真也大型TFT液晶〃°字> O Y —卜電極i ” 一 ^ · F ^ 4 y電極奁共(二 Cu配H (二十石Cu-Mn合金7。口七7技術f東北大好開発《訂正 b >9》”，[online]，2008 年 9 月 9 日，日经 BP 社「Tech-On !」，[2011 年 5 月 11 日检索]，网址〈URL http://techon. nikkeibp. co. jp/article/NEWS/20080909/157714>
非专利文献2 M. Haneda、J.1ijima 和 J. koike, “在 250-450 °C 下 Cu_Mn/Si02 界面上的自形成阻挡层的生长行为(Growth behavior of self-formed barrier at Cu-Mn/Si02 interface at 250_450°C ) ”，应用物理通讯(APPLIED PHYSICS LETTERS), 90. 252107(2007)
非专利文献3 :Pilsang Yun 和 Junichi Koike，“用于背通道蚀刻 a_IGZ0 TFT 的Cu-Mn电极的微观结构分析和电特性(Microstructure Analysis and Electrical Properties of Cu-Mn Electrode for Back-Channel Etching a-1GZO TFT)，，,第 17 届国际显不器会议(17th International Display Workshops (IDff; 10)), pp. 1873-18
发明内容
本发明人等为了验证上述的非专利文献3的结果，仿制了上述IGZO系TFT。电极结构采用了由Cu-Mn合金阻挡膜夹持低电阻的纯Cu膜的Cu-Mn/Cu/Cu-Mn结构的派射层叠膜。此外，在源-漏电极上形成由SiO2膜构成的保护膜。其结果与得到充分扩散阻挡性的非专利文献3不同，发现了元件特性的差异，认为原因是Cu向IGZO膜中的扩散。此外，发现了配线电阻值的上升，认为原因是在形成SiO2保护膜时纯Cu膜的氧化，而且耐氧化性也不充分。根据这样的结果，紧急的课题是获得具有更高扩散阻挡性以及氧化阻挡性(耐氧化性)的Cu-Mn合金膜。
本发明的目的是提供能够形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜的Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。
根据本发明的第I方式，提供一种Cu-Mn合金溅射靶材，是在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn 和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成,上述Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10 μ m以上50 μ m 以下。
根据本发明的第2方式，提供一种薄膜晶体管配线，在基板上具有依次形成有 Cu-Mn合金膜、纯Cu膜和Cu-Mn合金膜的层叠结构,上述Cu-Mn合金膜的至少一方使用第I 方式所记载的Cu-Mn合金溅射靶材来形成，并由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的 Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成。
根据本发明的第3方式，提供如第2方式所记载的薄膜晶体管配线，上述Mn的浓度为8原子％以上30原子％以下的上述Cu-Mn合金膜中的上述Mn的浓度的标准差为不足 0. 05原子％。
根据本发明的第4方式，提供一种薄膜晶体管，将如第2或第3方式所记载的薄膜晶体管配线隔着由InGaZnO膜构成的氧化物半导体而形成在上述基板上。
根据本发明，可以形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。
图1是安装有本发明的一个实施方式的Cu-Mn合金溅射靶材的溅射装置的纵断面图。
图2是本发明的一个实施方式的薄膜晶体管的概略断面图。
图3是本发明的实施例1 12以及比较例I 7中的评价样品的说明图，(a)是块状形成多个Cu-Mn/Cu/Cu-Mn层叠膜的评价样品的平面图，(b)是显示Cu-Mn/Cu/Cu-Mn层叠膜中的I个块的立体图。
图4是显示本发明的实施例1 12以及比较例I 7中的评价样品的薄膜电阻的图。
图5是本发明的实施例1、4、7、10和12 15以及比较例8 17中的评价样品的平面图。
符号说明
10 Cu-Mn合金溅射靶材
20溅射装置
30 IGZO系TFT (薄膜晶体管)
31玻璃基板
32栅电极
33栅绝缘膜
34通道部(氧化物半导体)
35b下部阻挡膜(Cu-Mn合金膜)
35D漏电极
35m中间膜(纯Cu膜)
35S源电极
35t上部阻挡膜(Cu-Mn合金膜)
36保护膜具体实施方式
如上所述，基于非专利文献3，在将含有由溅射形成的Cu-Mn合金膜的配线应用于 IGZO系TFT时，对IGZO膜没有获得充分的扩散阻挡性。即，在TFT基板内不同区域中，由于Cu-Mn合金膜中的Cu在IGZO膜中扩散，元件特性产生差异。另外，在配线上形成由SiO2 膜构成的保护膜时，对Cu-Mn合金膜的下层的纯Cu膜没有获得充分的氧化阻挡性(耐氧化性)，纯Cu膜被氧化而配线的电阻值上升。
本发明人等从TFT基板内元件特性有差异出发，推测出扩散阻挡性的不足是由于在Cu-Mn合金膜中的在基板内的Mn的浓度不均匀。即，认为，在对IGZO膜上的Cu-Mn合金膜实施热处理而形成MnOx时，一直到在TFT基板内的Mn的浓度低的部分形成MnOx为止，Cu 都在IGZO膜中扩散。此外，由于氧化阻挡性不足，认为Cu-Mn合金膜中的Mn浓度的合适化是必要的。
基于这样的考察，本发明人等为了提高Cu-Mn合金膜对IGZO膜的扩散阻挡性以及对纯Cu膜的氧化阻挡性，从研究Cu-Mn合金膜的形成中所使用的溅射靶材的组成以及结晶结构等各种特性开始，进行了认真研究。其结果，发现了 Cu-Mn合金溅射靶材中的结晶粒径与使用该靶材而形成的Cu-Mn合金膜中Mn的浓度不均匀之间有相关关系。另外，对用于得到充分的氧化阻挡性所必须的Mn的浓度的合适值也有所发现。
本发明是基于发明人等发现的上述现象而提出的。
本发明的一个实施方式
(I) Cu-Mn合金溅射靶材
以下，对于本发明的一个实施方式的铜-锰(Cu-Mn)合金溅射靶材10 (参照后述的图1)进行说明。Cu-Mn合金溅射靶材10形成为例如具有规定的外径和厚度的圆板型，构成为能用于各种半导体元件的配线的形成等。
构成Cu-Mn合金溅射靶材10的Cu-Mn合金，是由纯度都为3N(99. 9% )以上的无氧铜(OFC :0xygen_Free Copper)和纯猛(Mn)按照规定比率配合而成的合金。S卩，Cu-Mn 合金溅射靶材由例如含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的 Cu-Mn合金构成。
如果使用含有上述规定浓度的Mn的Cu-Mn合金派射祀材10,则形成为含有与该浓度大体同等浓度的Mn的Cu-Mn合金膜。通过使Cu-Mn合金膜中的Mn的浓度为上述规定值以上，即例如8%以上，则在例如后述的TFT配线的层叠结构中，对作为Cu-Mn合金膜的下层的 纯Cu膜等可以获得充分的氧化阻挡性。另外，通过使Cu-Mn合金膜中的Mn的浓度为上述规定值以下，即例如为30%以下，则在例如上述层叠结构中，能够抑制Mn在IGZO膜、纯 Cu膜等的与Cu-Mn合金膜相接的膜中的扩散。
此外，构成Cu-Mn合金溅射靶材10的Cu-Mn合金，将其平均结晶粒径调整到例如 10 μ m以上50μπι以下。
根据本发明人等发现的上述结晶粒径与Mn浓度不均匀之间的相关关系，Cu-Mn合金派射祀材10中的结晶粒径越微细，则使用Cu-Mn合金派射祀材10而形成的Cu-Mn合金膜中的Mn的浓度不均匀越低，TFT基板面内的Mn的浓度的均一性越高。因此，如上所述， 通过使平均结晶粒径为例如50 μ m以下，可以形成更均一的Cu-Mn合金膜，能够降低元件特性的差异。
通过如上所述构成Cu-Mn合金派射祀材10,能够使用该Cu-Mn合金派射祀材10形成具有高扩散阻挡性以及氧化阻挡性的Cu-Mn合金膜。
构成Cu-Mn合金溅射靶材10的Cu-Mn合金与在上述TFT中用作扩散阻挡膜的Mo、 Ti等相比，材料成本低廉。通过上述的结构，能够良好地将Cu-Mn合金溅射靶材10应用于 TFT的制造中，由于可以由Cu-Mn合金膜构成例如阻挡膜等，因此能够实现大幅降低TFT、液晶面板的制造成本。
⑵Cu-Mn合金派射革巴材的制造方法
接着,对于本发明的一个实施方式的Cu-Mn合金派射祀材10的制造方法进行说明。
首先，按照规定比例混合纯度都为3N(99.9% )以上的无氧铜和纯Mn，在例如1100°C以上1200°c以下的温度熔融、铸造，形成例如含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金铸锭。
接着，将该铸锭在例如800°C以上900°C以下的温度进行热锻后，进行冷轧，使得达到例如50%以上70%以下的加工度。这里，加工度是指由压延引起的铸锭的厚度的减少率((压延后的铸锭厚度/压延前的铸锭厚度)XlOO (% ))。
然后，对冷轧后的铸锭在700°C以上900°C以下的温度实施热处理，实现构成铸锭的Cu-Mn合金的再结晶化。
这里，通过对冷轧的加工度和其后的热处理温度进行规定的组合，可以调整Cu-Mn 合金中的结晶粒径。这时，如果热处理温度高，则结晶粒径粗大化。具体而言，通过将冷轧的加工度和热处理温度的组合在上述各自的范围内选择，得到由例如10 μ m以上50 μ m以下的微细晶粒构成的Cu-Mn合金。
然后，对形成为上述规定结晶结构的铸锭实施镜面研磨等机械加工，成形为例如具有规定外径和厚度的圆板型。
如上所述,制造Cu-Mn合金派射祀材10。
(3)使用Cu-Mn合金派射祀材的成膜方法
接着，对于通过使用本发明的一个实施方式的Cu-Mn合金溅射靶材10进行溅射来形成Cu-Mn合金膜的方法，使用图1来进行说明。
图1是安装有本发明的一个实 施方式的Cu-Mn合金溅射靶材10的溅射装置20的纵断面图。需要说明的是，图1所示的溅射装置20仅是一个例子，Cu-Mn合金溅射靶材10 还可以安装到其他的各种类型的溅射装置中来使用。
如图1所示，溅射装置20具有真空室21。在真空室21内的上部设置有基板保持部22s，作为成膜对象的基板S以将要成膜的面向着下方的方式被保持。在真空室21内的底部设置有靶保持部22t，例如Cu-Mn合金溅射靶材10以溅射面向着上方的方式被保持，与基板S的被成膜面相对。需要说明的是，溅射装置20内还可以保持多个基板S，将这些基板 S —并处理或连续处理。
此外，将真空室21的一方的壁面与气体供给管23f连接，与气体供给管23f相对的另一方的壁面与气体排气管23v连接。气体供给管23f与向真空室21内供给氩(Ar)气等非活性气体的未图示的气体供给系统连接。气体排气管23v与将Ar气等真空室21内气氛排出的未图示的气体排气系统连接。
在该溅射装置20中对基板S进行成膜时，将Ar气等供给到真空室21内，并对真空室21投入DC放电电力，使得在Cu-Mn合金溅射靶材10上施加负的高电压，在基板S上施加正的高电压。
由此，主要在Cu-Mn合金溅射靶材10与基板S之间生成等离子体，正的氩(Ar+)离子G轰击Cu-Mn合金溅射靶材10的溅射面。通过Ar+离子G的轰击，从Cu-Mn合金溅射靶材10被轰击出来的Cu和Mn的溅射粒子P堆积到基板S的被成膜面，在基板S上形成具有与Cu-Mn合金溅射靶材10大体同等的Mn浓度的Cu-Mn合金膜M。即，Cu-Mn合金膜M含有例如浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质。
此外，这时，如上所述，由于Cu-Mn合金溅射靶材10中的平均结晶粒径为10 μ m以上50 μ m以下，是微细晶粒，因此如果Cu-Mn合金膜M中的Mn浓度的标准差不足例如O. 05原子％，则可以形成Mn的浓度不均匀少、具有良好均一性的Cu-Mn合金膜M。根据本发明人等的研究，与有时使等离子体产生异常放电的粗大晶粒不同，微细晶粒很少成为阻碍等离子体安定性的要因。因此推测，通过保持更加稳定的均一的等离子体，能够提高所形成的 Cu-Mn合金膜M中的Mn的浓度的均一性。
以上，根据本实施方式，使用Cu-Mn合金溅射靶材10可以形成具有高扩散阻挡性以及氧化阻挡性的Cu-Mn合金膜。这样形成了 Cu-Mn合金膜M的基板S，在按照例如所希望的配线图案对Cu-Mn合金膜M构图而形成配线后，作为以TFT为首的各种半导体元件来使用。
(4)薄膜晶体管的结构
使用Cu-Mn合金溅射靶材10形成的Cu-Mn合金膜，如上所述，可以适用于具有例如由InGaZnO构成的IGZO膜的薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)配线。以下，作为其一个例子，对于作为薄膜晶体管的IGZO系TFT30的结构，使用图2来进行说明。图2 是本实施方式的IGZO系TFT30的概略断面图。
如图2所示，IGZO系TFT30具有例如玻璃基板31、在玻璃基板31上形成的栅电极 32、栅电极32上的源电极35S和漏电极35D(以下也称为源-漏电极35S、35D)。例如在每一元件上形成这些电极32、35S、3 ，将玻璃基板31例如在各元件中切割成矩形形状等。或者，也可以将玻璃基板31以多个IGZO系TFT30排列成阵列状的方式进行切割。
栅电极32与例如未图示的栅配线连接，在栅电极32上隔着栅绝缘膜33形成通道部34，作为成形为规定图案的氧化物半导体。栅绝缘膜33例如由氮化硅(SiN)或氧化硅 (SiO2)等形成。此外，通道部34由例如以InGaZnO4为原料，通过溅射等形成的氧化铟镓锌 (InGaZnO IGZ0)膜构成。
通道部34上形成有夹着通道部34所具有的背通道34b按照规定图案成形的源-漏电极35S、35D。源-漏电 极35S、35D与未图示的源-漏配线连接。在源-漏配线上形成有与外部交换电信号的未图示的电极焊盘。
主要通过源-漏电极35S、35D、源-漏配线以及电极焊盘等构成本实施方式的薄膜晶体管(TFT)配线。
包括源-漏电极35S、3 的TFT配线从玻璃基板31侧开始具有依次由作为Cu-Mn 合金膜的下部阻挡膜35b、作为纯Cu膜的中间膜35m和作为Cu-Mn合金膜的上部阻挡膜35t 按此顺序层叠而成的层叠结构。
下部阻挡膜35b以及上部阻挡膜35t中任何一方或者双方通过使用上述Cu-Mn合金溅射靶材10来形成，由例如含有浓度为8原子％以上30原子％以下且该浓度的标准差为不足例如O. 05原子％的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成。此外，下部阻挡膜35b 以及上部阻挡膜35t形成为例如膜厚为50nm以上IOOnm以下。
中间膜35m以例如纯度为3N(99. 9% )以上的无氧铜为原料，通过溅射等形成的纯 Cu来构成。此外，中间膜35m可以形成为例如膜厚为200nm以上300nm以下。
如此，通过形成将由低电阻的纯Cu构成的中间膜35m夹在由Cu-Mn合金构成的阻挡膜35b、35t之间的结构，能够抑制源-漏电极35S、35D、TFT配线的电阻。此外，通过对形成的Cu-Mn/Cu/Cu-Mn层叠膜实施热处理，在通道部34和下部阻挡膜35b的界面(IGZ0膜 /Cu-Mn合金膜)上形成氧化锰(MnOx)膜，可以提高例如下部阻挡膜35b的扩散阻挡性。
此外，在玻璃基板31上的大致整个面上，以覆盖源-漏电极35S、35D以及露出的背通道34b的方式形成有保护膜36。
保护膜36例如由通过等离子体CVD等形成的SiO2构成。由此，与在α -Si系TFT 中直接适用作为保护膜使用的氮化硅(SiN)膜等的情况不同，能够在不是氢还原气氛而是氧化气氛中形成保护膜36。因此，能够抑制因构成通道部34的IGZO膜中的氧缺少而引起的IGZO膜所具有的半导体特性向金属特性的变性。
此外，在形成保护膜36时，如果进一步实施由例如一氧化二氮(N2O)气体等氧化性气体的等离子体进行的前处理，则可以补充通道部34的IGZO膜中的氧，将背通道34b的表面氧化，进行非活性化。在CVD装置内进行由N2O气体等进行的前处理后，接着进行使用例如N2O气体和甲硅烷(SiH4)气体的混合气体的等离子体CVD，形成由SiO2构成的保护膜 36。
但是，在由上述方法形成保护膜36时，将源-漏电极35S、3 等的配线也曝露于氧化气氛中。因此，如上所述，在基于非专利文献3的记载制作的IGZO系TFT中，产生视为因由纯Cu构成的中间膜的氧化而导致的配线的电阻值的上升。
这里，本实施方式中，上部阻挡膜35t、下部阻挡膜35b的Mn浓度为例如8原子％ 以上。由此，提高例如上部阻挡膜35t的氧化阻挡性(耐氧化性)，在N2O气体的等离子体等的氧化气氛中，能够抑制构成作为下层的中间膜35m的纯Cu的氧化。
此外，本实施方式中，上部阻挡膜35t、下部阻挡膜35b的Mn的浓度为例如30原子％以下。由此，能够抑制Mn向构成通道部34的IGZO膜、作为纯Cu膜的中间膜35m等与阻挡膜35t、35b相接的膜中的扩散。
此外，本实施方式中，用于形成上部阻挡膜35t、下部阻挡膜35b的Cu-Mn合金溅射靶材10，由例如平均结晶粒径为10 μ m以上50 μ m以下的Cu-Mn合金构成。由此，可以提高例如下部阻挡膜35b中的Mn的浓度的均一性，提高玻璃基板31上的大致整个面上的下部阻挡膜35b的扩散阻挡性。即，通过热处理形成MnOx膜时，在玻璃基板31上的大致整个面上，能够抑制Cu向下部阻挡膜35b的下层的通道部34中的扩散。由此， 能够降低IGZO系 TFT30的元件特性的差异，提高IGZO系TFT30、液晶面板的制造成品率。
需要说明的是，能够使用Cu-Mn合金溅射靶材10来形成的TFT的结构，不限于上述记载的结构。例如，具有与上述不同的膜结构的IGZO系TFT、ZnO系TFT或α -Si系TFT 等也可以使用Cu-Mn合金派射祀材10。此外,不仅TFT,在Si太阳能电池元件等使用Si半导体的各种半导体元件中也能够适用Cu-Mn合金溅射靶材10。
以上具体说明了本发明的实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，在不脱离其宗旨的范围内可以进行各种变更。
实施例
对于本发明的实施例中的Cu-Mn合金膜的氧化阻挡性以及扩散阻挡性的评价结果，进行以下说明。
(I)氧化阻挡性的评价
参照以下的表1，与比较例I 7 —起说明氧化阻挡性的评价中的实施例1 12。
表I
权利要求
1.一种Cu-Mn合金溅射靶材，其特征在于，是在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成,所述Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10 μ m以上50 μ m以下。
2.一种薄膜晶体管配线，其特征在于，在基板上具有依次形成有Cu-Mn合金膜、纯Cu膜和Cu-Mn合金膜的层叠结构,所述Cu-Mn合金膜的至少一方使用权利要求1所述的Cu-Mn合金溅射靶材来形成，并由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管配线，其特征在于，所述Mn的浓度为8原子％以上30原子％以下的所述Cu-Mn合金膜中的所述Mn的浓度的标准差为不足O. 05原子％。
4.一种薄膜晶体管，其特征在于，权利要求2或3所述的薄膜晶体管配线隔着由InGaZnO膜构成的氧化物半导体而形成在所述基板上。
全文摘要
本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是，一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材(10)，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成，Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。
文档编号H01L29/786GK102994952SQ20121010359
公开日2013年3月27日 申请日期2012年4月10日 优先权日2011年9月9日
发明者辰巳宪之, 上田孝史郎 申请人:日立电线株式会社