专利名称：液晶显示面板阵列基板及其制造方法
液晶显示面板阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明是关于一种液晶显示面板阵列基板及其制作方法，特别地，涉及一种液晶显示面板阵列基板金属布线及其制作方法。
背景技术：
随着光电技术的发展，数字化视频或图像装置已经成为一般日常生活中常见的产品。在这些数字化视频或图像装置中，显示器是重要的人机沟通界 面。使用者可经由显示器读取信息进而控制装置的运作。而薄膜晶体管(TFT)是应用于显示器中的驱动组件。如图I所示，一般而言，薄膜晶体管包含栅极(gate) 11、通道层(channel) 10以及源极(source) 12和漏极(drain) 13等组件。而连接栅极11和源极12输入电信号的则分别是栅极线14和数据线15。当在进行栅极线14、数据线15或者其它金属布线，比如说共通电极线16的制作时，如图2所示，会在基板100通过物理气相沉积(PVD)方法形成多层金属薄膜，当然这些金属布线可能是沉积在其它的膜层上，这些金属层一般为钥/铝/钥金属叠层或钥/铝金属叠层，甚至在特定制程下可为多层纯铝；此处图2所示的则为钥/铝/钥金属叠层结构，分别是钥101，铝102，钥101的叠层结构。然后如图3所示，再利用湿式蚀刻或者干蚀刻方式对多层金属层进行图案化工艺，形成具有一定倾斜角度侧边的金属布线，当然也不限于上述的蚀刻方式。但是，利用上述材料所制作的金属布线，在进行下一制程之前，即覆盖下一层薄膜之前，在金属布线的侧边的铝金属层102会有部分裸露在空气中，而由于铝金属具有非常高的金属活性，只要接触到空气或者设备中的氧或者水蒸气，很容易在铝的表面形成一层氧化铝20，而氧化铝20的导电性能非常差，当这样的金属布线和其它传递电讯号的导体薄膜或者导线连接时，会形成较高的接触电阻，造成不稳定的电信接触，从而影响显示的效果，甚至造成显示面板的报废。如图4所示，传统的制作方式在蚀刻完金属线后，就进行下一膜层的沉积，将整个金属线覆盖，在此后的制程中通过形成接触孔洞进行电信的接触。而由于铝金属层102是作为整个金属布线中最主要的电性传递层，其它金属层则主要承担解决金属层和其它层粘附问题或者铝金属在制作过程中的缺陷问题，但是，由于氧化铝20的存在，使得金属布线和其它导体组件接触时，接触电阻非常的高，甚至出现不能导通的情况。因此，降低金属布线的接触电阻成为了制造高品质显示器一个亟待解决的问题。
发明内容本发明提供一种液晶显示面板阵列基板金属布线，其具有较低的接触电阻。本发明提供的液晶显示面板阵列基板金属布线，为多层金属膜结构，其中多层金属层中至少包含一铝金属层具有一曝露面，该曝露面经过氢气及氮气的等离子体处理后，具有一氮化铝薄膜。
本发明一实施例中该金属布线具有倾斜的侧边，该倾斜侧边包含具有氮化铝薄膜的曝露面。本发明一实施例中，该金属布线为三层金属膜结构。本发明的另一实施例中，该金属薄膜材质依次为钥铝钥。本发明提供的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，其中钥金属膜的厚度为200埃到300埃之间。本发明提供的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，其中铝金属膜的厚度为2500埃到3500埃之间。本发明提供的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，其中倾斜侧边通过蚀刻形成。本发明提供的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该氮化铝薄膜通过氮气处理金属布线表面形成。本发明更提供一种液晶显示面板阵列基板金属布线的制作方法，在蚀刻后采用气体等离子进行侧边处理，从而降低金属布线的接触电阻，改善显示质量。本发明提供了一种液晶显示面板阵列基板金属布线的制作方法，连续沉积多层金属薄膜，蚀刻该多层金属薄膜形成具有倾斜侧边的金属布线，在倾斜侧边上包含一曝露面，采用氢气的等离子体处理该金属布线的倾斜侧边，然后采用氮气的等离子体处理该倾斜侧边，在该曝露面上形成一氮化铝薄膜。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该金属薄膜为三层。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该金属薄膜材质依次为钥铝钥。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该钥金属膜的厚度为200埃到300埃之间。 在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该铝金属膜的厚度为2500埃到3500埃之间。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该金属薄膜通过物理气相沉积方式形成。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该蚀刻方式为干蚀刻。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该蚀刻方式为电感耦合等离子(ICP)蚀刻。在本发明的一个实施例中，上述阵列基板的金属布线制作方法，该蚀刻方式为湿蚀刻。其中如上述的液晶显示面板阵列基板金属布线的制作方法，该金属布线可以为栅极线、数据线，共通电极线或者其它金属导线。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
图I为现有技术正视图。图2为现有技术阵列基板制作流程图。图3为现有技术阵列基板制作流程图。图4为现有技术阵列基板制作流程图。图5为本发明实施正视图。图6为本发明实施例结构图。图7A为本发明制作流程7B为本发明制作流程图
具体实施方式为让本发明更明显易懂，下文特举较佳实施例详细介绍。本发明之较佳实施例均配以对应的图示标号。第一实施例实施例一，请参照图5,图5为本发明提供的一种液晶显不面板阵列基板正视图，其中在基板(图中未标示)，上横向分布着多数条扫描线210，与扫描线交错分布着多数条数据线220，扫描线和数据线纵横交错形成了多个画素，其中多个薄膜晶体管位于扫描线210和数据线220交叉处，其中扫描线210连接着栅极251，数据线220连接着源极252，而栅极251上方还有重叠并被绝缘层隔开的通道层253，漏极254通过连接孔255连接着画素电极256，此外，还有和扫描线210平行分布并位于画素区域的共通电极线230。因此在本发明中的金属布线包含有栅极线210、数据线220以及共同电极线230，当然并不限于此。在液晶显示面板中的还分布有其它金属布线。如图6所示，本发明之金属布线设计，首先通过物理气相连续沉积多层金属膜于基底200上，当金属布线是直接形成于基板上，则基底为基板，比如说玻璃基板，塑料基板，其它可挠性基板等。当金属布线形成于其它膜层之上，则基底可能为其它膜层，比如说绝缘膜。在本实施例中为三层金属膜结构，其中最下面一层为钥金属膜301，中间为铝金属膜302，最上层金属层为钥金属膜301，即为钥铝钥结构，本发明中的铝金属膜的厚度在2500埃到3500埃之间，而两层钥金属膜的厚度均为200埃到300埃之间。其中该金属膜在沉积后通过覆盖光阻材料，然后通过对光阻进行曝光，接着进行显影形成预定形状的光阻，然后进行蚀刻制程；在蚀刻实现金属层图案化的制程中，蚀刻方式可以为干蚀刻、湿蚀刻，也可以是电感耦合等离子蚀刻。在干蚀刻过程中通过光阻后退法形成倾斜侧边的金属布线，具体是在干蚀刻时，蚀刻气体中含氧，在蚀刻过程中含氧的气体会和光阻反应，从而在边缘部分反应掉小部分的光阻，从而使得光阻从边缘向中心部分后退，从而露出金属层的垂直方向的上部分，从而形成一个具有倾斜角度的金属层。并且该倾斜侧边具有一曝露面305。形成了预定形状的并具有曝露面305的倾斜侧边金属布线后，因为在进行下一制程之前，阵列基板移出了蚀刻的腔体或者在输送到下一制程的过程中，接触到空气或者水蒸气，又因为铝金属的化学特性比较活跃，很容易形成了一层氧化铝薄膜，因此，本发明进一步就上述的金属布线进行一个氢气处理的制程以去除该氧化铝薄膜306 ；通过氢气的等离子体处理金属布线，氢气和氧化铝反应后会形成氢氧根，氢氧根会在制程、中进行抽除，从而去除了氧 化铝，紧接着，进行一个氮气的等离子体的处理过程，使得曝露面305的表面形成了氮化铝311的薄膜，从而隔绝了铝金属膜和氧气或者水蒸气，使其不再发生氧化反应。而由于氮化铝311材质本身具备较好的导电能力，氮化铝311材质本身近似于欧姆接触的材质，因此亦不影响电性的接触。所以，本实施例中金属布线的金属膜为三层结构，并且形成了具有曝露面305的倾斜侧边的结构，在倾斜侧边的曝露面305上覆盖有氮化铝薄膜311。第二实施例本发明的另一实施例提供了一种液晶显示面板阵列基板金属布线的制作方法，如图7A至图7B所示，首先，连续沉积多层金属膜于基底200上，当如果形成金属布线是直接形成于基板上，则基底200为基板，比如说玻璃基板，塑料基板，其它可挠性基板等。当如果形成的金属布线形成于其它膜层之上，则基底可能为其它膜层，比如说绝缘膜。本实施例以基板为例，连续沉积多层金属膜于基板连续沉积了三层金属膜，其中最下面一层为钥金属膜301，中间为铝金属膜302，最上层金属层为钥金属膜301，即为钥铝钥结构，本发明中的铝金属膜的厚度在2500埃到3500埃之间，而两层钥金属膜的厚度均为200埃到300埃之间。金属膜的沉积方式为物理气相沉积。其中该金属膜在沉积后通过覆盖光阻材料(图中未绘示)，然后通过对光阻进行曝光，接着进行显影形成预定形状的光阻，然后进行蚀刻制程，蚀刻实现金属层图案化的制程，蚀刻方式可以为干蚀刻、湿蚀刻，也可以是电感耦合等离子蚀刻。在蚀刻过程中通过光阻后退法形成倾斜侧边的金属布线，并且该倾斜侧边具有一曝露面305。形成了预定形状的并具有曝露面305的倾斜侧边金属布线后，因为在进行下一制程之前，阵列基板移出了蚀刻的腔体或者在输送到下一制程的过程中，接触到空气或者水蒸气，又因为铝金属的化学特性比较活跃，很容易形成了一层氧化铝薄膜306，因此，本发明提供了一个氢气处理的制程去除该氧化铝薄膜306，如图7所示，通过氢气的等离子体处理金属布线，氢气和氧化铝反应后形成氢氧根，氢氧根会在制程中进行抽除，从而去除了氧化铝，紧接着，进行一个氮气的等离子体的处理过程，使得曝露面305的表面形成了氮化铝的薄膜，从而隔绝了铝金属膜和氧气或者水蒸气，使其不再发生氧化反应，而氮化铝311材质本身具备较好的导电能力，氧化铝311材质本身近似于欧姆接触的材质，因此并不影响电性的接触。所以,本实施例中金属布线的金属膜为三层结构，并且形成了具有曝露面305的倾斜侧边的结构，在倾斜侧边的曝露面305上覆盖有氮化铝薄膜311。然后进行下一制程，覆盖下一膜层(图中未绘示)，将整个金属布线完全包覆，从而进一步隔绝了曝露面305和空气或者水蒸气发生氧化反应，在后面的制程中通过接触孔洞连接该金属布线，达到传递电信号的作用。本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
权利要求
1.一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，为多层金属膜结构，所述的多层金属膜结构中至少包含一铝金属层具有一曝露面，所述的曝露面经过氢气及氮气的等离子体处理后，具有一氮化铝薄膜。
2.如权利要求I所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该金属布线具有倾斜的侧边，所述的倾斜侧边包含该具有氮化铝薄膜的曝露面。
3.如权利要求I所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该金属布线为三层金属膜结构。
4.如权利要求2所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该金属薄膜材质依次为钥铝钥。
5.如权利要求3所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布，该钥金属膜的厚度为200埃到300埃之间。
6.如权利要求3所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该铝金属膜的厚度为2500埃到3500埃之间。
7.如权利要求I所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该倾斜侧边通过蚀刻形成。
8.如权利要求I所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线，该氮化铝薄膜通过氮气处理金属布线表面形成。
9.一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，包括如下步骤 连续沉积多层金属膜； 蚀刻该多层金属膜形成具有倾斜侧边的金属布线，在所述的倾斜侧边包含一曝露面； 采用氢气的等离子体处理该金属布线的倾斜侧边； 然后再采用氮气的等离子体处理该倾斜侧边，在所述的曝露面形成一氮化铝薄膜。
10.如权利要求9所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该金属膜为三层。
11.如权利要求10所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该金属膜材质依次为钥铝钥。
12.如权利要求11所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该钥金属膜的厚度为200埃到300埃之间。
13.如权利要求11所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该铝金属膜的厚度为2500埃到3500埃之间。
14.如权利要求9所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该金属薄膜通过物理气相沉积方式形成。
15.如权利要求9所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该蚀刻方式为干蚀刻。
16.如权利要求9所述的一种液晶显示面板阵列基板的金属布线制作方法，该蚀刻方式为湿蚀刻。
全文摘要
一种液晶显示面板阵列基板的金属布线及其制作方法，包括如下步骤，首先连续沉积多层金属膜，然后蚀刻该金属膜形成金属布线，使其具有倾斜侧边包含有一曝露面，接着采用氢气的等离子体处理该金属布线的倾斜侧边，然后再采用氮气的等离子体处理该倾斜侧边，在金属布线的曝露面形成氮化铝的薄膜。
文档编号H01L27/02GK102645807SQ201210103318
公开日2012年8月22日 申请日期2012年4月10日 优先权日2012年4月10日
发明者许民庆, 高翔 申请人:深超光电(深圳)有限公司