使用热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室清洁基板表面的方法与流程

技术特征：
1.一种用于清洁基板的表面的方法，所述方法包含以下步骤：在将基板提供至热丝化学气相沉积腔室之前，将所述基板加热到20摄氏度至1000摄氏度的期望温度，所述基板具有布置在所述基板的表面上的材料；提供所述基板至基板支撑件，所述基板支撑件在所述热丝化学气相沉积腔室内；将所述基板维持在20摄氏度至1000摄氏度的期望温度；提供氢(H2)气至所述热丝化学气相沉积腔室；将布置在所述热丝化学气相沉积腔室中的一个或更多个灯丝加热至足以解离所述氢(H2)气的温度；及将所述基板暴露至解离的所述氢(H2)气以从所述基板的所述表面移除至少一些所述材料。2.如权利要求1所述的方法，其中提供所述氢(H2)气至所述热丝化学气相沉积腔室的步骤包含以下步骤：用惰性气体稀释所述氢(H2)气。3.如权利要求2所述的方法，其中用惰性气体稀释所述氢(H2)气的步骤包含以下步骤：提供所述氢(H2)气对所述惰性气体的比例，所述比例为1:9至9:1。4.如权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体是氩(Ar)或氦(He)之一。5.如权利要求2所述的方法，其中稀释所述氢(H2)气的步骤包含以下步骤之一：混合所述氢(H2)气与所述惰性气体，且提供所述氢(H2)气与所述惰性气体的混合物至所述热丝化学气相沉积腔室；或使所述氢(H2)气与所述惰性气体共同流至所述热丝化学气相沉积腔室。6.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中所述一个或更多个灯丝包含多个灯丝，且其中所述多个灯丝的每个灯丝都被布置成距另一相邻的灯丝10mm至120mm。7.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中所述一个或更多个灯丝被布置在所述基板上方20mm至120mm。8.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中所述一个或更多个灯丝具有0.2mm至1mm的直径。9.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中布置在所述热丝化学气相沉积腔室中的所述一个或更多个灯丝的所述温度为1000摄氏度至2400摄氏度。10.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中将所述基板暴露至解离的氢(H2)气以移除所述材料的步骤包含以下步骤：将所述基板暴露至解离的氢(H2)气达10秒至300秒。11.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中在从所述基板的所述表面移除至少一些所述材料的同时，所述热丝化学气相沉积腔室维持在10mTorr至500mTorr的压强下。12.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中所述材料包含碳或氧之一。13.如权利要求1至5的任一项权利要求所述的方法，其中所述材料具有1纳米至2纳米的厚度。