专利名称：离子注入方法、输送容器及离子注入装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种离子注入方法、输送容器及离子注入装置。
背景技术：
太阳能电池中，硅等半导体材料吸收光时产生的电子空穴对由于形成于电池内部的Pn结等产生的电场，电子向η层侧移动，空穴向P层侧移动，从而作为电流向外部电路输出。形成ρη结或接触层时需要局部进行使杂质的浓度或种类不同的处理。作为这种处理之一利用离子注入技术。例如，专利文献I中公开有为了实现提高太阳能电池的效率的杂质分布，而对基板表面进行多次离子注入的装置。该装置中，在真空状态的装置内对基板进行第I离子注入之后，在装置内部将掩模配置于基板上，随后进行第2离子注入。专利文献1:日本特表2011-513997号公报然而，在真空中的装置内部很难进行基板与掩模的定位。并且，掩模被消耗或污染时需要进行更换，不得不解除真空状态并使装置停止，因装置停止时间增大而导致太阳能电池的生产成本上升。
发明内容
本发明的目的之一在于，提供一种提高对太阳能电池用基板表面进行离子注入的装置的生产率的技术。为了解决上述课题，本发明的一种形态的离子注入方法包括:配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池 用基板的托盘一体使用的掩模配置于第I位置或第2位置，所述第I位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置；第I注入工序，在真空中，以掩模处于第I位置的状态，对基板表面的第I区域进行离子注入；及第2注入工序，在真空中，以掩模处于第2位置的状态，对基板表面的第2区域进行离子注入。本发明的另一形态为输送容器。该输送容器向离子注入装置的内部输送太阳能电池用基板，其具备:托盘，能够容纳基板；掩模，能够在第I位置与第2位置之间移动，所述第I位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置；及连结机构，以使掩模能够在第I位置与第2位置之间移动来连结掩模和托盘。本发明的又一形态为离子注入装置。该离子注入装置向太阳能电池用基板注入离子，其具备:载置部，载置输送容器；离子注入源，对容纳于输送容器的基板进行离子注入；真空装置，使配置有离子注入源的处理室成为真空状态；输送部，将输送容器从载置部输送到处理室；及移动机构，在处于真空状态的处理室内，使输送容器的掩模在第I位置与第2位置之间移动。发明效果
根据本发明，能够提高对太阳能电池用基板表面进行离子注入的装置的生产率。
图1 (a)是第I实施方式所涉及的输送容器的俯视图，图1 (b)是图1 (a)的A-A截面图。图2是输送容器的托盘部分的俯视图。图3是图1 (b)所示的B区域的放大图。图4 (a)、图4 (b)是示意地表示托盘与掩模的连结机构的一例的图。图5是示意地表示第I实施方式所涉及的离子注入装置的结构的图。图6 (a) 图6 (C)是用于说明基于第I实施方式所涉及的离子注入方法改变基板内的杂质浓度的示意图。图7是用于说明第I实施方式所涉及的离子注入方法的概要的流程图。图8是示意地表示第2实施方式所涉及的离子注入装置的结构的图。图9 (a) 图9 (C)是用于说明基于第2实施方式所涉及的离子注入方法改变基板内的杂质浓度的示意图。图中:P1-第I位置，P2-第2位置，10-输送容器，11-基板，Ila-缘部，12-托盘，12a-容纳部，12b-外缘部，12c-底部，14-掩模，14a-狭缝，14c-抵接部，100-离子注入装置，124-载置部，125-输送部，132、134-离子注入源，154-退火室，156-加热机构，160-移动机构，200-离子注入装置。
具体实施例方式以下，对用于实施本发明的方式进行详细说明。另外，以下叙述的结构为例示，并非对本发明的范围进行任何限定。本实施方式所涉及的离子注入方法包括:配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池用基板的托盘一体使用的掩模配置于第I位置或第2位置，所述第I位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置；第I注入工序，在真空中，以掩模处于第I位置的状态，对基板表面的第I区域进行离子注入；及第2注入工序，在真空中，以掩模处于第2位置的状态，对基板表面的第2区域进行离子注入。在此，“表面”并不限定于基板的上、下任一面，包括表背两面。这样，至少包括2阶段将杂质作为离子注入的工序的离子注入方法时，能够通过利用掩模来分别使在各注入工序中注入离子的区域不同。在制造太阳能电池单元时，例如在形成选择发射极时能够采用这种注入工序。例如，能够在形成选择发射极时使用第I注入工序。作为太阳能电池用基板利用硅的单晶晶片等。掩模通过覆盖基板的预定区域而容许离子注入到被覆盖的区域以外的基板表面。掩模上形成有预定图案的狭缝，离子根据该图案注入到基板表面，因此需要在基板的预定区域高精确度地掺杂杂质时，基板与掩模的定位精确度变得重要。例如，还能够在真空中的装置内部相对基板移动掩模来进行基板与掩模的定位，但很难迅速地进行高精确 度的定位，还使装置复杂化。并且，掩模被消耗或污染时需要进行更换，不得不解除真空状态并使装置停止，因装置停止时间增大而还导致太阳能电池的生产成本上升。相对于此，本实施方式所涉及的离子注入方法，在大气中进行如下工序:将与容纳太阳能电池用基板的托盘一体使用的掩模配置于第I位置或第2位置，所述第I位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置。因此，能够轻松地进行掩模相对托盘的配置。尤其，在大气中将掩模配置于第I位置时，在进行注入离子的真空装置内无需重新进行基板与掩模的定位。并且，由于在大气中相对托盘配置掩模，因此容易确认掩模的消耗或污染，更换也变得极为轻松。另外，“大气中”不一定是指I气压左右的气氛，还可包括无需真空装置之类的大规模装置就能够简单地实现的作业气氛。掩模只要是能够与托盘一体使用的形状即可，例如优选为与托盘相同程度的大小且覆盖基板这种板状罩形状。由此，能够使容纳基板的托盘与掩模成为一体的输送容器状态的厚度变薄，且能够缩小积载空间或输送空间。掩模优选例如以硅、碳、玻璃等中至少I种为主成分的材料。并且，掩模例如还能够使用金属或陶瓷等。在此，掩模“与托盘一体使用”不仅是指局部相互连结以免分离的情况，还包括能够分离的情况。这些情况时，也可使其他部件设置于掩模与托盘之间。并且，掩模“相对基板定位的状态”不仅是指掩模相对基板直接定位的状态，还包括掩模经其他部件(例如托盘)相对基板间接定位的状态。即，其为掩模与托盘被定位，托盘与基板被定位，结果掩模与基板被定位之类的情况。并且，掩模“从基板表面上退避”不仅是指完全从基板表面退避的情况，还包括从基板表面移动与注入离子时掩模不发挥作用的程度的情况。[第I实施方式]接着，例示离子 注入装置的结构的同时，对本实施方式所涉及的输送容器及离子注入方法进行说明。(输送容器)图1 (a)是第I实施方式所涉及的输送容器的俯视图，图1 (b)是图1 (a)的A_A截面图。图2是输送容器的托盘部分的俯视图。另外，图2中省略掩模的图示。图1所示的输送容器10用于向后述的离子注入装置的内部输送太阳能电池用基板。输送容器10具备:托盘12，将太阳能电池用基板11容纳于预定位置；掩模14，覆盖基板表面的局部区域；连结机构(图1中未图示)，连结托盘12与掩模14。另外，关于连结机构的具体例子将进行后述。如图2所示，托盘12具有将多个基板11按每一个基板进行容纳的多个容纳部12a。本实施方式所涉及的托盘12的例子中，作为容纳部12a形成有以纵向3个横向3个划分的9个凹部，在各凹部中容纳基板11。各凹部为与基板尺寸相称的正方区域，具有基板的容许误差和收容空间上的富余。各凹部例如为一边为150 250mm左右的正方区域。掩模14上形成有多个狭缝14a。在现行的选择发射极的例子中，邻接狭缝之间的间隔为2 4mm左右，型板宽度为100 500 μ m左右。图3是图1 (b)所示的B区域的放大图。托盘12形成为容纳部12a的外缘部12b朝向底部12c倾斜(所谓锥形)。因此将基板11安装于托盘12时，即使基板11相对容纳部12a的底部12c呈偏移的状态，基板11的缘部Ila也会沿着外缘部12b渐渐朝向预定位置即底部12c修正其位置。由此，基板11最终定位到底部12c的预定位置。这样，基板11通过外缘部12b和底部12c定位到预定位置。图4 (a)、图4 (b)是不意地表不托盘与掩模的连结机构的一例的图。图4 (a)表示掩模以相对基板定位的状态处于覆盖该基板表面的局部区域的第I位置Pl的状态，图4(b)表示处于从基板表面上退避的第2位置P2的状态。图4(a)所示的处于第I位置Pl的托盘12与掩模14例如通过形成于彼此的其中一方的槽12d (或者凸条14b)与凸条14b (或者槽12d)卡合来实现连结机构。由此，能够使掩模14在第I位置Pl与第2位置P2之间可靠地移动。并且，掩模14具有抵接部14c，所述抵接部通过在第I位置Pl抵接到基板11或托盘12而被定位。由此，仅通过使掩模14向第I位置Pl移动并进行配置，能够实现掩模14相对基板11的定位。(离子注入装置)图5是示意地表示第I实施方式所涉及的离子注入装置100的结构的图。如图5所示，离子注入装置100是用于提供本实施方式所涉及的离子注入方法的装置。离子注入装置100具备:过渡腔室(load lock chamber,以下适当称为“LC”)114,暂时容纳由输送机械手112输送过来的输送容器10，且具有用于从大气连结到真空的粗抽机构和基于氮等的通风机构；工艺腔室(process chamber,以下适当称为“PC”)118a、118c,维持真空状态或与其接近的状态，且分别具有离子注入源132、134 ；3个缓冲腔室(buffer chamber,以下适当称为“BC”)116、118b、120，配置于工艺腔室前后，内部具有掩模驱动机构，且能够维持真空状态或与其接近的状态；卸荷过渡腔室(unload lock chamber,以下适当称为“ULC”)122，当向真空腔室的外部排出输送容器10时，暂时留存输送容器10，且具有用于从真空连结到大气的基于氮等的通风机构。在此，BCl 16、188b、120以缓和由真空连结所产生的影响使PCI 18a与PCI 18c的压力稳定作为目的而设置，因此也可根据LC、PC的尺寸设计、掩模驱动机构的配置位置变更为其他机构来省略。并且，离子注入装置100具`备:载置部124，载置由输送机械手112从前工序搬运过来的输送容器10 ;输送部125,从载置部124朝向各腔室输送前述的输送容器10。作为ill工序，能够举出在基板表面形成凹凸(纹理)结构的工序。该工序是为了实现在应提闻太阳能电池中光吸收的基板表面上的光散射而进行的工序。输送部125例如通过传送带驱动系统实现。本实施方式所涉及的输送部125设置成输送容器10能够直线且连续地在离子注入装置100内部移动。图5所示的离子注入装置100中，输送容器10以在大气中将掩模配置于第I位置Pl的状态置于载置部124。载置于载置部124的输送容器10通过输送部125送出至LC114。若输送容器被搬入至LCl 14，则与载置部124之间的闸阀126被关闭，若LCl 14通过与LCl 14连接的粗抽泵达到预定的粗抽真空度，则与BC116之间的闸阀128被打开。并且，在输送容器10被送出至BC116之后，闸阀128被关闭，LC114为了下一个输送容器的搬入而由氮等进行换气。BC116的内部通过涡流分子泵(以下适当称为“TMP”)129始终维持高真空，因此搬入到BC116的输送容器瞬间达到高真空气氛，并且在该阶段将输送容器10的掩模位置向第2位置P2移动。完成掩模的移动后，设置于BCl 16与进行尚子注入的PCl 18之间的闸阀130被打开，输送容器10乘传送带从BCl 16输送到PCl 18的内部，其后闸阀130被关闭。
PC118由中途未配置闸阀且在高真空下连结的3个处理室PC118a、BC118b、PC118c构成。在PC118a、118c上配置有分别能够在不同的条件下设置的离子注入源132、134。并且，设置有与 PC118a、BC118b、PC118c 对应的 3 个 TMP136、138、140。TMP136、138、140 能够使PC118成为真空状态。图6 (a) 图6 (C)是用于说明基于第I实施方式所涉及的离子注入方法改变基板内的杂质浓度的不意图。以下，对基板11为P型娃晶片(图6 (a))的情况进行说明,但当然也可为η型硅晶片的情况或其他种类的半导体基板的情况。输送到PC118的内部的输送容器10在PCllSa的阶段处于掩模14配置于第2位置Ρ2的状态。该状态下，离子注入源132通过电弧放电或高频放电使包含η型杂质的PH3气体等发生离子化，将其电场加速之后，对基板11的整个表面注入离子。由此，如图6 (b)所示，在基板11的整个表面形成η层lib。之后，容纳基板11的输送容器10输送到下一个BC118b。在维持真空的处理室118b中，输送容器10的掩模14从第2位置P2向第I位置Pl移动。将掩模14从第2位置向第I位置移动的移动机构160有多种，但例如可通过配置于PC118的内部的机械手臂160A实现(参考图4)。或者，可将卡合部配置于PC118的内部，所述卡合部通过与输送过来的输送容器10或掩模14的一部分卡合来使掩模14相对托盘12移动。总之，这些移动机构不要求掩模14与基板11的高精确度定位，只要具有能够使掩模14在第I位置Pl与第2位置P2之间移动的作用即可，因此能够简化结构。并且，只要可使掩模14在第I位置Pl与第2位置P2之间移动，则即使在真空中也没有特别的困难。掩模14 配置于第I位置Pl的状态的输送容器10输送到下一个PC118c。离子注入源134通过电弧放电或高频放电使包含η型杂质的PH3气体等发生离子化，将其电场加速之后，对基板11表面的预定区域进行离子注入。由此，如图6 (c)所示，在基板11表面的预定区域形成杂质浓度高于η层Ilb的η+层11c。这种发射极结构被称为选择发射极层，有助于降低在太阳能电池制造的后工序中形成的指状(梳齿)电极与基板11之间的接触电阻。若2阶段的注入工序结束，则闸阀142被打开，输送容器10输送到下一个BC腔室120之后，闸阀142被关闭。真空腔室120中设置有用于实现预定真空度的TMP144。若闸阀142被关闭，则处于真空腔室120与ULC122之间的闸阀145被打开，输送容器10输送到ULC122，且闸阀145被关闭。之后，ULC122由氮等进行换气，接着闸阀146被打开，输送容器10搬出至大气中。若输送容器10搬出至大气中，则闸阀146再次被关闭，ULC122为了搬出下一个输送容器10而通过粗抽泵进行粗抽。离子注入装置100的下游侧配置有输送机械手148，所述输送机械手用于将保持已进行离子注入的基板11的输送容器10输送到之后的工序中。并且,输送过来的输送容器10依次容纳于输送机械手148并搬送到后工序中。另外，在该时刻掩模上发现异常时能够轻松地进行更换，因此无需如真空装置内的掩模更换那样停止装置，从而能够谋求降低装置的停机时间而提高生产率。图7是用于说明第I实施方式所涉及的离子注入方法的概要的流程图。如上述，在大气中准备将掩模14相对托盘12配置于第I位置Pl的输送容器10 (SlO)0并且，将输送容器10输送到离子注入装置100的内部(S12)。在BCl 16的内部,输送容器10的掩模14被移动到第2位置P2 (SH)0并且，在PC118的PC118a中，为了对基板11进行整面注入而执行第2注入工序(S16)。接着，在BC118b中，输送容器10的掩模14被移动到第I位置P1(S18)。并且，在PCI 18c中，为了对基板11进行选择注入而执行第I注入工序(S20 )，完成注入后，输送容器10输送至装置外(S22)。如上述，在真空中无需通过输送容器10重新准确地检测托盘或掩模的位置，且该输送容器预先被构成为相对于容纳有基板11的托盘12而配置掩模14的位置成为预定的第I位置Pl或第2位置P2。因此，无需进行位置的检测或对位，能够提高离子注入装置的生产率。假设，即使在以掩模处于第2位置的状态对基板进行离子注入后，使掩模移动到第I位置来进行离子注入时，仅通过使掩模相对托盘移动到预定的第I位置，就能够进行掩模与基板的高精确度的对位。[第2实施方式]图8是示意地表示第2实施方式所涉及的离子注入装置200的结构的图。另外，关于与第I实施方式所涉及的离子注入装置100相同的结构添加相同符号适当省略说明。本实施方式所涉及的离子注入装置200的主要特征为设置有对已进行离子注入的基板进行退火处理的退火室，且在第I注入工序后执行第2注入工序。与第I实施方式相同，输送容器10以在大气中将掩模配置于第I位置Pl的状态置于载置部124。该状态下，输送装置10经由LC114及BC116，输送到进行离子注入的PC118内。这样，第2实施方式中，在BC116中并不将输送容器10的掩模的位置从第I位置Pl向第2位置P2移动，因此无需在BC116中设置用于移动掩模的位置的移动机构。
图9 (a) 图9 (C)是用于说明基于第2实施方式所涉及的离子注入方法改变基板内的杂质浓度的示意图。与第I实施方式相同，基板11为P型硅晶片(图9 (a))。在处理室118a的阶段，被输送到PC118内部的输送容器10处于掩模14配置于第I位置Pl的状态。该状态下，离子注入源132通过电弧放电或高频放电使包含η型杂质的PH3气体等发生离子化，将其电场加速之后，对基板11表面的预定区域注入离子。由此，如图9 (b)所示，在基板11表面的预定区域形成杂质浓度较高的η+层11c。之后，容纳基板11的输送容器10被输送到下一个处理室118b。在维持真空的处理室118b中，输送容器10的掩模14通过上述移动机构从第I位置Pl向第2位置P2移动。处理室118b中设置有使掩模14从第I位置向第2位置移动的移动机构。掩模14配置于第2位置P2的状态的输送容器10被输送到下一个处理室118c。离子注入源134通过电弧放电或高频放电使包含η型杂质的PH3气体等发生离子化，将其电场加速之后，对基板11的整个表面注入离子。由此，如图9 (c)所示，在包括η+层Ilc的基板11的整个表面形成η层lib。这样，在第2实施方式所涉及的离子注入方法中，第I注入工序、掩模移动工序、第2注入工序不会破坏真空且能够以该顺序连续进行。若2阶段的注入工序结束，则闸阀142被打开，输送容器10被输送到下一个真空腔室120之后，闸阀142被关闭。真空腔室120中设置有用于实现预定真空度的TMP144。若闸阀142被关闭，则处于真空腔室120与邻接的真空腔室150之间的闸阀145被打开，输送容器10输送到下一个真空腔室(缓冲腔室)150之后，闸阀145被关闭。该缓冲腔室不维持高真空，接着通过氮等进行换气处理，连接至下一个退火室，但退火室为灯式退火等在高真空下也能够处理的类型时，还能够省略该缓冲腔室自身。
接着，闸阀152被打开，输送容器10被输送到下一个退火室154之后，闸阀152被关闭。退火室154中设置有用于对基板进行退火的加热机构156。作为加热机构156例如除电热线外，还可使用激光加热、加热灯等。退火工序中，需要加热整个基板，因此不优选掩模覆盖基板表面的状态(掩模处于第I位置的状态)。在离子注入装置200中，由于在第2注入工序之后执行对基板11进行退火的退火工序，因此能够以掩模处于第2位置的状态将输送容器10输送到退火室154。此时，在退火室154中基板表面相对加热机构156露出，能够在掩模处于第2位置的状态下进行均匀的退火。并且，无需将移动掩模位置的移动机构设置于PCl 18的下游侧。接着，处于与ULC122之间的闸阀157被打开，输送容器10被输送到ULC122，闸阀157被关闭。并且，最后闸阀146被打开，输送装置10搬出至大气中。如上所说明，根据本发明的一实施方式，能够提高对太阳能电池用基板表面进行离子注入的离子注入装置的生产率。并且，将基板与掩模预先被定位的输送容器导入到装置内部，因此进行基板与掩模的定位时无需XY载物台、光学检测系统等复杂且高价的定位机构，能够降低制造装置的成本。并且，在如真空腔室之类的工艺处理室的内部，可使基板与掩模的定位处理简化、省劳力化，因此能够提高太阳能电池用基板的处理能力。并且，掩模经过一系列工艺处理后与托盘一同排出至大气中，因此伴随掩模狭缝的磨损、杂质的堆积等的掩模更换、清洗等维护及其管理变得轻松。以上参考上述各实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，适当组合或替换各实施方式的结构的内容也包括在本发明中。并且，根据本领域技术人员的知识，还能够在各实施方式中的离子注入方法、离子注入装置、输送容器等中对实施方式施加各种设计变更等变形，施加这种变形的实施方式也包括在本发明的范围内。输送容器不仅可为能够同时装填如上述的多个基板的分批(batch)托盘类型，也可为只能装填I片基板的单片类型。并且，当输送容器为能够同时装填如上述的多个基板的分批托盘类型时，能够装填 到输送容器的基板片数不限于9片，也可将其他片数(例如，4片或16片等)的基板装填到输送容器中。托盘的形状只要为装填基板时能够在机械允许误差范围内相对托盘定位并进行装填的机构即可，也可不是上述形状。并且，设置于托盘的容纳部不限于正方形形状，也可与基板的形状对应地设为其他形状。第I注入工序及第2注入工序不限于形成选择发射极层和整面发射极层的情况，也可使用于太阳能电池或半导体的其他制造工序中。掩模不限于相对如上述的托盘沿一个方向滑动的机构，可为以与托盘的一边平行的旋转轴为中心开闭的结构，并且也可为分割类型向多个方向开闭的结构。本申请主张基于2012年2月9日申请的日本专利申请第2012-026715号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
权利要求
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括: 配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池用基板的托盘一体使用的掩模配置于第I位置或第2位置，所述第I位置为以相对所述基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从所述基板表面退避的位置； 第I注入工序，在真空中，以所述掩模处于所述第I位置的状态，对所述基板表面的第I区域进行离子注入 '及 第2注入工序，在真空中，以所述掩模处于所述第2位置的状态，对所述基板表面的第2区域进行离子注入。
2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于， 在所述配置工序中，将所述掩模配置于第I位置， 在所述第I注入工序后执行所述第2注入工序。
3.如权利要 求1或2所述的离子注入方法，其特征在于， 该离子注入方法包括对所述基板进行退火的退火工序， 在所述第2注入工序后，以将所述掩模配置于所述第2位置的状态执行所述退火工序。
4.如权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于， 该离子注入方法还包括移动工序，在真空中，使所述掩模在所述第I位置与所述第2位置之间移动。
5.如权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于， 在所述第I注入工序与所述第2注入工序之间执行所述移动工序。
6.一种输送容器，向离子注入装置的内部输送太阳能电池用基板，其特征在于，具备: 托盘，能够容纳所述基板； 掩模，能够在第I位置与第2位置之间移动，所述第I位置为以相对所述基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从所述基板表面退避的位置；及连结机构，以使所述掩模能够在所述第I位置与所述第2位置之间移动的方式来连结所述掩模和所述托盘。
7.如权利要求6所述的输送容器，其特征在于， 所述托盘具有定位部，所述定位部将所述基板定位到预定位置， 所述掩模具有抵接部，所述抵接部通过在所述第I位置抵接于所述基板或所述托盘而被定位。
8.如权利要求6或7所述的输送容器，其特征在于， 所述托盘具有将多个所述基板按每一个基板进行容纳的多个容纳部。
9.一种离子注入装置，对太阳能电池用基板注入离子，其特征在于，具备: 载置部，载置权利要求6至8中任一项所述的输送容器； 离子注入源，对容纳于所述输送容器的基板进行离子注入； 真空装置，使配置有所述离子注入源的处理室成为真空状态； 输送部，将所述输送容器从所述载置部输送到所述处理室 '及移动机构，在处于真空状态的所述处理室内，使所述输送容器的掩模在所述第I位置与所述第2位置之间移动。
全文摘要
本发明提供一种离子注入方法、输送容器及离子注入装置，其提高对太阳能电池用基板表面进行离子注入的装置的生产率，本发明的离子注入方法包括配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池用的基板的托盘一体使用的掩模配置于第1位置或第2位置，所述第1位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置；第1注入工序，在真空中，以掩模处于第1位置的状态，对基板表面的第1区域进行离子注入；及第2注入工序，在真空中，以掩模处于第2位置的状态，对基板表面的第2区域进行离子注入。
文档编号H01L21/266GK103247522SQ20131005126
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月16日 优先权日2012年2月9日
发明者曾我知洋 申请人:住友重机械工业株式会社