半导体分立器件封装用高密度引线框架的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种半导体分立器件封装用高密度引线框架，其包括若干个封装单元，每个封装单元包括外引线、内引线、基岛连接筋和基岛，内引线的一端、基岛连接筋的一端都与外引线连接，内引线的另一端、基岛连接筋的另一端都与基岛连接。本发明提高引线框架、键合材料和塑封材料之间的结合强度，从而提高产品的使用可靠性和使用质量。
【专利说明】半导体分立器件封装用高密度弓I线框架
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种框架，特别是涉及一种半导体分立器件封装用高密度引线框架。【背景技术】
[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用。在现有集成电路引线框架封装技术中，由于引线框架、键合材料、电镀层、塑封材料分别由不同的材料制作，各材料的热膨胀系数也不相同，在实际的运用中，他们之间结合力很不理想，特别是引线框架和电镀层收到污染及氧化变色时，键合及封装不牢，严重影响框架的使用质量。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体分立器件封装用高密度引线框架，其提高引线框架、键合材料和塑封材料之间的结合强度，从而提高产品的使用可靠性和使
用质量。
[0004]本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种半导体分立器件封装用高密度引线框架，其包括若干个封装单元，每个封装单元包括外引线、内引线、基岛连接筋和基岛，内引线的一端、基岛连接筋的一端都与外引线连接，内引线的另一端、基岛连接筋的另一端都与基岛连接。
[0005]优选地，所述内引线上设有单V型槽。
[0006]优选地，所述内引线上设有双V型槽。
[0007]优选地，所述内引线的端部设有树脂孔。
[0008]优选地，所述基岛上设有第一压台、第二压台、锚孔、燕尾型槽。
[0009]本发明的积极进步效果在于:本发明提高引线框架、键合材料和塑封材料之间的结合强度，从而提高产品的使用可靠性和使用质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明半导体分立器件封装用高密度引线框架的结构示意图。
[0011]图2为本发明半导体分立器件封装用高密度引线框架中封装单元的结构示意图。
[0012]图3为沿图2的H-H方向的剖视图。
[0013]图4为沿图2的1-1方向的剖视图。
[0014]图5为沿图2的E-E方向的剖视图。
[0015]图6为沿图2的B-B方向的剖视图。
[0016]图7为沿图2的F-F方向的剖视图。
[0017]图8为沿图2的G-G方向的剖视图。【具体实施方式】
[0018]下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
[0019]如图1和图2所示，本发明半导体分立器件封装用高密度引线框架包括个封装单元10，每个封装单元包括外引线1、内引线2、基岛连接筋3和基岛4，内引线2的一端、基岛连接筋3的一端都与外引线I连接，内引线2的另一端、基岛连接筋3的另一端都与基岛4连接。内引线2上设有单V型槽(如图4所示)或双V型槽(如图3所示)。内引线2的端部设有树脂孔11。
[0020]键合区域即在内引线2上的单V型槽或双V型槽处；基岛焊接芯片区域即基岛4的中心部位，基岛4上设有第一压台(图5)、第二压台(图6)、锚孔(图7)、燕尾型槽(图8)；通常在封装时，芯片焊接在基岛4的中间部位，用键合材料把芯片和内引线连接上，再用塑封材料把芯片、基岛4、基岛连接筋3和内引线2封装成半导体元件。键合时将键合材料压入内引线的V型槽中，大大提高结合的抗拉强度；塑封时，塑封材料贯通树脂孔、压台、锚孔和燕尾型槽框架内部，固化后大大提高封装体与引线框架之间的结合力。
[0021]V型槽结构有效缓解封装厂在引线打弯、切断过程中冲击力，提高键合材料与框架的抗拉强度。封装时，塑料将引线框架两侧的封装体连成一体，这样就大大增加了封装体和引线框架之间的结合力。为了进一步增加封装体与引线框架的结合力，基岛背面四周采用压台，并在散热片处做锚孔及燕尾型的凹槽。封装时，塑封料可以流入到压台、锚孔和凹槽中，固化后塑封体将附着、贯通、嵌入至引线框架中，使得两者结合更紧密。本发明提高引线框架、键合材料和塑封材料之间的结合强度，从而提高产品的使用可靠性和使用质量。
[0022]本领域的技术人员可以对本发明进行各种改型和改变。因此，本发明覆盖了落入所附的权利要求书及其等同物的范围内的各种改型和改变。
【权利要求】
1.一种半导体分立器件封装用高密度引线框架，其特征在于，其包括若干个封装单元，每个封装单元包括外引线、内引线、基岛连接筋和基岛，内引线的一端、基岛连接筋的一端都与外引线连接，内引线的另一端、基岛连接筋的另一端都与基岛连接。
2.如权利要求1所述的半导体分立器件封装用高密度引线框架，其特征在于，所述内引线上设有单V型槽。
3.如权利要求1所述的半导体分立器件封装用高密度引线框架，其特征在于，所述内引线上设有双V型槽。
4.如权利要求1所述的半导体分立器件封装用高密度引线框架，其特征在于，所述内引线的端部设有树脂孔。
5.如权利要求1所述的半导体分立器件封装用高密度引线框架，其特征在于，所述基岛上设有第一压台、第二压台、锚孔、燕尾型槽。
【文档编号】H01L23/495GK103700640SQ201310239444
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年6月17日 优先权日:2013年6月17日
【发明者】熊志 申请人:泰兴市永志电子器件有限公司