一种ito表面粗化处理方法
【专利摘要】本发明公开了一种用ICP干法刻蚀对ITO表面进行粗化处理的方法；首先将外延片清洗干净，随后将其固定于蒸镀机内，进行正常的ITO蒸镀，待ITO蒸镀完毕后，取出上述产品，同时将其置于ICP腔体内，通入Ar气，对ITO表面进行粗化处理；本工艺具有操作简单可行，按照上述流程处理后的ITO表面粗糙度较高，光线从LED芯片内部射出时，不易在ITO表面形成镜面反射，极大的提高了LED芯片的出光效率。
【专利说明】一种ITO表面粗化处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电【技术领域】，尤其是一种ITO表面粗化处理方法。
【背景技术】
[0002]LED芯片具有结构简单，体积小，重量轻，耗能少，响应速度快，抗震性能好，使用方便等优点，在光电系统中应用极为普遍。在相同照度下，LED等的电能消耗和寿命比白炽灯和日光灯都有明显的优势。ITO (铟锡氧化物)由于其较高的可见的光透过率，较低的电阻率故广泛应用于LED芯片制程工艺。然而由于ITO薄膜本身折射率较大，当LED芯片发光时，光线从内部向外散射时，容易在ITO表面形成全反射角，影响光线的出射。
[0003]因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
【发明内容】
[0004]发明目的:为了解决现有技术所产生的问题，本发明提供了一种简单易行，可控性强的ITO表面粗化的处理方法。
[0005]技术方案:为达到上述目的，本发明可采用如下技术方案:一种ITO表面粗化处理方法，包括以下步骤:
[0006](I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；
[0007](2)将表面镀有ITO的外延片送至ICP机台内，所述机台加载的上电极功率为260-300W，所述机台加载的下电极功率为30-50W，在上述工艺下通入惰性气体进行干法刻蚀 3-5min。
[0008]更为优选的，所述步骤(2)通入惰性气体为氩气，其流量为20_30sccm。
[0009]有益效果:本发明公开了一种用ICP干法刻蚀对ITO表面进行粗化处理的方法；首先将外延片清洗干净，随后将其固定于蒸镀机内，进行正常的ITO蒸镀，待ITO蒸镀完毕后，取出上述产品，同时将其置于ICP腔体内，通入Ar气，对ITO表面进行粗化处理；本工艺具有操作简单可行，按照上述流程处理后的ITO表面粗糙度较高，光线从LED芯片内部射出时，不易在ITO表面形成镜面反射，极大的提高了 LED芯片的出光效率。
【具体实施方式】
[0010]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0011]实施例1:
[0012]一种ITO表面粗化处理方法，包括以下步骤:
[0013](I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；
[0014](2)将表面镀有ITO的外延片送至ICP机台内，所述机台加载的上电极功率为260W，所述机台加载的下电极功率为30W，在上述工艺下通入惰性气体氩气进行干法刻蚀3min,通入IS气的流量为20sccm。
[0015]实施例2:
[0016]一种ITO表面粗化处理方法，包括以下步骤:
[0017](I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；
[0018](2)将表面镀有ITO的外延片送至ICP机台内，所述机台加载的上电极功率为300W，所述机台加载的下电极功率为50W，在上述工艺下通入惰性气体氩气进行干法刻蚀5min,通入気气的流量为30sccm。
[0019]实施例3:
[0020]一种ITO表面粗化处理方法，包括以下步骤:
[0021](I)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；
[0022](2)将表面镀有ITO的外延片送至ICP机台内，所述机台加载的上电极功率为280W，所述机台加载的下电极功率为40W，在上述工艺下通入惰性气体氩气进行干法刻蚀4min,通入気气的流量为25sccm。
【权利要求】
1.一种ITO表面粗化处理方法，其特征在于包括以下步骤: (1)将清洗后的外延片进行ITO蒸镀； (2)将表面镀有ITO的外延片送至ICP机台内，所述机台加载的上电极功率为260-300W,所述机台加载的下电极功率为30-50W，在上述工艺下通入惰性气体进行干法刻蚀 3-5min。
2.根据权利要求1所述的一种ITO表面粗化处理方法，其特征在于:所述步骤(2)通入惰性气体为氩气，其流量为20-30SCCm。
【文档编号】H01L33/00GK103474528SQ201310414703
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月12日 优先权日:2013年9月12日
【发明者】郁彬 申请人:昆山奥德鲁自动化技术有限公司