技术总结
本发明涉及一种半导体器件的源级、漏极结构。场效应晶体管的示例性结构包括：衬底，包括主表面和位于主表面下方的腔；栅极堆叠件，位于衬底的主表面上；间隔件，与栅极堆叠件的一侧相邻；浅沟槽隔离（STI）区域，设置在栅极堆叠件的一侧上，其中，STI区域位于衬底内；以及源极/漏极（S/D）结构，分布在栅极堆叠件和STI区域之间。S/D结构包括：位于腔中的应变材料，应变材料的晶格常数与衬底的晶格常数不同；以及设置在衬底和应变材料之间的S/D延伸件，S/D延伸件包括在间隔件下方延伸并且基本上垂直于主表面的部分。
技术研发人员：萧颖
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201310425120
技术研发日：2013.09.17
技术公布日：2017.03.01