支承单元和基板处理设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种支承基板的支承单元。该支承单元包括本体和加热单元，其中，该本体包括多个加热区域，并且在该本体的顶部表面上设置有基板，该加热单元加热本体。此处，加热单元包括加热线路、端子以及连接线路，其中，该加热线路分别设置在所述多个加热区域中以彼此独立地控制所述多个加热区域的温度，该端子设置至本体并接收来自外部的电力，该连接线路将加热线路彼此互相对应地连接至端子。另外，端子在俯视图中设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
【专利说明】支承单元和基板处理设备
【技术领域】
[0001]此处所公开的本发明涉及支承单元和基板处理设备，并且更具体地涉及支承单元以及利用等离子的基板处理设备。
【背景技术】
[0002]为了制造半导体装置，可以在基板上执行诸如影印石板术、刻蚀、灰化、离子注入、薄膜气相沉积以及清洁之类的各种过程以在基板上形成所需的图案。在这些过程之中，刻蚀过程为用于移除形成在基板上的薄膜的选择加热区域的过程并且包括湿法刻蚀和干法刻蚀。
[0003]为了执行干法刻蚀，使用利用等离子的刻蚀设备。通常，为了形成等离子，电磁场形成在室的内部空间中并且将设置在室中的处理气体激发成处于等离子状态。
[0004]等离子表示由离子、电子以及自由基形成的电离气体的状态。等离子通过非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场来产生。在制造半导体装置的过程中，刻蚀过程通过利用等离子来执行。刻蚀过程由于包括在等离子中的与基板碰撞的离子粒子来实现。
[0005]通常，为了在基板处理过程期间控制基板的温度，加热单元设置在支承单元中。加热单元在分成多个加热区域的同时设置在基板支承构件中，从而控制用于基板的每个加热区域的温度。对于每个加热区域而言，当加热单元设置为多个加热单元时，由于必须向所述多个加热单元分别提供电力，因此设置了连接至外部电源的多个端子。此处，相应的端子形成在与基板的相应的加热区域对应的位置上。图1为一般的静电吸盘1250。参照图1，中央部和边缘部分别包括一对端子1251a和1252a。设置有端子1251a和1252a的加热区域A比没有设置端子1251a和1252a的加热区域B设置有更高的温度。因此，难以均匀地控制加热区域A和加热区域B的温度。由于此，基板的温度不能被控制成处于预先设定的温度。
【发明内容】
[0006]本发明提供了一种基板处理设备，该基板处理设备包括能够在基板处理过程期间精确地控制基板的温度的支承单元。
[0007]本发明的效果不限于以上所描述的，并且本领域的普通技术人员将很清楚地从说明书和附图中地理解到以上没有提到的效果。
[0008]本发明的实施方式提供了一种支承基板的支承单元，该支承单元包括本体和加热单元，其中，该本体包括多个加热区域，并且在该本体的顶部表面上设置有基板，该加热单元加热本体。此处，加热单元包括加热线路、端子以及连接线路，其中，该加热线路分别设置在多个加热区域中以彼此独立地控制多个加热区域的温度，该端子设置至本体并接收来自外部的电力，该连接线路将加热线路彼此互相对应地连接至端子。另外，端子在俯视图中设置在多个加热区域中的一个加热区域中。
[0009]在某些实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的多个边缘部，并且端子可以设置在中央部中。
[0010]在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0011]仍然在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个或多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0012]还在其他实施方式中，连接线路可以设置至本体。
[0013]还在其他实施方式中，本体还可以包括用于冷却本体的冷却流动通道。
[0014]在另外的实施方式中，所述多个端子可以设置成在俯视图中与冷却流动通道重叠。
[0015]在本发明的其他实施方式中，基板处理设备包括:形成有内部空间的室；支承单元，该支承单元位于室中并支承基板；气体供给单元，该气体供给单元将处理气体供给到室中；以及等离子源单元，该等离子源单元通过处理气体产生等离子。此处，该支承单元包括本体和加热单元，其中，该本体包括多个加热区域并且在该本体的顶部表面上设置有基板，该加热单元加热本体。另外，该加热单元包括:加热线路，该加热线路分别设置在多个加热区域中以彼此独立地控制多个加热区域的温度；端子，该端子设置至本体并接收来自外部的电力；以及连接线路，该连接线路将加热线路彼此互相对应地连接至端子。另外，端子在俯视图中设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
[0016]在某些实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0017]在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个边缘部，并且端子可以设置在中央部中。
[0018]仍然在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个或多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0019]还在其他实施方式中，连接线路可以设置至本体。
[0020]还在其他实施方式中，本体还可以包括用于冷却本体的冷却流动通道。
[0021 ] 在其他实施方式中，所述多个端子可以设置成在俯视图中与冷却流动通道重叠。
[0022]仍然在本发明的其他实施方式中，支承单元包括:陶瓷圆盘，该陶瓷圆盘包括利用静电力固定基板的电极以及加热基板的加热线路；冷却板，该冷却板设置在陶瓷圆盘的底部上并且包括用于冷却基板的冷却流动通道；以及结合层，该结合层设置在陶瓷圆盘与冷却板之间并将陶瓷圆盘结合至冷却板，在该支承单元中，陶瓷圆盘包括多个加热区域，并且连接至加热线路并接收来自外部的电力的端子设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
[0023]在某些实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0024]在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0025]仍然在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个或多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。
[0026]还在其他实施方式中，该支承单元还可以包括将加热线路彼此互相对应地连接至端子的连接线路。
[0027]在另外的实施方式中，所述多个端子可以设置成在俯视图中与冷却流动通道重叠。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且该附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图与描述一起示出了本发明的示例性实施方并用于说明本发明的原理。在附图中:
[0029]图1为一般的静电吸盘；
[0030]图2为示出了根据本发明的实施方式的基板处理设备的截面图；
[0031]图3为分成多个加热区域的本体的俯视图；
[0032]图4为图3的包括加热单元的本体的后视图；
[0033]图5为图4的本体的侧视图；
[0034]图6为陶瓷圆盘的内部的视图；
[0035]图7和图8为根据另一实施方式的支承单元的视图；以及
[0036]图9为冷却流动通道。
【具体实施方式】
[0037]本发明的实施方式可以被修改成各种形式，并且本发明的范围不受到以下实施方式的限制。提供实施方式以向本领域的普通技术人员更佳地说明本发明。因此，在附图中，元件的形状等均被扩大以更加清晰地进行说明。
[0038]本实施方式提供了一种用于利用等离子刻蚀基板的基板处理设备。然而，其并不限于此，本实施方式将应用至用于对设置在其上的基板进行加热的各种设备。
[0039]另外，在本实施方式中，作为支承单元的静电吸盘将作为示例进行描述。然而，其并不限于此，该支承单元可以通过机械夹持或通过真空来支承基板。
[0040]图2为示出了根据本发明的实施方式的基板处理设备10的截面图。
[0041]参照图2，基板处理设备10利用等离子来处理基板W。例如，基板处理设备10可以在基板W上执行刻蚀过程。基板处理设备10包括室100、支承单元200、气体供给单元300、等离子源400以及排出单元500。
[0042]室100提供了用于执行基板处理过程的空间。室100包括外壳110、罩120以及衬垫 130。
[0043]外壳110具有在其中具有敞开顶部的空间。外壳110的内部空间设置成执行基板处理过程。外壳110由金属材料形成。外壳110可以由铝形成。外壳110可以接地。排出孔102形成在外壳110的底部表面中。排出孔102连接至排出线路151。在处理过程中产生的副产品以及外壳100的内部空间中残留的气体可以通过排出线路151向外排出。外壳110的内部通过排出过程被减压至一定程度的压力。
[0044]罩120覆盖外壳110的敞开顶部。罩120具有板形形状并且密封外壳110的内部空间。外壳120可以包括电介质窗。
[0045]衬垫130设置在外壳110内。衬垫130具有内部空间，该内部空间具有敞开的顶部和底部。衬垫130可以具有圆筒形形状。衬垫130可以具有与外壳110的内表面对应的半径。衬垫130沿着外壳110的内表面设置。支承环131形成在衬垫130的顶端部上。支承环131为环状板并且从衬垫130沿着衬垫130的圆周向外延伸。支承环131设置在外壳110的顶端部上并支承衬垫130。衬垫130可以由与外壳110相同的材料形成。衬垫130可以由铝形成。衬垫130保护外壳110的内表面。在处理气体被激发时在室100中可能会发生电弧放电。电弧放电损坏周围装置。衬垫130保护外壳110的内表面并且防止由电弧放电引起的在外壳110的内表面中的损坏。另外，防止了基板处理过程期间产生的杂质气相沉积在外壳110的内壁上。相比外壳110，衬垫130在成本方面更低并且更易于替换。因此，当衬垫130被电弧放电损坏时,工作者可以用新的衬垫来替换已损坏的衬垫130。
[0046]支承单元200位于外壳110中。支承单元200支承基板W。支承单元200可以包括利用静电力吸附基板W的静电吸盘210。下文中将对包括静电吸盘210的支承单元200进行描述。
[0047]支承单元200包括静电吸盘210和下罩270。支承单元200可以在室100中与外壳110的底部表面向上隔开。
[0048]静电吸盘210包括本体215和绝缘板250。本体215包括陶瓷圆盘220、电极223、加热单元2250、支承板230以及结合层236。
[0049]参照图2，陶瓷圆盘220设置在静电吸盘210的顶端部上。作为示例，陶瓷圆盘220可以包括具有圆盘形形状的电介质。基板W设置在陶瓷圆盘220的顶部表面上。陶瓷圆盘220的顶部表面具有比基板W更小的半径。因此，基板W的边缘加热区域位于陶瓷圆盘220的外部。陶瓷圆盘220设置有第一供给流动通道221。第一供给流动通道221在其中形成为彼此间隔开的多个第一供给流动通道，并且设置为用于将传热介质供给至基板W的底部表面的路径。
[0050]图3为包括多个加热区域的本体215的俯视图。陶瓷圆盘220可以具有多个加热区域。所述多个加热区域包括中央部和边缘部。中央部位于陶瓷圆盘220的中央中。边缘部设置成围绕该中央部。边缘部可以设置为一个或多个边缘部。参照图3，陶瓷圆盘220分成六个加热区域并且包括一个中央部和五个边缘部。不同地，边缘部可以设置为一个或多个边缘部。
[0051]电极223埋入陶瓷圆盘220中。电极223位于加热单元2250的顶部上。电极223电连接至第一下电源223a。第一下电源223a包括直流(DC)电源。开关223b安装在电极223与第一下电源223a之间。电极223可以取决于开关223b的断开/闭合操作电连接至第一下电源223a。当开关223b闭合时，直流电流施加至电极223。由于施加至电极223的电流，静电力作用在电极223与基板W之间。基板W由于静电力而被吸附到陶瓷圆盘220上。
[0052]图4为图3的包括加热单元2250的本体的后视图。图5为图4的本体的侧视图。图6为陶瓷圆盘220的内部的视图。
[0053]加热单元2250加热本体215。加热单元2250包括加热线路2251至2256、端子2251a至2256a、连接线路2251b至2256b、电力线路2251c至2256c以及第二下电源225a。
[0054]加热线路2251至2256可以设置为多个加热线路。加热线路2251至2256可以以与相应的加热区域对应的方式设置。参照图4，加热线路2251至2256设置在六个加热区域中。加热线路2251至2256设置为多个加热线路以彼此独立地控制多个加热区域的温度。加热线路2251至2256电连接至第二下电源225a。作为示例，加热线路2251至2256设置为加热电线。不同地，加热线路2251至2256可以通过形成图案来形成。加热线路2251至2256抵抗施加至第二下电源225a的电流，从而产生热量。所产生的热量通过陶瓷圆盘220传递至基板W。基板W由于加热线路2251至2256所产生的热量而保持在一定的温度下。加热线路2251至2256可以设置为具有螺旋形形状或锯齿形形状的线圈。相应的加热线路2251至2256可以施加有不同的电力。
[0055]端子2251a至2256a设置至本体215。作为示例，如图6中所示，端子2251a至2256a可以位于陶瓷圆盘220与支承板230之间的边界部上。端子2251a至2256a接收来自外部的电力。参照图3，在俯视图中，端子2251a至2256a可以设置在陶瓷圆盘220的多个加热区域中的一个加热区域中。当端子2251a至2256a仅设置在一个加热区域中时，在向端子2251a至2256a传递电力的同时所产生的热量集中在一个加热区域上。在这种情况下，考虑由于端子2251a至2256a所产生的热量，对于每个加热区域而言，温度可以被精确地控制。端子2251a至2256a以不会由于其他区域中的端子2251a至2256a产生温度增加的方式设置在一个加热区域中，并且设置有端子2251a至2256a的区域由于多个端子2251a至2256a而在温度方面容易地进行控制。此处，端子2251a至2256a可以对称地设置在一个加热区域中。作为示例，端子2251a至2256a可以设置在多个加热区域之中的中央部分中。参照图4，端子2251a至2256a设置在六个加热区域之中的中央部分中。不同地，端子2251a至2256a可以设置在陶瓷圆盘220的边缘部的一个加热区域中。选择性地，端子2251a至2256a可以设置在中央部和边缘部之中的某些加热区域中。
[0056]连接线路2251b至2256b将加热线路2251至2256连接至端子2251a至2256a。连接线路2251b至2256b将加热线路2251至2256以彼此互相对应的方式连接至端子2251a至2256a。连接线路2251b至2256b通过端子2251a至2256a接收电力。连接线路2251b至2256b提供传递至加热线路2251至2256的电力。
[0057]电力线路2251c至2256c将端子2251a至2256a连接至第二下电源225a。通过电力线路2251c至2256c，施加至第二下电源225a的电力被供给至端子2251a至2256a。
[0058]图7和图8为根据另一实施方式的支承单元的视图。该支承单元具有与图3的支承单元200大约类似的形状和功能。只是，陶瓷圆盘320包括中央部和一个边缘部。因此，加热单元3250的加热线路3251和3252分别设置在中央部和边缘部中。参照图8，端子3251a和3252a设置在中央部中。
[0059]参照图2，支承板230位于陶瓷圆盘220的下方。陶瓷圆盘220的底部表面以及支承板230的顶部表面可以通过结合层236结合。支承板230可以由铝形成。支承板230可以包括电极。支承板230的顶部表面可以具有阶梯部以允许中央加热部定位地比边缘加热部更高。支承板230的顶部表面的中央加热部具有与陶瓷圆盘220的底部表面对应的区域，并且该中央加热部结合至陶瓷圆盘220的底部表面。支承板230通过循环流动通道231、冷却流动通道232以及第二供给流动通道233形成。
[0060]循环流动通道231设置为用于允许传热介质循环的路径。循环流动通道231可以在支承板230中形成为螺旋形形状。替代性地，循环流动通道231可以设置成允许具有环形形状的流动通道，该环形形状具有互相不同的半径以具有同一中心。相应的循环流动通达231可以彼此连接。循环流动通道231形成为以彼此平齐。
[0061]图9为冷却流动通道232的视图。冷却流动通道232冷却本体。冷却流动通道232设置为用于允许冷却流体循环的路径。冷却流动通道232可以在支承板230形成为螺旋形形状。另外。冷却流动通道232可以设置成允许具有环形形状的流动通道，该环形形状具有互相不同的半径以具有同一中心。相应的冷却流动通道232可以彼此连接。冷却流动通道232可以具有比循环流动通道231更大的横截面区域。冷却流动通道232形成为彼此平齐。冷却流动通道232可以位于循环流动通道231的下方。参照图9，在俯视图中，冷却流动通道232设置成与端子2251a至2256a重叠。由于此，冷却流动通道232可以防止设置有端子2251a至2256a的加热区域的温度的增加。
[0062]第二供给流动通道233从循环流动通道231向上延伸并且设置至支承板230的顶部表面。第二供给流动通道233设置为与第一供给流动通道221的数目对应的数目。
[0063]第一循环流动通道231通过传热介质供给线路231b连接至传热介质存储部231a。传热介质存储部231a存储传热介质。传热介质包括惰性气体。根据实施方式,传热介质包括氦气。氦气通过传热介质供给线路231b供给至第一循环流动通道231，随后穿过第二供给流动通道233和第一供给流动通道221，并且供给至基板W的底部表面。氦气用作用于允许热量从等离子传递至基板W以被传递至静电吸盘210的介质。
[0064]冷却流动通道232通过冷却流体供给线路232c连接至冷却流体存储部232a。冷却流体存储部232a存储冷却流体。冷却流体存储部232a可以包括设置在该冷却流体存储部232a中的冷却器232b。该冷却器232b将冷却流体冷却至一定的温度。不同地，冷却器232b可以安装在冷却流体供给线路232c上。通过冷却流体线路232c供给至冷却流动通道232的冷却流体循环过冷却流动通道232并冷却支承板230。支承板230在被冷却的同时与电介质板220和基板W —起冷却,从而将基板W保持在一定的温度下。
[0065]聚焦环240设置在静电吸盘210的边缘加热部中。聚焦环240具有环形形状并沿着陶瓷圆盘220的周向设置。聚焦环240的顶部表面可以具有阶梯部以允许外部部分240a比内部部分240b更高。聚焦环240的顶部表面的内部部分240b与陶瓷圆盘220的顶部表面平齐。聚焦环240的顶部表面的内部部分240b支承基板W的位于陶瓷圆盘220的外侧的边缘加热部。聚焦环240的外部部分240a可以设置成围绕基板W的边缘加热部。在室100中，聚焦环240允许等离子与基板W相对的在加热区域上聚集。
[0066]绝缘板250位于支承板230的底部上。绝缘板250具有与支承板230对应的横截面区域。绝缘板250位于支承板230与下罩270之间。绝缘板250由绝缘材料形成并使支承板230与下罩270电绝缘。
[0067]下罩270位于支承单元200的底部端部上。下罩270定位成与外壳110的底部表面向上隔开。在下罩270中形成有具有敞开顶部的空间。下罩270的顶部表面由绝缘板250覆盖。因此，下罩270的横截面的外半径可以具有与绝缘板250的外半径相同的长度。在下罩270中的空间中，可以定位用于将基板W传递至静电吸盘210的作为外部传递构件的提升销模块(未示出)。
[0068]下罩270包括连接构件273。连接构件273将下罩270的外表面连接至外壳110的内壁。连接构件273可以设置为位于下罩270的外表面上的具有一定间距的多个连接构件。连接构件273在室100中支承支承单元200。另外，连接构件273连接至外壳110的内壁，从而允许下罩270电接地。连接至第一下电源223a的第一电力线路223c、连接至第二下电源225a的第二电力线路225c、连接至传热介质存储部231a的传热介质供给线路231b、以及连接至冷却流体存储部232a的冷却流体供给线路232c通过连接构件273的内部空间在下罩270中延伸。
[0069]气体供给单元300将处理气体供给至室100。气体供给单元300包括气体供给喷嘴310、气体供给线路320以及气体存储部330。气体供给喷嘴310安装在罩210的中央部中。喷射孔形成在气体供给喷嘴310的底部表面中。喷射孔位于罩的底部上并将处理气体供给到室100中。气体供给线路320将气体供给喷嘴310连接至气体存储部330。气体供给线路320将存储在气体存储部330中的处理气体供给至气体供给喷嘴310。阀321安装在气体供给线路320上。阀321打开及关闭气体供给线路320并控制通过气体供给线路320供给的处理气体的流动。
[0070]等离子源400将室中的处理气体激发成处于等离子状态。可以使用电感耦合等离子体(ICP)源作为等离子源400。等离子源400包括天线密封件410、天线420以及等离子电源430。天线密封件410具有圆筒形形状，该圆筒形形状具有敞开底部。天线密封件410在其中设置有空间。天线密封件410设置成具有与室100对应的直径。天线密封件410的底部端部设置在罩120上以能够被拆卸。天线420设置在天线密封件410中。天线420设置为具有多次卷绕的螺旋形形状的线圈并且连接至等离子电源430。天线420接收来自等离子电源430的电力。等离子电源430可以位于室100的外部。施加有电力的天线420可以在室100的处理空间中形成电磁场。处理气体被电磁场激发成处于等离子状态。
[0071]排出单元500位于外壳110的内壁与支承单元200之间。排出单元500包括形成有穿透孔511的排出板510。排出板510形成为环形形状。排出板510形成有多个穿透孔511。提供到外壳110中的处理气体穿过排出板510的穿透孔511并且通过排出孔102排出。处理气体的流动可以根据排出板510和排出孔511的形状来控制。
[0072]下文中，将对基板W的利用基板处理设备10的处理过程进行描述。
[0073]在基板W设置在支承单元200上时，直流电流从第一下电源223a供给至电极223。由于供给至电极223的直流电流，静电力作用在电极223与基板W之间。基板W由于该静电力吸附在电吸盘210上。
[0074]在基板W吸附在静电吸盘210上时，处理气体通过气体供给喷嘴310供给到外壳110中。另外，由等离子电源430产生的高频电力通过天线420施加至外壳110的内部。所施加的高频电力激发残留在外壳110中的处理气体。所激发的处理气体提供至基板W以对基板W进行处理。所激发的处理气体可以实现刻蚀过程。
[0075]在上述实施方式中，加热单元2250被描述为设置在陶瓷圆盘220中。不同地，力口热单元2250可以设置在支承板230中。另外，在上述实施方式中，描述了陶瓷圆盘220和支承板230通过结合层236结合。不同地，陶瓷圆盘220和支承板230可以通过各种方法彡口口 ?
[0076]根据实施方式，包括支承单元的基板处理设备能够精确地控制基板的温度。
[0077]本发明的效果不限于以上所描述的，并且本领域的普通技术人员将很清楚地从说明书和附图中理解到以上没有提到的效果。
[0078]上述主题应当被理解为说明性而非限制性，并且所附权利要求意于覆盖落入本发明的真实的精神和范围内的所有这种改型、加强功能以及其他实施方式。因此，对于法律所允许的最大范围而言，本发明的范围由以上权利要求和其等他替代的能够广泛允许的解释来确定，并且其不应当受到前述详细描述的限定或限制。
【权利要求】
1.一种支承基板的支承单元，所述支承单元包括: 本体，所述本体包括多个加热区域并且在所述本体的顶部表面上设置有所述基板；以及 加热单元，所述加热单元加热所述本体， 其中，所述加热单元包括: 加热线路，所述加热线路分别设置在所述多个加热区域中以彼此独立地控制所述多个加热区域的温度； 端子，所述端子设置至所述本体并接收来自外部的电力；以及 连接线路，所述连接线路将所述加热线路彼此互相对应地连接至所述端子，并且 其中，所述端子在俯视图中设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
2.根据权利要求1所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的多个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
3.根据权利要求1所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
4.根据权利要求1所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个或多个边缘部，并且， 其中，所述端子设置在所述中央部中。
5.根据权利要求4所述的支承单元，其中，所述连接线路设置至所述本体。
6.根据权利要求4所述的支承单元，其中，所述本体还包括用于冷却所述本体的冷却流动通道。
7.根据权利要求6所述的支承单元，其中，多个端子设置成在俯视图中与所述冷却流动通道重叠。
8.一种基板处理设备，包括: 形成有内部空间的室； 支承单元，所述支承单元位于所述室中并支承基板； 气体供给单元，所述气体供给单元将处理气体供给到所述室中；以及 等离子源单元，所述等离子源单元通过所述处理气体产生等离子， 其中，所述支承单元包括: 本体，所述本体包括多个加热区域并且在所述本体的顶部表面上设置有所述基板；以及 加热单元，所述加热单元加热所述本体， 其中，所述加热单元包括: 加热线路，所述加热线路分别设置在所述多个加热区域中以彼此独立地控制所述多个加热区域的温度； 端子，所述端子设置至所述本体并接收来自外部的电力；以及 连接线路，所述连接线路将所述加热线路彼此互相对应地连接至所述端子，并且 其中，所述端子在俯视图中设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的多个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
10.根据权利要求8所述的设备，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
11.根据权利要求8所述的设备，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个或多个边缘部，并且， 其中，所述端子设置在所述中央部中。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述连接线路设置至所述本体。
13.根据权利要求11所述的设备，其中，所述本体还包括用于冷却所述本体的冷却流动通道。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，多个端子设置成在俯视图中与所述冷却流动通道重叠。
15.—种支承单元,包括: 陶瓷圆盘，所述陶瓷圆盘包括利用静电力固定基板的电极以及加热所述基板的加热线路； 冷却板，所述冷却板设置在所述陶瓷圆盘的底部上并且包括用于冷却所述基板的冷却流动通道；以及 结合层，所述结合层设置在所述陶瓷圆盘与所述冷却板之间并将所述陶瓷圆盘结合至所述冷却板， 其中，所述陶瓷圆盘包括多个加热区域，并且连接至所述加热线路并接收来自外部的电力的端子设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。
16.根据权利要求15所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的多个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
17.根据权利要求15所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个边缘部，并且 其中，所述端子设置在所述中央部中。
18.根据权利要求15所述的支承单元，其中，所述多个加热区域包括中央部以及围绕所述中央部的一个或多个边缘部，并且， 其中，所述端子设置在所述中央部中。
19.根据权利要求18所述的支承单元，还包括将所述加热线路彼此互相对应地连接至所述端子的连接线路。
20.根据权利要求18所述的支承单元，其中，多个端子设置成在俯视图中与所述冷却流动通道重叠。
【文档编号】H01L21/683GK104134622SQ201410181617
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2013年4月30日
【发明者】金炯俊, 金承奎 申请人:细美事有限公司