技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含开关器件，该开关器件具备：衬底(1)，由半绝缘性材料或半导体构成；沟道形成层(2，3)，形成在上述衬底上，由以3族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成；栅极构造，在上述沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)；以及源极电极(7)及漏极电极(8)，在上述沟道形成层上，夹着上述栅极构造而配置在上述栅极构造的两侧，在上述沟道形成层中，将形成上述开关器件的区域作为元件区域，将该元件区域的周围作为元件分离区域，该半导体装置具有：崩塌抑制层(9)，在上述元件区域中由形成在上述沟道形成层上的绝缘材料构成；以及漏电抑制层(10)，在上述元件分离区域中形成在上述沟道形成层上，由与上述崩塌抑制层不同的绝缘材料形成。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述崩塌抑制层由包含氮或铝的绝缘材料构成，上述漏电抑制层由至少含有1％的氧的绝缘材料构成。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，通过在上述沟道形成层中的上述元件分离区域形成凹部(4)而形成台面构造，上述漏电抑制层至少形成在上述凹部的底面上。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在上述元件区域，形成依次层叠上述崩塌抑制层和上述漏电抑制层而得到的层叠构造，在上述元件分离区域，形成仅形成有上述漏电抑制层的构造。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述崩塌抑制层构成为，在上述元件区域中具有在上述沟道形成层的表面上形成的表面部(9a)和在构成上述台面构造的凹部的侧壁面形成的侧边部(9b)，在上述元件区域，形成依次层叠上述崩塌抑制层和上述漏电抑制层而得到的层叠构造，在上述元件分离区域，形成仅形成有上述漏电抑制层的构造。6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述崩塌抑制层构成为，在上述元件区域中具有在上述沟道形成层的表面上形成的表面部(9a)和在构成上述台面构造的凹部的侧壁面形成的侧边部(9b)，在上述元件区域，形成仅形成有上述崩塌抑制层的构造，在上述元件分离区域，形成仅形成有上述漏电抑制层的构造。7.一种半导体装置的制造方法，是权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在上述衬底上形成上述沟道形成层的工序；在上述沟道形成层之上形成上述崩塌抑制层的工序；在上述崩塌抑制层之上配置掩模(20)之后，利用该掩模，在上述元件分离区域中刻蚀上述崩塌抑制层以及上述沟道形成层，在上述沟道形成层形成凹部(4)并且在留在上述元件区域的上述沟道形成层之上留下上述崩塌抑制层的工序；以及包含上述崩塌抑制层之上在内，在上述凹部内的上述沟道形成层之上，形成由与上述崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的上述漏电抑制层的工序。8.一种半导体装置的制造方法，是权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在上述衬底上形成上述沟道形成层的工序；在上述沟道形成层之上，形成用于形成上述崩塌抑制层中的上述表面部的表面形成膜(30)的工序；在上述表面形成膜之上配置了掩模(20)后，利用该掩模，在上述元件分离区域中刻蚀上述表面形成膜以及上述沟道形成层，在上述沟道形成层形成凹部(4)并且在留在上述元件区域的上述沟道形成层之上留下上述表面部的工序；包含上述表面部在内，在上述凹部内的上述沟道形成层之上，形成用于形成上述崩塌抑制层中的上述侧边部的侧边形成膜(31)的工序；通过对上述侧边形成膜进行各向异性刻蚀，以将上述表面部以及上述凹部的侧壁面覆盖的方式形成上述侧边部的工序；以及包含上述崩塌抑制层之上在内，在上述凹部内的上述沟道形成层之上，形成由与上述崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的上述漏电抑制层的工序。9.一种半导体装置的制造方法，是权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在上述衬底上形成上述沟道形成层的工序；在上述沟道形成层之上，形成用于形成上述崩塌抑制层中的上述表面部的表面形成膜(30)的工序；在上述表面形成膜之上配置掩模(20)后，利用该掩模，在上述元件分离区域中对上述表面形成膜以及上述沟道形成层进行刻蚀，在上述沟道形成层形成凹部(4)并且在留在上述元件区域的上述沟道形成层之上留下上述表面部的工序；包含上述表面部在内，在上述凹部内的上述沟道形成层之上，形成用于形成上述崩塌抑制层中的上述侧边部的侧边形成膜(31)的工序，通过对上述侧边形成膜进行各向异性刻蚀，以将上述表面部以及上述凹部的侧壁面覆盖的方式形成上述侧边部的工序；以及通过进行热氧化，在上述凹部内的上述沟道形成层的表面上，形成由与上述崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的上述漏电抑制层的工序。