技术总结
本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生成第一垫氧化层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上定义下沉区域，并去除下沉区域的第一氮化硅层的氮化硅；在下沉区域进行离子注入，形成下沉区；在下沉区域的第一垫氧化层表面通过热氧化生成预设厚度的氧化层；分别去除第一氮化硅层、氧化层和第一垫氧化层，在下沉区域的外延层上形成凹槽；依次在外延层上生成第二垫氧化层和第二氮化层，并定义有源区域；根据定义的有源区域制备有源区。本发明通过硅局部氧化技术形成对准凹槽，避免了刻蚀硅形成凹槽过程中的等离子损伤，同时不会造成离子注入区的断面，有效降低了器件的导通电阻。
技术研发人员：闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510233095
技术研发日：2015.05.08
技术公布日：2016.12.07