技术总结
本发明公开了一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法，包括：在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物层，在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层；在种子层上覆光阻材料层，将光阻材料层经过曝光显影后形成金属栅线图案并暴露出种子层；所述锡层的保护方法还包括步骤：在暴露出的种子层表面制作导电栅线叠层和助焊层，然后在助焊层上制作一层保护层，最后将光阻材料层去除，再用化学腐蚀液去除其覆盖位置的种子层、阻挡层以及保护层暴露出电池表面和助焊层。
技术研发人员：尤宇文;宋广华
受保护的技术使用者：钧石(中国)能源有限公司
文档号码：201510731381
技术研发日：2015.11.02
技术公布日：2017.05.10