技术总结
本发明提供一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，所述高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法通过在形成第一深孔、第二深孔及走道之后，在第二深孔及走道的底部及侧壁形成膜层质量非常好的第一绝缘层，用于包覆刻蚀暴露出的发光层多量子阱，规避了在后续n型GaN层刻蚀时引起的残留图形化蓝宝石衬底印记和金属反溅的异常，有效地提升了倒装LED芯片在使用过程中的可靠性。
技术研发人员：朱秀山;王倩静;徐慧文;张宇;李起鸣
受保护的技术使用者：映瑞光电科技（上海）有限公司
文档号码：201510881813
技术研发日：2015.12.03
技术公布日：2017.06.13