技术特征：
技术总结
本发明公开了一种柔性阻变存储器及制备方法。该柔性阻变存储器包括依次制备在柔性衬底上的底电极、存储功能层和顶电极，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成三明治结构；存储功能层材料为稀土氧化物。其制备方法包括以下步骤：(1)在柔性衬底上形成底电极层；(2)通过光刻工艺在所述底电极上形成存储器件所需图形；(3)在图形上形成稀土氧化物薄膜存储功能层；(4)在所述存储功能层上形成顶电极层；(5)去除光刻胶形成完整的器件单元。本发明的柔性阻变存储器具有弯折到一定半径及多次弯折后仍保持存储性能稳定的优势，适用于柔性存储技术。
技术研发人员：赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民
受保护的技术使用者：北京有色金属研究总院
技术研发日：2015.12.25
技术公布日：2017.07.04