1.一种晶片运送系统，其包括：
多个晶片支撑环，每一晶片支撑环包括：
凸缘部分，其关于中心轴线是同心的，所述凸缘部分包含第一轴向面及第二轴向面，所述第二轴向面与所述第一轴向面相对；
脊部分，其在平行于所述中心轴线的轴向方向上从所述凸缘部分的所述第一轴向面突出；及
在所述第二轴向面上界定通道的结构，
其中所述多个晶片支撑环中的第一晶片支撑环堆叠于所述多个晶片支撑环中的第二晶片支撑环顶上，使得所述第二晶片支撑环的所述脊部分的远端边缘在所述第一晶片支撑环的所述通道内对齐，所述第一晶片支撑环及所述第二晶片支撑环在其间界定间隙，所述间隙经配置以用于装纳晶片，使得将施加于所述第一晶片支撑环上的轴向力传递到所述第二晶片支撑环而不将力传递到所述晶片。
2.根据权利要求1所述的晶片运送系统，其中：
所述通道包含相对于所述中心轴线界定内半径的内径向壁及相对于所述中心轴线界定外半径的外径向壁；
所述多个晶片支撑环中的每一者的所述脊部分及所述通道轴向对准，使得所述脊部分处于由所述通道界定的所述内半径及所述外半径内。
3.根据权利要求1所述的晶片运送系统，其中所述通道为连续的。
4.根据权利要求3所述的晶片运送系统，其中所述脊部分为连续的且环绕界定于所述第一晶片支撑环与所述第二晶片支撑环之间的所述间隙。
5.根据权利要求4所述的晶片运送系统，其中在所述脊部分的所述远端边缘与所述通道之间界定基本上连续接触带。
6.根据权利要求5所述的晶片运送系统，其中所述多个晶片支撑环中的每一者的所述凸缘部分的所述第一轴向面包含从所述脊部分且邻近于所述脊部分径向内凹的平坦对齐表面，所述平坦表面部分界定用于晶片的对齐平面。
7.根据权利要求6所述的晶片运送系统，其中：
所述第一晶片支撑环经配置以用于啮合第一晶片以在所述第一晶片与所述第一晶片支撑环的所述平坦表面部分之间提供基本上连续接触带；且
所述第二晶片支撑环经配置以用于啮合第二晶片以在所述第二晶片与所述第二晶片支撑环的所述平坦表面部分之间提供基本上连续接触带，
借此所述第一晶片支撑件及所述第二晶片支撑件经配置以用于在所述第一晶片安置于所述第一晶片支撑环中且所述第二晶片安置于所述第二晶片支撑环中时界定经封围空隙。
8.根据权利要求1所述的晶片运送系统，其中晶片装纳于所述间隙中。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的晶片运送系统，其包括：
容座部分；及
盖部分，其经配置以提供对所述容座部分的闭合，
其中所述多个晶片支撑环布置成堆叠，所述堆叠安置于所述容座部分中，当所述盖部分与所述容座部分闭合在一起时，所述盖部分接触所述堆叠以将所述堆叠固定于所述盖部分与所述容座部分之间。
10.根据权利要求6或权利要求7所述的晶片运送系统，其包括：
容座部分；及
盖部分，其经配置以提供对所述容座部分的闭合，
其中所述多个晶片支撑环布置成堆叠，所述堆叠安放于所述容座部分的基座上，当所述盖部分与所述容座部分闭合在一起时，所述盖部分接触所述堆叠以将所述堆叠固定于所述盖部分与所述基座部分之间，且
其中所述堆叠包含最下部晶片支撑环，所述最下部晶片支撑环啮合所述容座部分的所述基座以在其间界定基本上连续接触带，所述最下部晶片支撑环经配置以用于啮合最下部晶片以在所述最下部晶片与所述最下部晶片支撑环的所述平坦表面部分之间提供基本上连续接触带，
借此所述最下部晶片支撑件及所述基座经配置以用于在最下部晶片安置于所述最下部晶片支撑件中时界定经封围气袋。
11.根据权利要求10所述的晶片运送系统，其中：
所述盖部分包含轴向延伸到所述盖部分中的止挡部分，所述止挡部分界定连续轴向面；
所述堆叠包含最上部晶片支撑环，所述最上部晶片支撑环啮合所述止挡部分的所述连续轴向面以在其间界定基本上连续接触带，所述最上部晶片支撑环经配置以用于啮合最上部晶片以在所述最上部晶片与所述最上部晶片支撑环的所述平坦表面部分之间提供基本上连续接触带，
借此所述最上部晶片支撑件及所述盖部分经配置以用于在最上部晶片安置于所述最上部晶片支撑件中时界定经封围气袋。
12.根据权利要求11所述的晶片运送系统，其中所述止挡部分从所述盖部分的顶部部分悬垂，所述止挡部分包含从接近所述顶部部分的中心轴线处径向向外延伸的多个径向延伸的凸肋。
13.根据权利要求10所述的晶片运送系统，其中：
所述盖部分包含轴向延伸到所述盖部分中的止挡部分，所述止挡部分界定连续轴向面；
所述堆叠包含最上部晶片支撑环，所述最上部晶片支撑环啮合所述止挡部分的所述连续轴向面以在其间界定基本上连续接触带，
所述堆叠包含与所述最上部晶片支撑环接触的邻近晶片支撑环，所述邻近晶片支撑环经配置以用于啮合最上部晶片以在所述最上部晶片与所述邻近晶片支撑环的所述平坦表面部分之间提供基本上连续接触带，
借此所述最上部晶片支撑件、所述邻近晶片支撑件及所述盖部分经配置以用于在最上部晶片安置于所述邻近晶片支撑件中时界定经封围气袋。
14.根据权利要求1所述的晶片支撑系统，其中所述间隙经配置以容纳300mm晶片。
15.一种晶片支撑环，其包括：
连续凸缘部分，其关于中心轴线是同心的，所述连续凸缘部分包含第一轴向面及第二轴向面，所述第二轴向面与所述第一轴向面相对；
连续脊部分，其在平行于所述中心轴线的轴向方向上从所述连续凸缘部分的所述第一轴向面突出；及
在所述第二轴向面上界定连续通道的结构，
其中所述多个晶片支撑环中的每一者的所述连续凸缘部分的所述第一轴向面包含从所述连续脊部分且邻近于所述连续脊部分径向内凹的平坦对齐表面，所述平坦表面部分界定用于晶片的对齐平面，所述连续脊部分相对于所述对齐平面具有均匀轴向尺寸。
16.根据权利要求15所述的晶片支撑环，其中：
所述连续通道包含相对于所述中心轴线界定内半径的内径向壁及相对于所述中心轴线界定外半径的外径向壁；
所述多个晶片支撑环中的每一者的所述连续脊部分及所述连续通道轴向对准，使得所述连续脊部分处于由所述连续通道界定的所述内半径及所述外半径内。
17.根据权利要求16所述的晶片支撑环，其中：
所述连续通道呈现在所述内径向壁与所述外径向壁之间径向延伸的凹入轴向面；
所述凸缘部分包含界定于所述凹入轴向面与所述对齐平面之间的轴向厚度。
18.根据权利要求15所述的晶片支撑环，其中所述连续脊部分界定均匀径向厚度。
19.根据权利要求15所述的晶片支撑环，其中所述连续脊部分界定第一径向厚度及第二径向厚度，所述第二径向厚度大于所述第一径向厚度。
20.根据权利要求19所述的晶片支撑环，其中所述连续脊部分包含多个脊区段，每一脊区段包含所述第一径向厚度的第一弧分段及包含所述第二径向厚度的第二弧分段。
21.根据权利要求19所述的晶片支撑环，其中所述连续脊部分包含所述第一径向厚度与所述第二径向厚度之间的至少一个过渡区，所述至少一个过渡区包含于所述第二弧分段中。
22.根据权利要求20或权利要求21所述的晶片支撑环，其中所述多个所述弧分段中的每一者包含对应支柱以呈现多个支柱，每一支柱由所述第二弧分段界定。
23.根据权利要求22所述的晶片支撑环，其中所述多个支柱围绕所述中心轴线成角度地均匀分布。
24.根据权利要求20或权利要求21所述的晶片支撑环，其中所述多个支柱为至少三个支柱且不大于12个支柱。
25.根据权利要求24所述的晶片支撑环，其中所述多个支柱为至少四个支柱且不大于10个支柱。
26.根据权利要求25所述的晶片支撑环，其中所述多个支柱为至少六个支柱且不大于八个支柱。
27.根据权利要求20或权利要求21所述的晶片支撑环，其中所述第二径向厚度对所述第一径向厚度的比率在1.2到3且包含1.2及3的范围内。
28.根据权利要求27所述的晶片支撑环，其中所述第二径向厚度对所述第一径向厚度的比率在1.3到2且包含1.3及2的范围内。
29.根据权利要求28所述的晶片支撑环，其中所述第二径向厚度对所述第一径向厚度的比率在1.4到1.8且包含1.4及1.8的范围内。
30.根据权利要求20或权利要求21所述的晶片支撑环，其中所述多个脊区段中的至少一者的所述第一弧分段为所述多个脊区段中的所述至少一者的对应一者的弧长度的分数，所述分数在70％到95％且包含70％及95％的范围内。
31.根据权利要求30所述的晶片支撑环，其中所述分数在75％到95％且包含75％及95％的范围内。
32.根据权利要求31所述的晶片支撑环，其中所述分数在75％到85％且包含75％及85％的范围内。
33.根据权利要求20或权利要求21所述的晶片支撑环，其中所述第一弧分段的所述第一径向厚度对所述凹入轴向面与所述对齐平面之间的所述轴向厚度的比率在0.1到1.5且包含0.1及1.5的范围内。
34.根据权利要求33所述的晶片支撑环，其中所述第一径向厚度对所述轴向厚度的所述比率为0.5到1.2且包含0.5及1.2。
35.根据权利要求34所述的晶片支撑环，其中所述第一径向厚度对所述轴向厚度的所述比率为0.8到1.1且包含0.8及1.1。
36.一种晶片支撑系统，其包括：
多个晶片支撑环，其各自界定中心轴线且包含凸缘部分及在平行于所述中心轴线的轴向方向上从所述凸缘部分的第一面突出的外边沿部分，所述凸缘部分的所述第一面包含从所述外边沿部分且邻近于所述外边沿部分径向内凹的平坦表面部分，
所述多个晶片支撑环中的每一者包含从所述凸缘部分径向向内延伸的晶片平面支撑结构，所述晶片平面支撑结构包含第一面，所述第一面包含从所述凸缘部分的所述平坦表面部分径向内凹的平坦表面部分，所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分界定线性边缘，所述线性边缘界定距所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分的所述中心轴线的最小半径，所述线性边缘基本上正交于所述中心轴线且基本上垂直于所述最小半径而延伸，
所述多个晶片支撑环中的每一者进一步包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第一切线长度径向向外延伸的第一突片部分，
其中所述凸缘部分及所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分界定对齐平面。
37.根据权利要求36所述的晶片支撑系统，其中所述晶片平面支撑结构中的每一者包含在平行于所述中心轴线的轴向方向上突出的凸肋，所述凸肋从所述外边沿部分径向内凹且从所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分径向外凸，所述凸肋包含平行于所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分的所述线性边缘延伸的线性部分。
38.根据权利要求37所述的晶片支撑系统，其中所述凸肋部分及所述外边沿部分在相同轴向方向上突出，所述凸肋部分从所述晶片支撑结构的所述第一面延伸。
39.根据权利要求36所述的晶片支撑系统，其中所述晶片平面支撑结构的所述第一面包含从所述晶片平面支撑结构的所述平坦表面部分的所述线性边缘径向向内延伸的倾斜部分，所述倾斜部分朝向所述中心轴线且远离所述对齐平面延伸。
40.根据权利要求39所述的晶片支撑系统，其中所述凸缘部分的所述第一面包含从所述凸缘部分的所述平坦表面部分径向向内延伸的倾斜部分，所述倾斜部分朝向所述中心轴线且远离所述对齐平面延伸。
41.根据权利要求36所述的晶片支撑系统，其进一步包括：
容座部分，其包含基座部分及至少一个弓形壁部分，所述基座部分基本上垂直于安装轴线，所述至少一个弓形壁部分从所述基座部分延伸，所述至少一个弓形壁部分以所述安装轴线为中心且基本上平行于所述安装轴线，所述至少一个弓形壁部分界定经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第一突片部分的第一横向开口及第一横向凹部中的一者。
42.根据权利要求41所述的晶片支撑系统，其中：
所述晶片支撑环包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第二切线长度径向向外延伸的第二突片部分，所述第二切线长度具有不同于所述第一突片部分的所述第一切线长度的尺寸；且
所述至少一个弓形壁部分进一步界定经定位且经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第二突片部分的第二横向开口及第二横向凹部中的一者。
43.根据权利要求42所述的晶片支撑系统，其中所述第一突片部分与所述第二突片部分完全相对。
44.根据权利要求42所述的晶片支撑系统，其中所述至少一个弓形壁部分包括一对相对弓形壁部分，所述相对弓形壁部分以所述安装轴线为中心，所述对相对弓形壁部分在其间界定所述第一开口及所述第二开口。
45.根据权利要求42所述的晶片支撑系统，其中：
所述晶片支撑环包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第三切线长度径向向外延伸的第三突片部分；且
所述至少一个弓形壁部分进一步界定经定位且经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第三突片部分的第三横向开口及第三横向凹部中的一者。
46.根据权利要求45所述的晶片支撑系统，其中所述第三切线长度具有不同于所述第一切线长度及所述第二切线长度的尺寸。
47.根据权利要求45所述的晶片支撑系统，其中所述第一突片部分、所述第二突片部分及所述第三突片部分围绕所述中心轴线不对称地安置。
48.根据权利要求47所述的晶片支撑系统，其中：
所述晶片支撑环包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第四切线长度径向向外延伸的第四突片部分，所述第四突片部分关于所述中心轴线而与所述第三突片部分完全相对；且
所述至少一个弓形壁部分进一步界定经定位且经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第三突片部分的第四横向开口及第四横向凹部中的一者。
49.根据权利要求48所述的晶片支撑系统，其中所述第三突片部分及所述第四突片部分各自界定基本上相同形状及基本上相同尺寸的第一平面图轮廓。
50.根据权利要求49所述的晶片支撑系统，其中所述第一平面图轮廓的所述形状近似为半圆。
51.根据权利要求49所述的晶片支撑系统，其中：
所述晶片支撑环包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第五切线长度径向向外延伸的第五突片部分；
所述至少一个弓形壁部分进一步界定经定位且经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第五突片部分的第五横向开口及第五横向凹部中的一者；
所述晶片支撑环包含从所述边沿部分且沿着所述边沿部分的第六切线长度径向向外延伸的第六突片部分，第六突片部分关于所述中心轴线而与所述第五突片部分完全相对；且
所述至少一个弓形壁部分进一步界定经定位且经定尺寸以接纳所述晶片支撑环的所述第六突片部分的第六横向开口及第六横向凹部中的一者。
52.根据权利要求51所述的晶片支撑系统，其中所述第五突片部分及所述第六突片部分各自界定基本上相同形状及基本上相同尺寸的第二平面图轮廓，所述第二平面图轮廓为不同于所述第一平面图轮廓的形状及尺寸中的至少一者。
53.根据权利要求52所述的晶片支撑系统，其中所述第三突片部分、所述第四突片部分、所述第五突片部分及所述第六突片部分各自包含用于与真空垫啮合的平面表面。
54.根据权利要求53所述的晶片支撑系统，其中所述平面表面中的至少一者径向向内延伸穿过所述外边沿部分。