1.一种用于承载供处理的基板的载体，所述载体包括：
电介质板，所述电介质板具有顶侧和底侧，并且经配置以使用静电力而在所述板的顶侧上被附接至基板；
基底板，所述基底板耦接至所述电介质板的底侧；
电极，所述电极形成在所述基底板上并跨所述基底板平行于所述电介质板的所述顶侧而延伸，所述电极经配置以运载静电电荷，并且形成为使得第一电荷的电极定位在第二电荷的电极附近；以及
连接器，所述连接器延伸穿过所述基底板而至所述电极，以便将所述电极耦接至静电电荷的源。
2.如权利要求1所述的载体，其中所述基底板包括陶瓷盘，并且所述电极形成在所述陶瓷上方，使得所述电极与所述陶瓷相邻。
3.如权利要求1所述的载体，其中所述基底板包括陶瓷底板和聚合物顶板，并且其中所述电极形成在所述聚合物顶板上。
4.如权利要求1所述的载体，其中所述基底板包括非晶底板和聚合物顶板，并且其中所述电极形成在所述聚合物顶板上。
5.如权利要求4所述的载体，其中所述非晶底板由玻璃形成，并且所述聚合物顶板由硅形成。
6.如权利要求4所述的载体，所述载体进一步包括在所述底板与所述顶板之间的嵌入式电容器。
7.如权利要求1所述的载体，其中所述电极形成互相交错的正、负电荷平行线。
8.如权利要求7所述的载体，其中所述平行线包括从所述平行线延伸的刺部，一个电极的刺部在所述一个电极的任一侧上的另一电极的多个刺部之间延伸。
9.如权利要求7所述的载体，其中所述刺部以距正交的角度偏移而从所述平行线延伸。
10.一种使载体承载供处理的基板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上方沉积传导层；
将所述传导层图案化为正电极和负电极；
在所述传导层和所述基板上方沉积电介质层；以及
在所述电介质层上方沉积陶瓷层。
11.如权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：在沉积所述传导层之前，在所述基板上方沉积电介质层。
12.如权利要求10所述的方法，其中沉积传导层的步骤包括以下步骤：通过化学气相沉积施加金属层；以及通过化学机械抛光来抛光所述金属层。
13.如权利要求10所述的方法，其中图案化所述传导层的步骤包括以下步骤：施加光阻剂；图案化所述光阻剂；以及蚀刻所述传导层以形成所述图案。
14.如权利要求10所述的方法，其中沉积陶瓷层的步骤包括以下步骤：通过化学气相沉积来沉积氮化铝。
15.如权利要求14所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：抛光所述氮化铝。