1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
具有多个TFT和多个像素电极的有源矩阵基板；
以与所述有源矩阵基板相对的方式配置的光电转换基板；
设置在所述光电转换基板的与所述有源矩阵基板侧相反的一侧的表面上的上部电极；和
设置在所述有源矩阵基板和所述光电转换基板之间，由金属形成的多个连接电极，
所述多个连接电极的各连接电极与所述多个像素电极中的任一个像素电极以及所述光电转换基板直接接触，且在从所述有源矩阵基板的法线方向看时与所述多个TFT中的任一个TFT的半导体层重叠，包含原子序数为42以上82以下的金属元素。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述多个连接电极各自的厚度为10μm以上100μm以下。
3.一种半导体装置，其特征在于，包括：
具有多个TFT和多个像素电极的有源矩阵基板；
以与所述有源矩阵基板相对的方式配置的光电转换基板；
设置在所述光电转换基板的与所述有源矩阵基板侧相反的一侧的表面上的上部电极；
设置在所述光电转换基板的所述有源矩阵基板侧的表面上的多个连接电极和多个放射线吸收膜；和
设置在所述多个像素电极和所述多个连接电极之间的至少1个连接树脂层，该至少1个连接树脂层分别具有将所述多个像素电极中的任一个像素电极和所述多个连接电极中的任一个连接电极电连接的多个连接树脂部，
所述多个放射线吸收膜的各放射线吸收膜具有绝缘性，且在从所述有源矩阵基板的法线方向看时与所述多个TFT中的任一个TFT的半导体层重叠，包含原子序数为42以上82以下的元素。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述多个放射线吸收膜的各放射线吸收膜与所述多个连接电极中的任一个连接电极直接接触。
5.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于：
所述光电转换基板的所述有源矩阵基板侧的表面由所述多个连接电极和所述多个放射线吸收膜覆盖。
6.如权利要求3至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述多个放射线吸收膜各自的厚度为10μm以上100μm以下。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述光电转换基板将放射线转换成电荷。
8.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
还包括将放射线转换成红外线、可见光线和紫外线中的至少任一者的波长转换层，所述光电转换基板将红外线、可见光线和紫外线中的至少任一者转换成电荷。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体层包含氧化物半导体。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：
所述氧化物半导体包含In-Ga-Zn-O类的半导体。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：
所述In-Ga-Zn-O类的半导体包含结晶部分。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
工序(a)，准备具有多个TFT和多个像素电极的有源矩阵基板，并且在所述多个像素电极上设置由金属形成的多个连接电极，该多个连接电极的各连接电极与所述多个像素电极中的任一个像素电极直接接触，且在从所述有源矩阵基板的法线方向看时与所述多个TFT中的任一个TFT的半导体层重叠，包含原子序数为42以上82以下的金属元素；
工序(b)，准备光电转换基板，并且在所述光电转换基板的一个表面上设置上部电极；和
工序(c)，在所述工序(a)和所述工序(b)之后，将所述多个连接电极以与所述光电转换基板直接接触的状态固定。