技术总结
本发明涉及一种电掺杂半导体材料，以及电子器件和化合物，所述电掺杂半导体材料包含：iii)至少一种选自由至少一种金属阳离子和至少一种阴离子组成的金属盐的电掺杂剂，和iv)至少一种式(1)的基质化合物，其中R1、R2、R1′、R2′各自独立地选自H、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基和C6‑C14芳基，或者在氧杂蒽骨架的相同芳族环上的两个取代基是彼此连接以一起形成环状的二价C2‑C10烃基基团的烃基基团，并且A和A′独立地选自包含至少一个sp2杂化氮原子的C1‑C20杂芳基基团。
技术研发人员：迈克·策尔纳;欧姆莱恩·法德尔;乌尔里希·登克尔
受保护的技术使用者：诺瓦尔德股份有限公司
文档号码：201580035807
技术研发日：2015.06.26
技术公布日：2017.05.10