技术总结
本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。所述半导体装置的制造方法具备：准备在SiC支承衬底上配设了与上述SiC支承衬底相比杂质浓度为1万分之1以下、并且厚度为50μm以上的SiC外延生长层的SiC外延衬底的工序(a)；选择性地将杂质离子注入上述SiC外延衬底的第1主面而形成构成半导体元件的杂质区域的工序(b)；将规定的离子注入上述SiC外延衬底的第2主面而形成控制上述SiC外延衬底的翘曲的离子注入区域的工序(c)；和在上述工序(b)及工序(c)之后将上述SiC外延衬底加热的工序(d)。
技术研发人员：滨田宪治;三浦成久;中西洋介
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201580038164
技术研发日：2015.04.10
技术公布日：2017.03.22