技术特征：
技术总结
本发明提供了一种互连结构及其形成方法，和一种集成电路，其中，所述互连结构的形成方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述介质层上形成第一石墨烯层，所述第一石墨烯层覆盖所述开口的底部和侧壁；在所述第一石墨烯层上形成导电材料层，所述导电材料层填充满所述开口；刻蚀所述导电材料层，形成导电结构，所述导电结构包括位于所述开口内的第一部分和位于所述介质层上的第二部分。本发明所形成的互连结构的导电性好，且抑制了互连结构的电迁移现象。
技术研发人员：张海洋;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.01.06
技术公布日：2017.07.14