1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在第1SiC层上通过外延生长而形成第1导电型的第2SiC层；
在所述第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第1杂质，而形成第2导电型的第1区域；
去除所述第1区域的一部分；
在所述第2SiC层上通过外延生长而形成第1导电型的第3SiC层；
在所述第3SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第2杂质，而在所述第1区域上形成第2导电型的第2区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1区域的一部分的去除是通过化学机械抛光而进行。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除所述第1区域的一部分之后、且形成所述第3SiC层之前，通过使用六氟化硫气体、或四氟化碳气体的各向异性干式蚀刻、或各向同性干式蚀刻去除所述第2SiC层的一部分。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除所述第1区域的一部分之后、且形成所述第3SiC层之前，通过在所述第2SiC层上形成热氧化膜并剥离所述热氧化膜而去除所述第2SiC层的一部分。
5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除所述第1区域的一部分之后、且形成所述第3SiC层之前，通过湿式蚀刻去除所述第2SiC层的一部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1区域的一部分的去除是通过在所述第1区域上形成热氧化膜并剥离所述热氧化膜而进行。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1区域的一部分的去除是通过干式蚀刻而进行。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除所述第1区域的一部分时，去除存在有所述第1杂质的峰值浓度位置的区域。
9.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除所述第1区域的一部分时，选择性地去除所述第1区域的一部分，在所述第2SiC层的表面形成沟槽。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1杂质及所述第2杂质为铝。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在第1SiC层上通过外延生长而形成第1导电型的第2SiC层；
在所述第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第1杂质，而形成第2导电型的第1区域；
在所述第2SiC层上通过外延生长而形成第1导电型的第3SiC层；
在所述第3SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第2杂质，而在所述第1区域上形成第2导电型的第2区域，并在所述第1区域中设置所述第2杂质的峰值浓度位置。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1杂质及所述第2杂质为铝。