技术总结
本发明的实施方式提供一种能够实现高耐压的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是在第1SiC层上通过外延生长形成第1导电型的第2SiC层；在所述第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第1杂质，而形成第2导电型的第1区域；去除所述第1区域的一部分；在所述第2SiC层通过外延生长上形成第1导电型的第3SiC层；在所述第3SiC层中选择性地离子注入第2导电型的第2杂质，而在所述第1区域上形成第2导电型的第2区域。
技术研发人员：上原准市
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610132984
技术研发日：2016.03.09
技术公布日：2017.03.22