1.一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上；
（2）将步骤（1）中的砷化镓半导体基片进行机械减薄；
（3）将步骤（2）中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐蚀，所述刻蚀液由NH4OH、H2O2与去离子水按体积比（1~1.2）：（1~1.2）：（10~12）混合而成；
（4）将化学腐蚀后的砷化镓半导体基片取出后经清洗、干燥，直接进行后端光刻及后续加工即可。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤（1）中的粘附具体步骤为：在已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片前端表面均匀涂上隔离层和粘附层，于80~90℃条件下对隔离层和薄膜层进行固化后通过热压仪将砷化镓半导体基片与蓝宝石载体粘附在一起。
3.根据权利要求2所述的一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述隔离层和粘附层的总体厚度控制在10~30μm。
4.根据权利要求1所述的一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤（2）中的机械减薄分为粗磨和细磨，减薄厚度为100~120μm。
5.根据权利要求1所述的一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，步骤（3）中，腐蚀速率为1~1.2μm/min，腐蚀时间5~10min，腐蚀温度为20~30℃。