技术总结
本发明公开一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，包括如下步骤：准备RIE制绒硅片，并检测绒面反射率；根据上述测试的反射率结果配制初次修饰清洗药液，将硅片绒面浸入所述初次修饰清洗药液中进行初次清洗；将RIE制绒硅片取出，并采用去离子水清洗，去除硅片表面残留的药液；采用二次清洗液继续对制绒硅片清洗；采用去离子水冲洗RIE制绒硅片，并用吹干。本发明根据RIE方法制绒的硅片表面特征配制特定比例的清洗药液，通过搭配适当的清洗温度和清洗时间有效去除硅片表面的缺陷，去除硅片绒面上尺寸严重偏小的凹坑，使绒面形貌平滑；采用本发明方法清洗后RIE绒面效果优异，可有效提高电池效率，且本发明工艺流程简单，易于在生产线上推广。
技术研发人员：黄钧林;范维涛;周肃;黄青松;黄惜惜;张鑫;勾宪芳
受保护的技术使用者：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
文档号码：201610180460
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.04.12