1.一种金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该方法包含：
形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上，该非结晶金属氧化物半导体层包含铟；以及
在压力为550mtorr至5000mtorr，温度为200℃至750℃下，以氧气处理该非结晶金属氧化物半导体层，将该非结晶金属氧化物半导体层的一部分转变为一氧化铟结晶层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，进一步包含加热该氧化铟结晶层。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，加热该氧化铟结晶层是在温度为200℃至800℃下进行。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，进一步包含一射频电源，在以氧气处理该非结晶金属氧化物半导体层时，该射频电源的输出功率为0。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，进一步包含一射频电源，在以氧气处理该非结晶金属氧化物半导体层时，该射频电源的输出功率大于0。
6.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：
一基板；
一栅极，配置于该基板上；
一栅极绝缘层，位于该栅极上；
一第一金属氧化物半导体层，配置于该栅极绝缘层上；
一第一氧化铟结晶层，接触该第一金属氧化物半导体层的一外侧表面上；以及
一源极及一漏极，配置于该第一氧化铟结晶层上。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：
一第一电容电极，配置于该基板与该栅极绝缘层之间；
一第二金属氧化物半导体层，配置于该栅极绝缘层上；以及
一第二氧化铟结晶层，接触该第二金属氧化物半导体层上，以作为一第二电容电极。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：
一第二金属氧化物半导体层，配置于该栅极绝缘层上；
一第二氧化铟结晶层，接触该第二金属氧化物半导体层上，以作为一第一电容电极；
一保护层，位于该第二氧化铟结晶层上；以及
一第二电容电极，配置于该保护层上。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一金属氧化物半导体层包含铟。
10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一金属氧化物半导体层包含氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铪铟锌或氧化铟锌。
11.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一金属氧化物半导体层包含一氧化铟镓锌结晶。
12.一种金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该方法包含：
形成一第一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上；
形成一铝层于该第一非结晶金属氧化物半导体层上；
形成一第二非结晶金属氧化物半导体层于该铝层上；以及
在温度为350℃至650℃下，以惰性气体处理该第一非结晶金属氧化物半导体层、该铝层及该第二非结晶金属氧化物半导体层。
13.根据权利要求12所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该惰性气体包含氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气或其组合。
14.根据权利要求12所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该第一非结晶金属氧化物半导体层及该第二非结晶金属氧化物半导体层独立包含氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铪铟锌或氧化铟锌。
15.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：
一基板；
一栅极，配置于该基板上；
一栅极绝缘层，位于该栅极上；
一第一结晶化金属氧化物半导体层，配置于该栅极绝缘层上；
一氧化铝层，位于该第一结晶化金属氧化物半导体层上；
一第二结晶化金属氧化物半导体层，配置于该氧化铝层上；以及
一源极及一漏极，配置于该第二结晶化金属氧化物半导体层上。
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，该第一结晶化金属氧化物半导体层与该第二结晶化金属氧化物半导体层为全结晶态。
17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，该第一结晶化金属氧化物半导体层与该第二结晶化金属氧化物半导体层独立包含氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铪铟锌或氧化铟锌。
18.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，该第一结晶化金属氧化物半导体层与该第二结晶化金属氧化物半导体层独立包含一氧化铟镓锌结晶及一氧化铟结晶。