技术总结
本发明提供两种金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构，第一种结晶方法是在压力为约550mtorr至约5000mtorr，温度为约200℃至约750℃下，以氧气处理包含铟的非结晶金属氧化物半导体层。第二种结晶方法是先依序形成第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层于基板上，在温度为约350℃至约650℃下，以惰性气体处理第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层。本发明的金属氧化物半导体层的结晶方法制备的半导体结构能够有效抵御蚀刻剂侵蚀，能够广泛用于制备薄膜晶体管。
技术研发人员：叶家宏
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
文档号码：201610723919
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2016.12.21