1.一种用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
a.在衬底上沉积第一金属层，并将金属层图形化为超细的金属导电网格；
b.制备导电网格模具：涂覆负性光刻胶，从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理，形成导电网格模具；
c.使用电镀方法，在金属导电网格上沉积第二金属层，并通过导电网格模具形成导电网格；
d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层；
e.在透明导电层上制作有机保护层，形成低阻值透明导电网络膜。
2.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤a中所述金属导电网格的线宽为0.1至50μm；步骤c中所述第二金属层的厚度为1至10um。
3.根据权利要求2所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤a中所述金属导电网格的线宽为1至16μm；步骤c中所述第二金属层和第一金属层的厚度之和大于负性光刻胶厚度，且所超出的厚度不超过500nm。
4.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤b中所述涂覆的负性光刻胶的厚度为1um至10um。
5.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤a中所述第一金属层的材料为Mo、Ag、Al、Ti、Ta、Au、Cr、W、Ni单质；或者为含有Mo、Ag、Al、Ti、Ta、Au、Cr、W、Ni中至少一种元素的合金；
步骤c中所述第二金属层的材料为Mo、Ag、Al、Ti、Ta、Au、Cr、W或者Ni；或者为含有Mo、Ag、Al、Ti、Ta、Au、Cr、W、Ni中至少一种元素的合金。
6.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤d中所述透明导电层厚度为0.1nm至200nm；步骤e中所述有机保护层的厚度为1000nm～5000nm。
7.步骤d中所述透明导电层的材料为透明氧化物材料、银纳米线、碳纳米管或石墨烯中的一种以上；
步骤e中所述有机保护层材料为聚酰亚胺，光刻胶，苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种以上；
步骤a中所述衬底材料为超薄玻璃、聚酰亚胺薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮或聚甲基丙烯酸甲酯。
8.根据权利要求1所述用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜的制备方法，其特征在于：步骤a中所述第一金属层为单层或者多层结构；步骤e中所述有机保护层为单层或者多层薄膜。
9.一种由权利要求1～8任一项所述制备方法得到的用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜。
10.根据权利要求9所述低阻值透明导电网络膜的应用，其特征在于：所述用于低阻值透明导电网络膜柔性电子器件。