技术总结
本发明属于半导体制造技术领域，公开了用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法。所述方法为：a.在衬底上沉积第一金属层，并将金属层图形化为金属导电网格；b.涂覆负性光刻胶，从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理，形成导电网格模具；c.使用电镀方法，在金属导电网格上沉积第二金属层，并通过导电网格模具形成导电网格；d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层；e.在透明导电层上制作有机保护层，形成低阻值透明导电网络膜。本发明通过引入电镀法，并结合埋入式结构，在不增加金属网格线宽的同时，尽量增厚金属层的厚度，实现超厚、超细的金属网格，满足了柔性电子器件对低阻值、高透明导电网络的要求。
技术研发人员：陶洪;徐苗;许志平;彭俊彪;王磊;邹建华
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201610737321
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2016.12.14