1.一种非易失性存储器，包括：
半导体衬底；
第一层，具有第一掺杂剂类型并位于所述半导体衬底中；
第一阱区，具有第二掺杂剂类型并位于所述第一层上方；
第二阱区，具有所述第一掺杂剂类型；
第三阱区，具有所述第二掺杂剂类型，位于所述第一层上方并且与所述第一阱区间隔开，所述第二阱区设置在所述第一阱区与所述第三阱区之间并且向下延伸至所述第一层；以及
第一栅极层，在所述第一阱区、所述第二阱区和所述第三阱区上方延伸。