1.一种微米级磁通聚集薄膜，包括薄膜A、薄膜B交替形成的2n层薄膜；当薄膜A为坡莫合金薄膜时，薄膜B为掺铬的坡莫合金薄膜，当薄膜A为掺铬的坡莫合金薄膜时，薄膜B为坡莫合金薄膜；所述薄膜A与薄膜B的厚度相同。
2.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述薄膜A和薄膜B的厚度相同，为50～100nm。
3.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述坡莫合金为铁镍合金，其中镍的质量分数为78％～82％。
4.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述坡莫合金为铁镍合金，其中镍的质量分数为81％，铁的质量分数为19％。
5.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述掺铬的坡莫合金中铬的重量百分比为1％～5％。
6.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述坡莫合金薄膜采用磁控溅射法制备得到，其中，背底真空为小于10-8mbar，溅射气体为氩气，溅射气压为1.5×10-4～2.0×10-4mbar。
7.根据权利要求1所述的微米级磁通聚集薄膜，其特征在于，所述掺铬的坡莫合金薄膜采用磁控溅射法制备得到，其中，背底真空为小于10-8mbar，溅射气体为氩气，溅射气压为1.5×10-4～2.0×10-4mbar。
8.一种微米级磁通聚集薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：先后采用丙酮、乙醇和去离子水对基片进行清洗，清洗后置于氮气气氛下干燥；
步骤2：将步骤1清洗干燥后的基片放置于夹具上，所述夹具上由永磁体形成沿基片表面的200Oe的偏置场，然后置于磁控溅射设备真空腔中，采用磁控溅射法在基片表面沉积50～100nm厚的薄膜A，其中，背底真空为小于10-8mbar，溅射气体为氩气，溅射气压为1.5×10-4～2.0×10-4mbar；
步骤3：采用与步骤2相同的方法在步骤2得到的带薄膜A的基片上沉积与薄膜A厚度相同的薄膜B；所述薄膜A为坡莫合金薄膜时，薄膜B为掺铬的坡莫合金薄膜，当薄膜A为掺铬的坡莫合金薄膜时，薄膜B为坡莫合金；
步骤4：多次重复步骤2和步骤3，直到薄膜的厚度达到要求为止，即可得到所述微米级磁通聚集薄膜。