技术总结
一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法，属于磁传感器技术领域。本发明将等厚度的坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜交替重复形成微米级的磁通聚集薄膜，由于掺铬的坡莫合金薄膜与未掺杂的坡莫合金薄膜之间存在磁化强度梯度差△M，该磁化强度梯度差△M会产生垂直于膜面的退磁场而使薄膜的磁矩平行于膜面，这样即使多层薄膜的厚度达到微米级，也不会出现磁矩向面外分布，即不会产生面外各向异性，使得薄膜具有良好的磁通聚集性能。本发明坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜之间的晶格匹配，在形成多层薄膜时不会产生应力而恶化薄膜的软磁性能；本发明采用两种磁性层交替形成磁通聚集薄膜，保证了磁通聚集薄膜的饱和磁化强度不降低。
技术研发人员：钟智勇;张怀武;廖宇龙;金立川;文天龙;唐晓莉;白飞明
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610770315
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.11.23