1.一种金属薄膜的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属薄膜，所述半导体衬底的表面分中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；
在所述边缘区域内的多个预设位置，检测光反射率值；
根据所述多个预设位置的光反射率值与预设阈值范围的关系，判断所述金属薄膜是否出现异常。
2.根据权利要求1所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，所述多个预设位置包括：分布于外边缘线以外的第一检测点和分布于内边缘线以内的第二检测点，所述外边缘线是以所述半导体衬底的边缘为基准向内收缩第一距离得到的，所述内边缘线是以所述半导体衬底的边缘为基准向内收缩第二距离得到的，所述第一距离小于所述第二距离。
3.根据权利要求2所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，根据所述多个预设位置的光反射率值与预设阈值范围的关系，判断所述金属薄膜是否出现异常包括：如果至少一个所述第一检测点的光反射率值在所述预设阈值范围之内，和/或至少一个所述第二检测点的光反射率值超出所述预设阈值范围，则判断所述金属薄膜出现异常。
4.根据权利要求3所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，判断所述金属薄膜出现异常包括：
如果存在至少一个所述第一检测点的光反射率值在所述预设阈值范围之内，并且存在至少一个所述第二检测点的光反射率值超出所述预设阈值范围，则判断所述金属薄膜的图案发生偏移。
5.根据权利要求3所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，判断所述金属薄膜出现异常包括：
如果存在至少一个所述第一检测点的光反射率值在所述预设阈值范围之内，并且全部的所述第二检测点的光反射率值位于所述预设阈值范围之内，则判断所述金属薄膜的尺寸大于预设规格。
6.根据权利要求3所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，判断所述金属薄膜出现异常包括：
如果存在至少一个所述第二检测点的光反射率值超出所述预设阈值范围，
并且全部的所述第一检测点的光反射率值超出所述预设阈值范围，则判断所述金属薄膜的尺寸小于预设规格。
7.根据权利要求2所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，多个所述第一检测点与所述半导体衬底的中心点等距，多个所述第二检测点与所述半导体衬底的中心点等距。
8.根据权利要求7所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，多个所述第一检测点在以所述半导体衬底的中心点为圆心的同一圆周上呈均匀排列，多个所述第二检测点在以所述半导体衬底的中心点为圆心的同一圆周上呈均匀排列。
9.根据权利要求7所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，还包括：
对于多个所述第一检测点的光反射率值，选择最接近所述预设阈值范围中心值的所述光反射率值作为第一极值点；
对于多个所述第二检测点的光反射率值，选择最远离所述预设阈值范围中心值的所述光反射率值作为第二极值点；
记录所述第一极值点和所述第二极值点。
10.根据权利要求1所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，所述金属薄膜的材料为金属单质或金属化合物。
11.根据权利要求1所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，所述金属薄膜的形成工艺选自：
沉积工艺和溅射工艺。
12.根据权利要求1所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，所述检测光反射率值包括：
采用预设波长的光源检测所述光反射率值，所述预设波长包括100纳米至1000纳米。
13.根据权利要求1所述的金属薄膜的检测方法，其特征在于，还包括：
在判断所述金属薄膜出现异常时，存储所述金属薄膜的异常记录和/或发出警示信息。