堆叠半导体封装件及其制造方法与流程

文档序号:11586719阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
公开了堆叠半导体封装件及其制造方法。提供第一半导体芯片和包围第一半导体芯片侧部的第一绝缘层;提供第二半导体芯片和包围第二半导体芯片侧部的第二绝缘层;在第一半导体芯片和第一绝缘层下方提供第三绝缘层,使得第一半导体芯片在第三绝缘层与第二半导体芯片之间,第三绝缘层形成封装衬底;在第三绝缘层上提供多个外部连接端子,使得第三绝缘层具有面对第一半导体芯片的第一表面和面对外部连接端子的第二表面;提供位于第三绝缘层的第一表面上并且沿着第三绝缘层的第一表面水平延伸的第一再分配线,其接触第一半导体芯片的第一导电焊盘;在第二半导体芯片的表面提供连接至第二导电焊盘的第二再分配线,其穿过第一绝缘层以接触第一再分配线。

技术研发人员:李仁荣;郑显秀;赵泰济
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2016.10.13
技术公布日:2017.08.11
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1