本发明涉及一种非晶氧化物半导体薄膜，尤其涉及一种p型非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法。
背景技术：
薄膜晶体管（TFT）是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。目前，TFT主要是基于非晶硅（a-Si）技术，但是a-Si TFT是不透光的，光敏性强，需要加掩膜层，显示屏的像素开口率低，限制了显示性能，而且a-Si迁移率较低（~2 cm2/Vs），不能满足一些应用需求。基于多晶硅（p-Si）技术的TFT虽然迁移率高，但是器件均匀性较差，而且制作成本高，这限制了它的应用。此外，有机半导体薄膜晶体管（OTFT）也有较多的研究，但是OTFT的稳定性不高，迁移率也比较低（~1 cm2/Vs），这对其实际应用是一个较大制约。
为解决上述问题，人们近年来开始致力于非晶氧化物半导体（AOS）TFT的研究，其中最具代表性的是InGaZnO。与Si基TFT不同，AOS TFT具有如下优点：可见光透明，光敏退化性小，不用加掩膜层，提高了开口率，可解决开口率低对高分辨率、超精细显示屏的限制；易于室温沉积，适用于有机柔性基板；迁移率较高，可实现高的开/关电流比，较快的器件响应速度，应用于高驱动电流和高速器件；特性不均较小，电流的时间变化也较小，可抑制面板的显示不均现象，适于大面积化用途。
由于金属氧化物特殊的电子结构，氧原子的2p能级一般都远低于金属原子的价带电子能级，不利于轨道杂化，因而O 2p轨道所形成的价带顶很深，局域化作用很强，因而空穴被严重束缚，表现为深受主能级，故此，绝大多数的氧化物本征均为n型导电，具有p型导电特性的氧化物屈指可数。目前报道的p型导电氧化物半导体主要为SnO、NiO、Cu2O、CuAlO2等为数不多的几种，但这些氧化物均为晶态结构，不是非晶形态。目前人们正在研究的AOS如InGaZnO等均为n型半导体，具有p型导电的非晶态氧化物半导体几乎没有。因而，目前报道的AOS TFT均为n型沟道，缺少p型沟道的AOS TFT，这对AOS TFT在新一代显示、透明电子学等诸多领域的应用产生了很大的制约。因而，设计寻找并制备出p型导电的非晶氧化物半导体薄膜是人们亟需解决的一个难题。
技术实现要素：
本发明针对实际应用需求，拟提供一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法，为此，本发明的技术方案如下。
本发明提供了一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，M为Zn、Mg、Mn。在p型CrMCuO体系中：Cr为+3价，M为Zn、Mg、Mn，且M为+2价，Cr与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Cu为+1价，也能同时形成p型导电，且Cu与Cr和M共同作用形成空间网络结构，在非晶状态下彼此连通，因而起到空穴传输通道的作用。
本发明所提供的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：在CrMCuO中， Cr为+3价，M元素为Zn、Mg、Mn中的一种，且M为+2价，Cu为+1价；CrMCuO薄膜为非晶态，具有p型导电特性。
本发明所提供的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，更进一步的，如各实施例，当M为Mg，此时CrMCuO即为CrMgCuO，p型CrMgCuO薄膜化学式为Cr2MgCuxO4+0.5x，其中0.8≦x≦1.2。
本发明还提供了制备上述p型CrMgCuO非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，具体步骤如下：
（1）以高纯Cr2O3、MgO和Cu2O粉末为原材料，混合，研磨，在1150℃的Ar气氛下烧结，制成CrMgCuO陶瓷片为靶材，其中Cr、Mg、Cu三组分的原子比为2:1:(0.8~1.2)；
（2）采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至真空度不高于1×10-3Pa；
（3）通入Ar-O2为工作气体，气体压强2~4Pa，Ar-O2流量体积比为10:1~10:2，溅射功率140~150W，衬底温度为200~400℃，在Ar-O2离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在不高于100Pa的O2气氛下自然冷却到室温，得到p型CrMgCuO非晶薄膜。
采用上述方法生长的p型CrMgCuO非晶氧化物半导体薄膜，其性能指标为：CrMgCuO非晶薄膜具有p型导电特性，空穴浓度1012~1013cm-3，可见光透过率≧89%。
上述材料参数和工艺参数为发明人经多次实验确立的，需要严格控制，在发明人的实验中若超出上述参数的范围，则无法实现设计的p型CrMgCuO材料，也无法获得具有p型导电且为非晶态的CrMgCuO薄膜。
在p型CrMCuO体系中：Cr为+3价，M为Zn、Mg、Mn，且M为+2价，Cr与M共同与O结合形成材料的p型导电基体；Cu为+1价，也可形成p型导电，同时起到空穴传输通道的作用。除M=Mg外，当M为上述所述的其它元素时，也具有同样的机理，因而也具有类似的性质，除CrMgCuO之外，本发明提供的其它的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜也能用上述类似的方法与步骤进行制备，所得的材料和器件具有与CrMgCuO类似的性能。
本发明的有益效果在于：
1）本发明所述的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，其中Cr与M共同与O结合形成材料的p型导电基体，Cu起到空穴传输通道的作用，基于上述原理，CrMCuO是一种较好的p型AOS材料。
2）本发明所述的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，具有良好的材料特性，其p型导电性能可通过组分比例实现调控。
3）本发明所述的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，可以作为沟道层制备的p型AOS TFT，从而为p型AOS TFT的应用提供材料与技术。
4）本发明所述的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，与已存在的n型InGaZnO非晶氧化物半导体薄膜组合，可形成一个完整的AOS的p-n体系，且p型CrMCuO与n型InGaZnO均为透明半导体材料，因而可制作透明光电器件和透明逻辑电路，开拓AOS在透明电子产品中应用，促进透明电子学的发展。
5）本发明所述的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，在生长过程中存在较宽的参数窗口，可实现大面积沉积，能耗低，制备工艺简单、成本低，可实现工业化生产。
具体实施例
以下结合具体实施例进一步说明本发明。
实施例1
（1）以高纯Cr2O3、MgO和Cu2O粉末为原材料，混合，研磨，在1150℃的Ar气氛下烧结，制成CrMgCuO陶瓷片为靶材，其中Cr、Mg、Cu三组分的原子比为2:1:0.8；
（2）采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至真空度为9×10-4Pa；
（3）通入Ar-O2为工作气体，气体压强2Pa，Ar-O2流量体积比为10:2，溅射功率140W，衬底温度为200℃，在Ar-O2离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在70Pa的O2气氛下自然冷却到室温，得到p型Cr2MgCu0.8O4.4非晶薄膜。
以石英为衬底，按照上述生长步骤制得p型Cr2MgCu0.8O4.4薄膜，对其进行结构、电学和光学性能测试，测试结果为：薄膜为非晶态，厚度62nm；具有p型导电特性，空穴浓度1012cm-3；可见光透过率89%。
实施例2
（1）以高纯Cr2O3、MgO和Cu2O粉末为原材料，混合，研磨，在1150℃的Ar气氛下烧结，制成CrMgCuO陶瓷片为靶材，其中Cr、Mg、Cu三组分的原子比为2:1:1；
（2）采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至真空度为9×10-4Pa；
（3）通入Ar-O2为工作气体，气体压强3Pa，Ar-O2流量体积比为10:1，溅射功率140W，衬底温度为300℃，在Ar-O2离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在90Pa的O2气氛下自然冷却到室温，得到p型Cr2MgCuO4.5非晶薄膜。
以石英为衬底，按照上述生长步骤制得p型Cr2MgCuO4.5薄膜，对其进行结构、电学和光学性能测试，测试结果为：薄膜为非晶态，厚度64nm；具有p型导电特性，空穴浓度1013cm-3；可见光透过率91%。
实施例3
（1）以高纯Cr2O3、MgO和Cu2O粉末为原材料，混合，研磨，在1150℃的Ar气氛下烧结，制成CrMgCuO陶瓷片为靶材，其中Cr、Mg、Cu三组分的原子比为2:1:1.2；
（2）采用射频磁控溅射方法，将衬底和靶材安装在溅射反应室中，抽真空至真空度为9×10-4Pa；
（3）通入Ar-O2为工作气体，气体压强4Pa，Ar-O2流量体积比为10:2，溅射功率150W，衬底温度为400℃，在Ar-O2离子的轰击下，靶材表面原子和分子溅射出来，在衬底上沉积形成一层薄膜，在100Pa的O2气氛下自然冷却到室温，得到p型Cr2MgCu1.2O4.6非晶薄膜。
以石英为衬底，按照上述生长步骤制得p型Cr2MgCu1.2O4.6薄膜，对其进行结构、电学和光学性能测试，测试结果为：薄膜为非晶态，厚度69nm；具有p型导电特性，空穴浓度1013cm-3；可见光透过率92%。
上述各实施例中，使用的原料Cr2O3粉末、MgO粉末和Cu2O粉末的纯度均在99.99%以上。
本发明p型CrMgCuO非晶氧化物半导体薄膜制备所使用的衬底，并不局限于实施例中的石英片，其它各种类型的衬底均可使用。
在p型CrMCuO体系中，M为Zn、Mg、Mn中的一种。除M为Mg外，当M为Zn或Mn元素时，具有同样的机理、具有类似的性质，除CrMgCuO之外的其它的p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜也能用上述类似的方法与步骤进行制备，所得的材料和器件具有类似的性能。