1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底，包括电容区以及非电容区；
半导体层，位于所述基底的电容区和非电容区上；
第一电极，位于所述半导体层上，并位于所述电容区上；
第一介电层，位于所述第一电极以及半导体层上；
第二介电层，位于所述第一介电层上；
第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述电容区上的所述第二介电层中，所述第二开口位于所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中；以及
金属层，位于所述第二介电层上、第一开口内和第二开口内。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层中还设置有第三开口，所述电容区上的金属层与所述非电容区上的金属层通过所述第三开口相隔离，位于所述电容区上的金属层形成第二电极，位于所述非电容区上的金属层形成走线。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述半导体层与第一电极以及所述半导体层与第一介电层之间，所述第二开口还位于所述绝缘层中。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介电层的材料为氮化硅，所述第二介电层的材料为氧化硅。
6.一种有机发光显示器件，包括如权利要求1-5中任意一项所述阵列基板。
7.一种如权利要求1-5中任意一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成半导体层；
在所述半导体层上形成第一电极；
在所述第一电极以及半导体层上形成第一介电层；
在所述第一介电层上形成第二介电层；
在所述电容区上的所述第二介电层中形成第一开口，并在所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中形成第二开口；以及
在所述第二介电层上形成金属层，所述金属层填充所述第一开口和第二开口。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述电容区上的所述第二介电层中形成第一开口，并在所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中形成第二开口的步骤包括：
在所述第二介电层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有第一区域、第二区域以及第三区域，所述第一区域的光刻胶的厚度小于所述第三区域的光刻胶的厚度，所述第二区域的光刻胶的厚度为零；
以所述第一光刻胶图案为掩膜，至少在部分所述第一介电层中形成所述第二开口；
将所述第一光刻胶图案中第一区域的光刻胶去除，使所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案；
以所述第二光刻胶图案为掩膜，在所述第二介电层中形成所述第一开口。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第二介电层中形成所述第一开口的过程中，在所述第一介电层中形成第二开口。
10.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述半导体层与第一电极以及所述半导体层与第一介电层之间；
在所述第二介电层中形成所述第一开口的过程中，在所述绝缘层中形成第二开口。
11.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第二介电层上形成第一光刻胶图案的步骤包括：
在所述第二介电层上形成光刻胶层；
采用半色调掩膜工艺，对所述光刻胶层进行图形化，形成所述第一光刻胶图案。