技术总结
本申请公开了一种功率器件及其制造方法。所述功率器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距，与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场。该功率器件不仅可以稳定器件的耐压，提高可靠性，而且可以降低导通电阻。
技术研发人员：张邵华
受保护的技术使用者：杭州士兰微电子股份有限公司
文档号码：201610941707
技术研发日：2016.11.01
技术公布日：2018.05.11