技术总结
本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，所述瞬态电压抑制器的制造方法包括以下步骤：提供P‑型半导体衬底至反应腔室中；在P‑型半导体衬底上注入埋层形成埋层衬底；在埋层衬底上分别刻蚀两个浅沟槽；埋层推进；对埋层衬底进行预吹扫，对反应腔室进行烘烤；用硅源气体和刻蚀气体填充两个浅沟槽；生长高阻本征外延层；在埋层衬底上注入掺杂依次形成第一P+区、N+区以及第二P+区；在N+区与两个浅沟槽之间分别刻蚀两个深沟槽；在深沟槽内填充二氧化硅，并完成金属布线工艺。与现有技术相比，本发明实现了沟槽的二次隔离，有效地抑制了埋层的扩散，从而保证了衬底表面外延层的电阻率，进而降低了TVS的电容。
技术研发人员：刘峰松;陶有飞;史超
受保护的技术使用者：上海先进半导体制造股份有限公司
文档号码：201610949003
技术研发日：2016.10.26
技术公布日：2017.02.15