技术特征：
技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成界面层；对基底进行至少一次膜层形成工艺，在界面层上形成高k栅介质层；其中，膜层形成工艺的步骤包括：通过含氯的前驱体在界面层上形成中间高k栅介质层；采用含氢气体对中间高k栅介质层进行等离子体处理；在高k栅介质层上形成栅电极层。本发明形成中间高k栅介质层后，在等离子体处理下，带高能的H原子能够吸附中间高k栅介质层中的Cl杂质原子且使Cl杂质原子远离中间高k栅介质层表面，使最终所形成高K栅介质层中的Cl杂质原子含量下降或为零，且未引入其他杂质元素，从而改善了高K栅介质层和界面层之间的界面性能，降低了高K栅介质层的等效栅氧厚度。
技术研发人员：徐建华;刘海龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2018.05.25