技术总结
本发明涉及一种N型晶体硅电池的制备方法及其电池、组件和系统。本发明的一种N型晶体硅电池的制备方法，包括以下步骤：制绒、正表面硼扩散及形成硼硅玻璃层、背表面刻蚀、背表面磷扩散、边缘隔离、清洗、镀膜、印刷及烧结。其有益效果是：通过调整硼扩散的工艺参数使得硼扩散形成的硼硅玻璃层具备阻挡磷扩散的能力，从而开发出简单的N型晶体硅电池制作工艺，工艺过程简单可控，设备投资低；通过扩散方法形成的pn结相对硼源旋涂或丝印法污染更少、质量更好；由于硼在二氧化硅中的扩散系数高于硅，所以厚的硼硅玻璃层有利于降低p+区域的表面硼浓度从而减少表面复合，提高开路电压。制备的N型晶体硅电池具有较高的开路电压和光电转换效率。
技术研发人员：林建伟;刘志锋;季根华;孙玉海;刘勇;张育政
受保护的技术使用者：泰州中来光电科技有限公司
文档号码：201610981635
技术研发日：2016.11.08
技术公布日：2017.05.10