技术总结
一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料，采用层递式转移方法制备的由石墨烯和二硫化钼薄膜构成的多层薄膜，石墨烯的厚度是0.34‑2nm，面积要求是0.25mm2‑1cm2，二硫化钼的厚度是0.65‑3.5nm，面积要求是0.25mm2‑1cm2，采用化学气相沉积方法制备，并利用湿法循环转移直至形成总厚度为3.96‑110nm，形成超晶格异质结构，并将该大面积超薄石墨烯/二硫化钼形成的超晶格异质材料用于二维材料/单晶硅异质太阳能电池中。本发明的优点是：在不增加设备成本的前提下，制备新型超薄二维超晶格材料/单晶硅异质太阳能电池，最终提高了电池的光电转换效率。
技术研发人员：张楷亮;白鹤;马峻;王芳;李悦;李微;袁育杰
受保护的技术使用者：天津理工大学
文档号码：201611018756
技术研发日：2016.11.21
技术公布日：2017.02.15