技术总结
本发明提供一种隔离型LDMOS结构及其制造方法，包括集成在同一P型衬底基片上的隔离槽结构和LDMOS结构；隔离槽结构位于P型衬底及其上方的N型外延层内、LDMOS结构的第二P型重掺杂区和第一P型扩散阱区之间，隔离槽结构包括至少一个槽、槽内部的填充介质、第一P区、第一氧化层，槽上表面为LDMOS的第三氧化层；本发明通过在部分衬底注入与衬底材料掺杂类型相同的半导体杂质的方式，使得形成的隔离槽底部有一个P型区，改变靠近源端的电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，进一步优化了比导通电阻与击穿电压关系，外延形成的N型外延层浓度分布均匀性更优。
技术研发人员：乔明;方冬;程诗康;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201611039667
技术研发日：2016.11.11
技术公布日：2017.02.15